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JSSC 2025第5期MemoryDRAM

A Variation Tolerant Continuous Time Ising Machine With eDRAM Based

提出一种基于eDRAM的自旋交互连续时间Ising机,具有高容错性。
Ising机eDRAM自旋交互连续时间容错性
创新点1:基于eDRAM的自旋交互技术(方法创新)。该论文提出了一种利用嵌入式动态随机存取存储器(eDRAM)实现自旋交互的新方法,通过eDRAM的高密度和低功耗特性,显著提升了自旋交互的效率和可扩展性,适用于大规模Ising模型的硬件实现。
创新点2:连续时间Ising机设计(系统创新)。论文设计了一种连续时间操作的Ising机,通过模拟电路实现自旋状态的动态演化,避免了传统离散时间Ising机的时钟同步问题,提高了计算速度和能效比,适用于实时优化问题求解。
创新点3:高容错性电路设计(电路创新)。通过引入冗余电路和自适应校准技术,该设计能够在工艺波动和温度变化等环境下保持稳定的性能,实测结果显示其容错能力比传统设计提升了30%以上。
创新点4:混合信号处理架构(系统创新)。论文提出了一种混合信号处理架构,结合了模拟电路的能效优势和数字电路的精确性,实现了自旋状态的高精度计算和快速收敛,适用于复杂组合优化问题。