▸创新点1：谐波电流选择性调控技术（方法创新） - 通过引入可调谐谐波抑制网络，动态选择性地抑制或增强特定谐波电流，有效降低相位噪声并提升输出频谱纯度，在228-260 GHz频段实现相位噪声优化达-95 dBc/Hz @1MHz。
▸创新点2：228-260 GHz宽调谐范围（电路创新） - 采用多模LC谐振腔与开关电容阵列的混合调谐结构，突破传统毫米波VCO调谐范围限制，相对带宽达到13.5%，同时保持相位噪声性能不恶化。
▸创新点3：相位噪声优化设计（系统创新） - 提出基于谐波能量再分配的噪声抵消机制，通过精确控制二次谐波电流相位，实现核心晶体管非线性噪声的主动抵消，较传统结构降低相位噪声3dB以上。
▸创新点4：全集成CMOS实现（工艺创新） - 在65nm CMOS工艺上实现全集成THz VCO，通过衬底屏蔽技术和分布式偏置方案解决高频寄生效应，输出功率达到-8dBm且芯片面积仅0.12mm²。