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JSSC 2025第7期RF & Wireless22nm

A Wideband Sub 6 GHz Transceiver Front End for 5G Base Stations in 22 nm FD SOI

一篇关于采用22nm FD SOI工艺设计的5G基站Sub 6 GHz宽带收发器前端的研究论文。
22nm FD SOI, Sub 6 GHz
5GSub 6 GHz收发器22nm FD SOI基站前端
方法创新:首次在22nm FD SOI工艺上实现Sub 6 GHz宽带收发前端,通过优化工艺参数和器件结构,显著提升了高频性能和能效比。
电路创新:设计了新型宽带匹配网络,采用多级可调谐滤波器结构,实现了Sub 6 GHz频段内的高线性度和低噪声系数,支持多种5G频段的无缝切换。
系统创新:提出了一种基于数字预失真技术的5G基站前端优化方案,有效降低了非线性失真,提高了信号传输质量,支持更高的数据传输速率和更远的覆盖范围。
性能创新:通过实验验证,该收发前端在Sub 6 GHz频段内实现了大于30 dB的增益和小于2 dB的噪声系数,满足了5G基站对高性能前端的需求。