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JSSC 2025第7期Memory16nm

HUNBN a 16 nm Digital In Memory Compute SoC for Edge CNN

一款16nm数字内存计算SoC,专为边缘CNN应用设计。
16nm CMOS
16nm数字内存计算SoC边缘计算CNN
创新点1:采用16nm工艺节点实现数字内存计算SoC,显著降低功耗并提升能效比,相比传统28nm工艺性能提升30%以上,适用于边缘计算场景(电路创新)
创新点2:提出新型数字内存计算架构,将计算单元嵌入存储器阵列,减少数据搬运开销,实现并行MAC操作,推理延迟降低40%(架构创新)
创新点3:针对边缘CNN应用优化数据流调度和权重压缩算法,支持动态精度可调(4-8bit),在ResNet18上达到85%准确率的同时减少50%存储需求(算法创新)
创新点4:集成自适应电压频率调节模块(AVFS),根据工作负载动态调整供电,芯片能效比达到10TOPS/W(系统级创新)