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JSSC 2025第8期Data Converters

An 8 bit 207 TOPS W Multilevel Cell ReRAM Macro With ADC Assisted Bit

一篇关于8位207 TOPS/W多级单元ReRAM宏的IEEE JSSC期刊论文，采用ADC辅助位串行技术。
207 TOPS/W
ReRAM多级单元ADC位串行高能效比
▸创新点1：8位207 TOPS/W多级单元ReRAM宏，采用多级单元存储技术，显著提升存储密度和计算效率，适用于高吞吐量应用。
▸创新点2：ADC辅助位串行技术，通过ADC辅助实现位串行处理，减少数据传输开销，提高系统整体能效比。
▸创新点3：高能效比设计，优化电路结构和算法，实现207 TOPS/W的能效比，适用于低功耗边缘计算场景。
▸创新点4：系统级集成，结合ReRAM存储和ADC辅助技术，实现高效数据处理和存储一体化，提升系统整体性能。