← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2025第9期OtherInP HEMT
300 GHz Band 160 Gb s InP HEMT Differential Front End With High LO Leakage Reje
基于InP HEMT技术的300 GHz频段160 Gb/s差分前端设计，具有高LO泄漏抑制能力
300 GHz, 160 Gb/s
太赫兹InP HEMT前端设计LO泄漏抑制高速通信
▸创新点1：300 GHz高频段实现（系统创新）。该论文在300 GHz频段实现了前端电路设计，突破了传统毫米波通信的频率限制，为未来超高速无线通信提供了技术基础。
▸创新点2：160 Gb/s高速数据传输（系统创新）。通过优化电路设计和信号处理算法，实现了160 Gb/s的超高速数据传输速率，显著提升了通信系统的带宽和效率。
▸创新点3：高LO泄漏抑制技术（电路创新）。采用创新的差分前端设计和LO泄漏抑制技术，有效降低了LO泄漏对信号质量的影响，提高了系统的信噪比和整体性能。
▸创新点4：InP HEMT技术应用（器件创新）。利用InP HEMT（磷化铟高电子迁移率晶体管）技术，实现了高频段下的高增益和低噪声性能，为前端电路的高效运行提供了硬件支持。