ISSCC 2026Session 6mm-Wave65nm CMOS
本文提出了一种工作在436-472GHz的4元素中频波束成形相控阵接收机，采用65nm CMOS工艺。通过两步混频架构减少布局开销，并利用倍频链驱动太赫兹混频器，实现了36GHz系统带宽和27.5dB噪声系数。该设计解决了太赫兹频段相控阵接收机的高集成度与性能平衡问题。
▸采用两步混频架构，有效减少布局开销，提高集成度。
▸LO倍频链在180-214GHz输出功率>-1dBm，为太赫兹混频器提供高效驱动。
ISSCC 2023Session 24mm-Wave65nm CMOS
本文提出了一种在65nm CMOS工艺中实现的0.64-0.69THz波束可调相干源，解决了硅基工艺在太赫兹频段信号产生功率低的问题。通过耦合振荡器-辐射器阵列架构，实现了9.1dBm辐射功率和30.8dBm无透镜EIRP，展示了中太赫兹频段的高效信号生成能力。
▸采用耦合振荡器-辐射器阵列架构，在超过晶体管fmax的频段实现相干太赫兹信号产生与辐射。
▸实现了波束可调功能，无需透镜即可获得30.8dBm的等效全向辐射功率（EIRP），显著提升系统集成度。