Daegu Gyeongbuk Institute of Science and Technology

本文提出了一种无校准的二阶kT/C噪声整形的NS-SAR ADC，通过多任务积分器（MTI）和环路动力学同时实现量化噪声和kT/C噪声的二阶整形，适用于可穿戴ExG信号采集。结合相关电平移位（CLS）和输入阻抗提升（ZIN boosting）技术，在0.18μm CMOS工艺下实现了98.3dB SNDR、103.6dB DR、3.49μVrms IRN（1kHz带宽）、168MΩ输入阻抗和6.3μW功耗。

本文提出了一种兼容IEEE 802.15.4a/z/ab的全数字IR-UWB发射机，采用反相延迟双高斯脉冲与自延迟脉冲梳状陷波技术最大化频谱利用率，同时满足全球掩模。通过斜率感知非均匀插值抑制采样混叠11dB，并利用双电平开关电容功率放大器削减旁瓣发射高达12dB，实现了小面积（0.0523mm²）和低功耗（11.4mW）。