机构

Eindhoven University of Technology

9 篇

ISSCC 2023Session 23Analog Circuits
A 2.98pJ/conversion 0.0023mm2 Dynamic Temperature Sensor with Fully On-Chip Corrections
Yuting Shen, Hanyue Li, Eugenio Cantatore, Pieter Harpe
本文提出了一种全片上校正的动态温度传感器，解决了传统电阻式温度传感器对工艺角和随机失配敏感、需要离片两点校准和非线性误差去除的问题。该传感器实现了2.98pJ/conversion的超低功耗和0.0023mm2的极小面积，适用于电池供电的IoT和环境监测SoC。
▸首次实现全片上校正，无需离片两点校准或数字后处理，降低了测试成本并提高了集成度。
▸采用动态温度传感架构，结合片上校正电路，有效补偿工艺角和失配误差，同时保持极低功耗和面积。
Eindhoven University of Technology, Eindhoven, The Netherlan 2.98pJ/conversion, 0.0023mm2
ISSCC 2015Session 9Wireless
A 5.3GHz 16b 1.75GS/s Wideband RF Mixing-DAC Achieving IMD<-82dBc up to 1.9GHz
Elbert Bechthum1, Georgi Radulov1, J. Briaire2, Govert Geelen2, Arthur van Roermund1
本文提出一种5.3GHz时钟、16位分辨率、1.75GS/s采样率的宽带RF混合DAC，集成了混频器和DAC功能，解决了传统电流舵DAC在高输出频率下线性度下降的问题，实现了在高达1.9GHz输出频率下IMD低于-82dBc的高线性度性能。
▸采用Mixing-DAC架构将混频器与DAC集成，避免了单独混频器引入的额外功耗和面积开销，同时实现宽带高线性度。
▸在1.75GS/s高采样率下，通过电路设计优化实现了高达5.3GHz的时钟频率和1.9GHz输出频率下IMD<-82dBc的极低失真性能。
Eindhoven University of Technology, Eindhoven, The Netherlan 16b, 1.75GS/s, IMD<-82dBc @ up to 1.9GHz, 5.3GHz clock
ISSCC 2015Session 21Medical & Bio
A 3nW Signal-Acquisition IC Integrating an Amplifier with 2.1 NEF and a 1.5fJ/conv-step ADC
Pieter Harpe, Hao Gao, Rainier van Dommele, Eugenio Cantatore, Arthur van Roermund
该论文提出了一款总功耗仅为3nW的信号采集集成电路，集成了一个NEF为2.1的放大器和能效为1.5fJ/conv-step的ADC，解决了自主传感器在nW级功率预算下的信号采集难题。
▸实现3nW超低功耗信号采集芯片，远低于现有20-1000nW的范围
▸放大器噪声效率因子(NEF)达到2.1，同时保持极低功耗
Eindhoven University of Technology, Eindhoven, The Netherlan 总功耗3nW，放大器NEF=2.1，ADC FoM=1.5fJ/conv-step
ISSCC 2015Session 15Data Converters
A 0.8V 10b 80kS/s SAR ADC with Duty-Cycled Reference Generation
Maoqiang Liu, Pieter Harpe, Rainier van Dommele, Arthur van Roermund
该论文提出了一款0.8V 10位80kS/s的逐次逼近型模数转换器（SAR ADC），通过占空比控制参考电压生成技术，解决了低功耗传感器系统中参考电压生成器（RVG）的挑战，实现了2.4fJ/转换步的高能效。
▸采用占空比控制的参考电压生成技术，在低电源电压（0.8V）和有限功耗（nW级）下实现稳定的参考电压，提升了电源抑制比和线性度。
▸通过优化SAR ADC架构和参考电压生成电路，实现了2.4fJ/转换步的超低功耗，优于传统设计。
Eindhoven University of Technology, Eindhoven, The Netherlan 10位分辨率，80kS/s采样率，2.4fJ/转换步
ISSCC 2014Session 11Data Converters
An Oversampled 12/14b SAR ADC with Noise Reduction and Linearity Enhancements Achieving up to 79.1dB SNDR
Pieter Harpe, Eugenio Cantatore, Arthur van Roermund
本文提出了一种过采样12/14位SAR ADC，通过噪声降低和线性度增强技术，实现了高达79.1dB的SNDR，填补了低功耗高精度ADC的性能空白。
▸采用过采样技术结合噪声整形，有效降低量化噪声，提升SNDR。
▸通过线性度增强电路，改善SAR ADC的失真性能，实现高精度转换。
Eindhoven University of Technology, Eindhoven, The Netherlan 79.1dB SNDR
ISSCC 2013Session 6Medical & Bio有机TFT（未明确具体节点）
An Organic VCO-Based ADC for Quasi-Static Signals Achieving 1LSB INL at 6b Resolution
Daniele Raiteri1, Pieter van Lieshout2, Arthur van Roermund1, Eugenio Cantatore1
该论文提出了一种基于有机薄膜晶体管（OTFT）的VCO型模数转换器（ADC），专为化学和温度传感器等准静态信号设计。通过采用VCO架构和数字校准技术，在6位分辨率下实现了1LSB的积分非线性（INL），为柔性有机电子系统中的传感器接口提供了低功耗、低成本解决方案。
▸首次在有机TFT工艺中实现VCO型ADC，利用频率调制将模拟信号转换为数字码，避免了传统有机ADC中复杂的比较器设计。
▸通过数字后处理校准技术，在有机器件固有失配和漂移下仍能达到1LSB的INL，显著提升了有机ADC的线性度。
Eindhoven University of Technology, Eindhoven, The Netherlan 6b分辨率，1LSB INL
ISSCC 2013Session 15Data Converters
A 2.2/2.7fJ/conversion-step 10/12b 40kS/s SAR ADC with Data-Driven Noise Reduction
Pieter Harpe, Eugenio Cantatore, Arthur van Roermund
Low-power sensor applications e.g. for environmental monitoring, bio-potential recording, and wireless autonomous sensor networks require highly power-efficient ADCs, typically with resolutions of at
Eindhoven University of Technology, Eindhoven, The Netherlan
ISSCC 2009Session 8Digital Processors65nm CMOS
An Ultra-Low-Energy/Frame Multi-Standard JPEG CoProcessor in 65nm CMOS with Sub/Near-Threshold Power Supply
Yu Pu1,2,3, Jose Pineda de Gyvez1,2, Henk Corporaal1, Yajun Ha3
该论文提出了一种在65nm CMOS工艺中采用亚/近阈值供电的多标准JPEG协处理器，实现了超低每帧能耗。通过使用可配置VT平衡器和升压电源开关晶体管，解决了亚阈值操作下工艺变化导致的时序不确定性问题。
▸采用可配置VT平衡器，在0.4V供电下将关键路径的时序标准差降低4.7倍，σ/μ降低3.6倍。
▸使用NMOS电源开关晶体管，其栅极控制电压升压至1.2V（I/O电压），增强了驱动能力。
Eindhoven University of Technology, Netherlands
ISSCC 2009Session 12RF & Wireless90nm CMOS
A 0.75V 325µW 40dB-SFDR Frequency-Hopping Synthesizer for Wireless Sensor Networks in 90nm CMOS
E. Lopelli1, J. D. van der Tang2, K. Philips3, A. H. van Roermund1, B. Gyselinckx3
提出一款0.75V供电、功耗仅325µW的跳频合成器，适用于超低功耗无线传感器网络。解决了传统跳频方案功耗过高（需数毫安电流）的问题，实现了40dB无杂散动态范围。
▸采用90nm CMOS工艺实现极低电压（0.75V）和亚毫瓦级功耗的跳频合成器
▸功耗与跳频速度无关，支持快速同步的快速跳频
Eindhoven University of Technology, Eindhoven, Netherlands 2 0.75V 325µW 40dB-SFDR