ISSCC 2019Session 2AI / ML
本文提出一种基于处理-内存（Processing-In-Memory）方法的多芯片可扩展退火处理器，实现了2×30k自旋（60k自旋）的规模，用于高效求解大规模组合优化问题。该处理器通过多芯片级联扩展自旋数量，并利用内存计算加速退火过程，从而解决NP-hard问题。
▸提出基于处理-内存的多芯片可扩展架构，将退火计算与存储单元紧密集成，减少数据搬移开销。
▸实现2×30k自旋的大规模退火处理器，通过多芯片级联可进一步扩展自旋数量，突破单芯片面积限制。
ISSCC 2009Session 7Memory70nm CMOS
本文提出一种低Vt门控前置放大器（LGA）与高Vt读出放大器并联的传感方案，实现了亚1V千兆位DRAM阵列的快速传感、快速本地I/O驱动和低泄漏操作。在70nm 128Mb DRAM核心上验证，在0.9V阵列电压下获得16.4ns行访问和14.3ns读取访问。
▸提出低Vt门控前置放大器（LGA）与高Vt读出放大器并联结构，同时实现快速传感和低泄漏。
▸通过降低MOSFET阈值电压变化和读出放大器失调电压，提升低电压下的传感裕度。
ISSCC 2009Session 29mm-Wave
该论文提出了一种采用环路接地传输线结构的59GHz Push-Push VCO，实现了13.9GHz的宽调谐范围，用于覆盖57-66GHz全频段的60GHz无线通信收发器。解决了传统VCO调谐范围不足、无法支持多频段覆盖的问题。
▸采用Push-Push结构结合环路接地传输线，在59GHz载波频率下实现13.9GHz的调谐范围（约23.6%相对调谐范围）。
▸该VCO设计专为全频段60GHz超外差收发器优化，通过滑动中频方案避免镜像和本振泄漏干扰。
ISSCC 2008Session 26Wireless0.13μm CMOS
本文提出一种振幅再分布技术，通过控制振荡器节点的电压摆幅分布来改善毫米波交叉耦合VCO的相位噪声性能。采用0.13μm CMOS工艺实现的28GHz VCO展示了-112.9dBc/Hz @ 1MHz偏移的低相位噪声。
▸提出振幅再分布技术，通过调节振荡器节点电压摆幅的分布来优化相位噪声，而不增加功耗或面积。
▸在28GHz频率下实现了优于传统结构的低相位噪声性能，验证了该技术在毫米波频段的有效性。