ISSCC 2023Session 20Power Management
本文提出了一种基于GaN-on-SOI工艺的高共模瞬态抗扰度栅极驱动器，用于驱动高dV/dt的SiC功率开关。该驱动器解决了SiC MOSFET在高速开关时因高dv/dt耦合共模瞬态导致的误触发问题，提升了系统可靠性。
▸采用GaN-on-SOI工艺实现高共模瞬态抗扰度，有效抑制高速开关时的共模干扰。
▸针对1700V SiC MOSFET的高dV/dt（>100kV/μs）和di/dt（>10kA/μs）设计，优化了栅极驱动器的瞬态响应。
ISSCC 2023Session 11Power Management
本文提出了一种对称混合降压-升压转换器，实现了0.1至10的极宽转换比，满足USB PD 3.1高达48V的电压需求。该转换器支持双向功率转换，适用于USB Type-C接口的单端口电力传输，解决了传统转换器在宽转换比和高压应力下的性能瓶颈。
▸提出对称混合拓扑结构，实现0.1至10的宽转换比范围，同时支持双向功率流动。
▸通过优化开关策略和高压器件设计，在宽转换比下保持高效率并承受48V高压应力。