机构

South China University of Technology

2 篇

ISSCC 2025Session 19Clocking & PLLs
A Differential Series-Resonance CMOS VCO with Pole-Convergence Technique Achieving 202.1dBc/Hz FoMTA at 10MHz Offset
Jinhua Guo, Pei Qin, Haoshen Zhu, Xiang Yi, Wenjie Feng, Wenquan Che, Quan Xue
该论文提出了一种差分串联谐振CMOS VCO，采用极点收敛技术，在10MHz偏移处实现了202.1 dBc/Hz的FoMTA。旨在解决低相位噪声VCO设计中传统多核方法带来的面积和功耗增加问题。
▸提出了差分串联谐振结构，通过极点收敛技术改善相位噪声与FoM。
▸在10MHz偏移处实现202.1 dBc/Hz的FoMTA，优于传统设计。
South China University of Technology, Guangzhou, China Volta 202.1 dBc/Hz FoMTA @ 10MHz offset
ISSCC 2023Session 25RF & Wireless28nm bulk CMOS
A 19.7-to-43.8GHz Power Amplifier with Broadband Linearization Technique in 28nm Bulk CMOS
Weisen Zeng1, Li Gao1, Ningzheng Sun1, Hongtao Xu2, Quan Xue1, Xiuyin Zhang1
本文提出了一种工作在19.7至43.8GHz的宽带功率放大器，采用28nm体CMOS工艺，通过创新的宽带线性化技术解决了5G毫米波FR2频段多频段覆盖问题，支持国际漫游。
▸提出了一种宽带线性化技术，在19.7-43.8GHz范围内实现高线性度功率放大
▸采用28nm体CMOS工艺，实现了覆盖多个5G FR2频段的宽带PA设计
South China University of Technology, Guangzhou, China