ISSCC 2026Session 8Wireline I/O28nm CMOS
本文提出了一种112Gb/s PAM-4同时双向收发器，采用2×VDD堆叠驱动混合器恢复信号摆幅，并通过联合延迟和压摆率匹配消除动态毛刺，配合两步回波消除器抑制反射，解决了高速SBD传输中的信号完整性问题。在28nm CMOS工艺下实现BER<1E-10和1.73pJ/b能效。
▸采用2×VDD堆叠驱动器的混合器，在低电压下恢复PAM-4信号摆幅
▸联合延迟与压摆率匹配方案，消除高速SBD中的动态毛刺
ISSCC 2025Session 36RF & Wireless0.13μm SiGe BiCMOS and 28nm CMOS
针对AI等场景对带宽和低延迟的需求，提出一种200Gb/s PAM-4异构收发器，结合0.13μm SiGe BiCMOS和28nm CMOS工艺，用于重定时可插拔光学系统，解决了线性驱动可插拔光学在高速率下因插入损耗增大而性能退化的问题。
▸采用0.13μm SiGe BiCMOS与28nm CMOS异构工艺集成，兼顾模拟高频性能与数字电路密度。
▸实现200Gb/s PAM-4重定时收发，支持低延迟光学互连，满足AI计算对超低延迟和带宽的需求。
ISSCC 2024Session 19RF & Wireless
本文提出一种0.07mm²的20-23.8GHz八相振荡器，采用磁耦合与双注入耦合技术，解决了传统多相本振产生中相位噪声与功耗之间的折衷问题，实现了189.2dBc/Hz的优值（FoM@10）。该设计结合了环形振荡器的多相特性与LC谐振器的高品质因数，显著提升了毫米波频段的性能。
▸创新点1：提出磁耦合与双注入耦合的混合耦合机制，在保留环形振荡器多相输出的同时，利用LC谐振器提高Q值，降低相位噪声。
▸创新点2：在20-23.8GHz频率范围内实现八相输出，芯片面积仅0.07mm²，且FoM达到189.2dBc/Hz，优于传统方法。