A CMOS Temperature Sensor with a VoltageCalibrated Inaccuracy of ±0.15°C (3σ) From -55 to 125°C

📋 论文概要

该论文提出了一种用于RFID标签的高能效CMOS温度传感器，通过电压校准技术，在-55至125°C的宽温度范围内实现了±0.15°C（3σ）的高精度，同时每次转换仅消耗27nJ能量，相比先前同类传感器能效提升20倍以上。

💡 主要创新点

• 采用电压校准技术替代传统的温度校准，显著降低了校准成本并提高了精度。
• 通过优化的电路设计和低功耗架构，实现了极低的能量消耗（27nJ/转换），适合无源RFID应用。

🏷 关键词

📄 原文摘要

This paper describes an energy-efficient CMOS temperature sensor intended for use in RFID tags. The sensor achieves an inaccuracy of ±0.15°C (3σ) over the military temperature range (-55 to 125°C) and dissipates only 27nJ/conversion: over 20× less than a previous sensor with comparable accuracy and resolution

👥 作者与机构

Kamran Souri, Youngcheol Chae, Kofi Makinwa

Delft University of Technology, Delft, The Netherlands