机构

Jongwoo Lee

3 篇

ISSCC 2024Session 9Data Converters14nm
A 6th-Order Quadrature CTDSM using Double-OTA and Quadrature NSSAR with 171.3dB FoMs in 14nm We introduce an extra CC path (shaded blocks in Fig. 9.6.3) to the integrator within NSSAR to achieve even higher SNR. This transforms the NTF of the NSSAR to the desired band, resulting in further suppressed quantization noise in the target bandwidth. Figure 9.6.3 shows the effectiveness of our QNSSAR with the simulated quantization noise using three different quantizers in a quadrature CT-DSM with ideal models. The resulting SQNR utilizing QNSSAR is 93.52dB while the conventional SAR, and NSSAR give 76.35dB, and 88.36dB, respectively.
Jongmi Lee, Seong-Eun Cho, Jaehoon Lee, Yong Lim, Seunghyun Oh,
该论文提出了一种基于双OTA和正交NSSAR的6阶正交连续时间Delta-Sigma调制器（CTDSM），用于低中频无线接收机（如BLE和IoT），具有高能效和抗混叠特性。通过优化NTF和采用新型架构，实现了171.3dB的FoMs，在14nm工艺下显著提升了性能。
▸提出6阶正交CTDSM架构，结合双OTA实现高阶噪声整形和低功耗。
▸采用正交NSSAR（噪声整形逐次逼近寄存器）量化器，提升量化效率。
Jongwoo Lee, Sung-Ung Kwak Samsung Electronics, Hwasung, Kor 171.3dB FoMs
ISSCC 2024Session 9Data Converters
A 2.08mW 64.4dB SNDR 400MS/s 12b Pipelined-SAR ADC using Mismatch and PVT Variation Tolerant Dynamically Biased Ring Amplifier in 8nm
Yong Lim*, Jaehoon Lee*, Jongmi Lee, Kwangmin Lim, Seunghyun Oh,
本文提出了一种采用动态偏置环放大器的12位400MS/s流水线-逐次逼近型ADC，解决了传统环放大器最后一级偏置受失配和PVT变化影响的问题，实现了2.08mW功耗和64.4dB SNDR。
▸提出了一种对失配和PVT变化具有容忍性的动态偏置环放大器，替代传统电阻偏置方式。
▸基于该环放大器设计了低功耗高性能的流水线-逐次逼近型ADC架构，在400MS/s下达到12位精度。
Jongwoo Lee, Sung-Ung Kwak Samsung Electronics, Hwaseong, Ko 2.08mW 64.4dB SNDR 400MS/s 12b
ISSCC 2024Session 14Digital Circuits
A 10A Computational Digital LDO Achieving 263A/mm2 Current Density with Distributed Power-Gating Switches and Time-Based Fast-Transient Controller for Mobile SoC Application in 3nm GAAFET
Dongha Lee, Seki Kim, Takahiro Nomiyama, Dong-Hoon Jung, Dongsu Kim,
该论文提出一种计算型数字LDO，采用分布式电源门控开关和时间基于的控制技术，实现了10A负载电流和263A/mm^2的高电流密度，旨在简化移动SoC中PMIC-SoC电源轨并优化CPU核心功耗。
▸使用分布式电源门控开关来减小功率FET面积，提高集成度
▸采用时间基于的控制方法实现高效率的数字LDO
Jongwoo Lee, Sungung Kwak Samsung Electronics, Hwaseong, Kor 10A负载电流，263A/mm^2电流密度