ISSCC 2026Session 37Memory65nm CMOS
本文提出了一种交叉自参考斜率采样接收机，通过基于输入信号斜率判定数据，增强了对长尾码间干扰的鲁棒性，无需均衡器。该接收机在65nm CMOS工艺下实现，在12.5Gb/s速率下能效为0.092pJ/b，FoM为7.7fJ/b/dB，面积仅0.001mm²，适用于下一代低功耗存储器接口。
▸提出交叉自参考斜率采样架构，利用信号斜率而非幅度进行数据判决，显著提升对长尾后光标间干扰的容忍度。
▸无需任何均衡器即可实现高鲁棒性，降低了接收机复杂度和功耗。
ISSCC 2024Session 13RF & Wireless
本文提出了一种25.2Gb/s/pin的NRZ/PAM-3双模发射器，通过嵌入式部分数据总线反转（DBI）技术，实现了133%的I/O带宽/引脚效率，解决了传统NRZ内存接口带宽受限的问题。
▸提出NRZ/PAM-3双模发射器架构，支持两种调制模式以适应不同带宽需求。
▸采用嵌入式部分DBI技术，在不增加额外引脚的情况下提升I/O带宽效率至133%。