机构

Leibniz University Hannover

4 篇

ISSCC 2025Session 3Analog Circuits
Hendrik Siemssen1, Rochus Nowosielski2, Holger Borchardt2, Jan Mueller2, Bernhard Wicht1
该论文提出了一种基于无源开关电容的多模式放大器,能够在-25至200°C的宽温度范围内实现0.75%的对数一致性误差,解决了高温环境下声学传感器前端需要宽动态范围和精确相位/幅度测量的难题。
采用无源开关电容结构实现多模式放大,避免了有源器件在高温下的性能退化。
通过创新的电路设计,在宽温度范围内保持了对数一致性误差低于0.75%,同时实现了超过80dB的动态范围。
ISSCC 2022Session 14Wireless
Christoph Rindfleisch, Bernhard Wicht
This paper presents an efficient and compact offline chip-scale power supply in 0.18µm high-voltage (HV) silicon-on-insulator (SOI) technology, suitable to supply IoT nodes, sensors, RF transceivers,
ISSCC 2020Session 18Power ManagementGaN-on-Silicon(未明确具体节点)
Maik Kaufmann1, Michael Lueders2, Cetin Kaya3, Bernhard Wicht1
该论文提出了一种单片集成E-Mode GaN 15W 400V离线自供电迟滞降压变换器,实现了95.6%的高效率。通过将GaN HEMT和驱动器单片集成在GaN-on-Silicon技术上,有效控制了寄生参数并减小了方案尺寸,解决了传统分立方案中的性能瓶颈。
在GaN-on-Silicon平台上单片集成了E-Mode GaN HEMT和驱动器,实现更高集成度和更低寄生。
采用自供电架构,无需外部辅助电源,适用于离线应用。
ISSCC 2020Session 11Power Management
Christoph Rindfleisch, Bernhard Wicht
本文提出一种单级325V到3.3-10V的谐振DC-DC转换器,全集成功率级,输出功率0.5W,效率达80.7%。解决了高压直接降压中的电平移位、共模瞬态抑制等难题。
采用单步谐振拓扑实现从325V到低电压的直接降压,避免多级级联损耗。
全集成高压功率级和驱动电路,包括电平移位器、共模瞬态抑制电路和自举供电,提高集成度和可靠性。