ISSCC 2026Session 20RF & Wireless35nm GaN HEMT
该论文展示了一款采用35nm GaN HEMT工艺的330-344 GHz功率放大器，通过最大可用增益提升技术和紧凑型Tandem耦合器，解决了太赫兹频段增益低、合路损耗大的问题。最终实现了超过21dB增益和18dBm饱和输出功率，峰值功率密度达0.925W/mm。
▸提出最大可用增益提升技术，在THz频段有效增强级联放大器的增益性能。
▸设计小型化Tandem耦合器，降低端口反射和合路损耗，提升功率合成效率。
ISSCC 2025Session 33OtherGaN
本文提出了一款216-226GHz瓦特级GaN固态功率放大器，通过多频带大信号阻抗校正和电路技术解决了高频段功率放大器的低阻抗和带宽限制问题，实现了紧凑集成的高功率输出。
▸采用多频带大信号阻抗校正技术，在216-226GHz频段内优化阻抗匹配，提升带宽和功率效率。
▸基于GaN工艺实现瓦特级输出功率，克服了传统硅基和III-V族器件在>200GHz频段低电压高电流模式的局限。