ISSCC 2026Session 27Clocking & PLLs28nm CMOS
本文提出了一种20GHz频率合成器,采用杂散整形调制器(SSM)技术有效抑制了由切片间失配引起的非线性,实现了46.2fs的集成抖动和-76.5dBc的最差分数杂散。该设计在28nm CMOS工艺中实现,取得了-251.4dB的FoM和-102.6dB的FoMIBS,解决了高速收发器对低抖动、低杂散分数N频率合成器的需求。
▸提出杂散整形调制器(SSM)技术,通过抑制切片间失配引起的非线性来降低分数杂散。
▸实现了20GHz频率合成器同时具有超低抖动(46.2fs)和超低最差分数杂散(-76.5dBc),并达到极佳的FoM和FoMIBS指标。
ISSCC 2026Session 21RF & Wireless
该论文提出一种用于汽车USB充电的低侧平均电流传感器,支持0.1-3A负载范围和亚100ns采样时间,实现了±60mA的高精度。通过自适应稳定助手、直流电平移位偏置和抗占空比电阻三种技术,分别解决了稳定延迟、轻载精度和带宽漂移问题。
▸自适应稳定助手:通过辅助电路减少电流传感器的稳定延迟,提高响应速度。
▸直流电平移位偏置:改善轻载条件下的电流检测精度,降低误差。
ISSCC 2025Session 5RF & Wireless
本文提出了一种56-64GHz线性功率放大器,采用可扩展的匹配区域扩展径向功率合成技术,实现了30.2dBm饱和输出功率和23.5%峰值功率附加效率,解决了毫米波频段在电压限制硅工艺中实现大输出功率的难题。
▸提出可扩展的匹配区域扩展径向功率合成结构,克服了传统功率合成器随子PA数量增加输入阻抗变化的问题。
▸在56-64GHz频段同时实现了高功率(30.2dBm)和高效率(23.5% PAEpeak),兼顾线性度。
ISSCC 2025Session 13Other
该论文提出了一款名为Xiling的低温CMOS双通道DAC操控器,实现了18位精度、4.6μV的电压分辨率和4.1nV/√Hz的噪声性能,并与单电子晶体管(SET)控制器协同集成,旨在解决大规模硅基自旋量子比特操控中的高精度和低噪声需求。
▸首次在低温CMOS中实现18位双通道DAC与SET控制器的单片集成,支持大规模量子比特阵列的精确操控。
▸通过优化的电路架构和低温设计,在4.6μV精度下达到4.1nV/√Hz的超低噪声,显著提升量子比特操控的保真度。
ISSCC 2023Session 8mm-Wave
该论文提出了一种28GHz可扩展芯间整形多核振荡器,通过DM/CM配置耦合技术实现优异的相位噪声性能。解决了毫米波通信中本振相位噪声要求高和功耗优化的问题,实现了193.3dBc/Hz的高FoM。
▸提出芯间整形(inter-core-shaping)技术,通过多核耦合优化相位噪声。
▸采用DM/CM配置耦合,灵活设置共模谐振频率,提高FoM。
ISSCC 2023Session 34Quantum & Photonics
本文提出了一款用于经典-量子接口的12.8-16.5GHz低温CMOS压控振荡器(VCO),无需校准即可实现202dBc/Hz的优值(FoM)。该VCO旨在解决大规模量子比特阵列操控中的去相干误差问题,支持高保真度量子计算。
▸首次在低温CMOS工艺中实现无需校准的VCO,频率覆盖12.8-16.5GHz,适用于量子比特操控。
▸通过优化电路设计,在4K低温下达到202dBc/Hz的FoM,显著降低相位噪声对量子比特相干性的影响。
ISSCC 2023Session 18Wireless
本文提出一种工作在71-89GHz的12Gb/s双沿触发正交RFDAC,通过双沿触发技术提高数据率,并采用LO泄漏抑制技术增强性能,实现了20.5dBm的峰值输出功率,适用于E-band多Gb/s无线通信。
▸提出双沿触发(DET)技术,在正交RFDAC中实现两倍于时钟频率的数据率,提高调制效率。
▸设计LO泄漏抑制电路,有效降低本振泄漏,改善输出信号质量。
ISSCC 2021Session 26AI / ML
本文提出了一种瓦特级正交开关/浮空电容功率放大器,通过复域调制技术显著提升了功率回退效率,解决了传统功率放大器在低功率输出时效率低下的问题。该设计采用正交架构简化系统复杂度,并实现高数据率传输。
▸首次在复域中利用开关/浮空电容结构实现功率放大器的高效回退操作,无需额外的CORDIC和相位调制器。
▸通过IQ单元共享技术提高了峰值效率,同时保持正交发射机的简单架构和高数据率特性。
ISSCC 2021Session 20RF & Wireless
该论文提出了一种分布式升压和谐波阻抗扩展的多核振荡器,工作在3.09-4.04GHz频段,实现了-138.9dBc/Hz @ 1MHz偏移的低相位噪声。通过谐波整形技术降低了LC振荡器的噪声灵敏度,解决了高速通信和雷达系统对频谱纯度的严格要求。
▸提出分布式升压技术,通过多核结构增强振荡器性能。
▸采用谐波阻抗扩展方法,优化谐波阻抗以降低相位噪声。
ISSCC 2020Session 25Digital Circuits
该论文提出了一种基于压缩感知的可扩展20GHz片上电源噪声分析器,解决了传统外部测量受封装影响以及片上测量带宽、精度和测量时间难以兼顾的问题。通过压缩感知技术实现了高带宽、高频率分辨率的噪声测量。
▸采用压缩感知技术,在降低采样率的同时保持20GHz的大带宽和高频率分辨率。
▸提出可扩展的片上架构,适应不同规模的SoC电源噪声监测需求。
ISSCC 2020Session 23Analog Circuits
提出了一种采用共模复制技术的仪表放大器,实现了130dB CMRR。该技术同时提升固有CMRR和输入共模阻抗,有效抑制源阻抗不平衡导致的CMRR退化,适用于高阻抗传感器前端。
▸提出共模复制技术,同时增强固有CMRR和输入共模阻抗
▸通过共模复制环路补偿源阻抗不平衡,提升总CMRR
ISSCC 2020Session 17Clocking & PLLs
A 18.6-to-40.1GHz 201.7dBc/Hz FoMT Multi-Core Oscillator Using E-M Mixed-Coupling Resonance Boosting
该论文提出了一种采用电磁混合耦合谐振增强技术的多核振荡器,实现了18.6至40.1GHz的超宽带调谐范围和201.7dBc/Hz的优值(FoMT),解决了毫米波频段多核振荡器相位噪声与调谐范围之间的折衷问题。
▸提出E-M混合耦合谐振增强技术,通过电磁混合耦合提升多核振荡器的谐振品质因数,降低相位噪声。
▸采用多核架构结合并行交叉耦合对和LC谐振腔,在宽调谐范围内实现低相位噪声性能。
ISSCC 2018Session 23Other
本文提出了一种无需调谐的注入锁定频率三倍器(ILFT),通过注入电流增强技术将锁定范围提升至76.4%,工作频率覆盖22.8至43.2GHz,解决了传统ILFT锁定范围窄的问题,适用于多频段5G毫米波本地振荡器生成。
▸提出注入电流增强技术,显著拓宽了注入锁定频率三倍器的锁定范围至76.4%。
▸实现22.8-43.2GHz的宽频带覆盖,无需额外的调谐元件,简化了电路设计。