ISSCC 2008Session 26WirelessCMOS（具体节点未明确）
提出了一种采用Class-C偏置的差分Colpitts CMOS VCO，通过交叉耦合MOS晶体管显著改善相位噪声性能。实现了1.4mW功耗、4.90-5.65GHz调谐范围，平均FoM达194.5dBc/Hz。
▸提出新型差分Class-C Colpitts VCO结构，通过交叉耦合提升相位噪声
▸推导了相位噪声表达式，指导优化设计
ISSCC 2008Session 10RF & Wireless65nm CMOS
该论文设计了一个24GHz次谐波接收机前端，集成了多相本振生成电路，采用65nm CMOS工艺实现。解决了Ka波段和毫米波接收机中低功耗、高集成度与鲁棒性的权衡问题。
▸提出次谐波接收机架构，利用多相LO生成降低本振频率要求，减少功耗和复杂度。
▸在65nm CMOS中集成多相LO生成电路，实现24GHz接收机前端的高集成度。