ISSCC 2020Session 29RF & Wireless
本文实现了一款0.42THz、9.2dBm的64像素源阵列SoC，采用空间调制多样性技术用于计算太赫兹成像。该芯片通过集成多像素源阵列和计算成像算法克服了传统太赫兹成像系统的信噪比限制，并实现了快速成像。
▸首次在0.42THz频段实现64像素源阵列SoC集成，具备9.2dBm输出功率。
▸引入空间调制多样性技术，通过图案化照明结合计算成像提升系统信噪比和成像速度。
ISSCC 2016Session 25mm-Wave0.13µm SiGe BiCMOS
本文提出了一款全集成0.55THz近场传感器，采用0.13µm SiGe BiCMOS工艺实现。该传感器通过近场探测突破了传统太赫兹成像的衍射极限，实现了8µm的横向分辨率，并消除了外部照明带来的远场背景杂散干扰。
▸首次将0.55THz近场传感器完全集成在单一芯片上，无需外部光源或分立探测器组件。
▸通过近场探测机制将横向分辨率提升至8µm，远超传统太赫兹成像的毫米级衍射极限。
ISSCC 2010Session 23mm-WaveSiGe BiCMOS
该论文提出了一种基于SiGe BiCMOS工艺的650GHz接收机前端，用于太赫兹成像阵列。通过集成天线和低噪声检测器，解决了低成本、大规模太赫兹成像阵列的集成难题。
▸首次在硅基工艺中实现650GHz的接收机前端，用于太赫兹成像。
▸采用SiGe BiCMOS工艺集成天线和检测器，实现低成本、大规模阵列。
ISSCC 2010Session 23mm-Wave
本文设计并实现了工作在158-165GHz频段的正交发射机和接收机芯片组，采用先进的SiGe BiCMOS工艺（fT=260GHz, fMAX=380GHz），旨在支持宽带无线通信、测距和成像等新兴高频应用。
▸首次在160GHz频段实现SiGe基正交收发芯片组，集成了完整的发射和接收链路。
▸利用高fT/fMAX的SiGe BiCMOS工艺，在毫米波频段实现了高集成度与高性能的平衡。