机构

Xidian University

3 篇

ISSCC 2026Session 4Analog Circuits
A 2.1-to-3.7ppm/°C Bandgap Voltage Reference with a Current-Domain TC Compensation and ±0.06% Inaccuracy from -40°C to 125°C in 130nm CMOS
Zhong Tang1, Sining Pan2, Xiaopeng Yu3, Nick Nianxiong Tan4, Zhangming Zhu1
本文提出一种CMOS带隙基准电压源，采用电流域高阶温度补偿技术，利用电容偏置二极管型超PTAT电流源实现。该设计在两点修调后，在-40°C至125°C范围内温度系数为2.1-3.7ppm/°C，不精确度±0.06%（3σ），且具有简单的架构和高能效。
▸提出电流域高阶温度补偿方法，使用电容偏置二极管产生超PTAT电流，实现线性化补偿。
▸仅需两点修调即可获得低温度系数和高精度，简化了校准流程并提升了效率。
Xidian University, Xi’an, China, 2Tsinghua University, Beiji
ISSCC 2026Session 30AI / ML28nm CMOS
A 28nm 106.85TOPS/W and 77.68TFLOPS/W CIM Macro with Stage-Wise-Enabled Lossless Compressors Based on Sign-Bit-Embedded Transition-Counting-Lines for Edge-AI Devices
Lichen Feng, Yunlong Liu, Lin Wu, Dong Li, Zhangming Zhu
本文提出了一款28nm工艺下的位并行数字计算内存(CIM)宏，采用基于转移计数线(TCL)的无损压缩器进行比特列加法。通过符号位嵌入的总线TCL支持有符号2的补码MAC操作，并利用阶段式使能电路减少加法器不必要的翻转，提升能效42%。该CIM宏在INT8和BF16精度下分别实现了106.85TOPS/W和77.68TFLOPS/W的能效。
▸提出基于转移计数线(TCL)的无损压缩器，用于比特列加法，实现面积高效的位并行计算。
▸在总线TCL中嵌入符号位扩展，支持有符号2的补码MAC操作且面积开销极小。
Xidian University, Xi’an, China
ISSCC 2025Session 5RF & Wireless
A 21-to-31GHz DPD-less Quadrature RFDAC with Invariant Impedance and Scalable LO Leakage
Huizhen Jenny Qian, Wubo Qin, Chenxi Qiu, Yintang Yang
本文提出了一种21-31GHz无数字预失真（DPD-less）正交射频数模转换器（RFDAC），通过不变阻抗和可缩放LO泄漏技术解决毫米波频率下RFDAC非线性问题，提升发射机线性度。
▸提出不变输出阻抗技术，使单元阵列阻抗不随基带码变化，改善毫米波线性度。
▸实现可缩放LO泄漏，支持灵活配置以优化发射机性能。
Xidian University, Xi’an, China