← 返回论文列表 📄 下载原文 PDF  ISSCC 2010 · 19.6
ISSCC 2010Session 19 · HIGH-PERFORMANCE EMBEDDED MEMORYMemory

PVT-and-Aging Adaptive Wordline Boosting for 8T SRAM Power Reduction

⚡ 本页包含 AI 生成的分析内容,仅供参考

📋 论文概要

提出一种针对8T SRAM的PVT和老化自适应字线升压技术,用于降低功耗。通过动态调整字线电压,补偿工艺、电压、温度变化及老化效应,在保持性能的同时减少功耗。

💡 主要创新点

重要性
发表年份
ISSCC 2010

🏷 关键词

8T SRAM字线升压功耗降低PVT自适应老化补偿

📄 原文摘要

19.6.1) is commonly used in single-VCC microprocessor core for its performance critical low-level caches and multi-ported register-file arrays

👥 作者与机构

Arijit Raychowdhury, Bibiche Geuskens, Jaydeep Kulkarni,

Jim Tschanz, Keith Bowman, Tanay Karnik, Shih-Lien Lu, Vivek De, Muhammad M Khellah Intel, Hillsboro, OR 8T SRAM cell (Fig

分类:Memory · 年份:ISSCC 2010