A 56Gb/s 300mW Silicon-Photonics Transmitter in 3D-Integrated PIC25G and 55nm BiCMOS Technologies

📋 论文概要

该论文提出了一种采用3D集成技术将硅光子器件与55nm BiCMOS电子电路集成的56Gb/s发射机，解决了数据中心高带宽互连中的功耗效率问题。通过优化光子和电子器件的协同设计，实现了300mW功耗下的56Gb/s数据传输。

💡 主要创新点

• 采用3D集成技术将硅光子集成电路（PIC）与BiCMOS电子电路集成，实现了50Gbaud信号速率的高效光发射。
• 在55nm BiCMOS工艺中设计了低功耗驱动器，与硅光子调制器协同优化，达到300mW功耗下56Gb/s的速率。

🏷 关键词

📄 原文摘要

STMicroelectronics, Pavia, Italy, 2University of Pavia, Pavia, Italy 1 The ever-increasing data center IP traffic, up to 8.6 zettabytes per year by 2018 with nearly 3× growth since 2013 [1], requires power-efficient high-speed interconnects. Next generation optical interfaces will adopt 50Gbaud signaling

👥 作者与机构

Enrico Temporiti1, Gabriele Minoia1, Matteo Repossi1,

Daniele Baldi1, Andrea Ghilioni2, Francesco Svelto2