A 6.2 GHz Single Ended Current Sense Amplifier (CSA) Based Compileable 8T SRAM in 7nm FinFET Technology

📋 论文概要

本文提出了一种基于单端电流检测放大器（CSA）的可编译8T SRAM，采用7nm FinFET工艺，工作频率达6.2 GHz。该设计利用多米诺读操作，实现了小面积和高性能的嵌入式存储器，解决了传统SRAM在高速与面积之间的权衡问题。

💡 主要创新点

• 采用单端电流检测放大器（CSA）替代传统电压型读出放大器，显著提升读取速度并降低功耗。
• 提出可编译的8T SRAM架构，支持灵活配置以适应不同应用需求，同时保持6.2 GHz的高频操作。
• 在7nm FinFET工艺中实现，利用先进工艺节点优化面积和性能，适用于高性能嵌入式系统。

🏷 关键词

📄 原文摘要

Uma Srinivasan1, Matthew Hyde3, Otto Torreiter1, Michael Kugel1, Dan Radko3, Hyong Kim3, Daniel Friedman2 IBM, Boeblingen, Germany IBM Research, Yorktown Heights, NY 3 IBM, Poughkeepsie, NY 1 2 8T SRAM, using domino read, is preferred for small-size and high-performance arrays

👥 作者与机构

Alexander Fritsch1, Rajiv Joshi2, Sudipto Chakraborty2, Holger Wetter1,