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STMicroelectronics

10 篇

ISSCC 2026Session 17Other16nm FinFET
G. Desoli1, J-F. Agaësse2, N. Chawla3, E. Hilkens2, T. Boesch4, V. Taufour2, M. Ayodhyawasi3, P. Ravenhill2, S. Pal-Sing
本文介绍了STM32N6微控制器,采用16nm FinFET工艺,集成Neural-ART神经网络处理单元,实现高效边缘AI推理。该芯片面向物联网、可穿戴、工业自动化和智能家居等场景,解决了边缘设备对实时、低功耗AI处理的需求,同时减少延迟和云依赖。
集成Neural-ART神经网络处理单元,提供针对边缘AI的高效推理能力。
采用16nm FinFET工艺,在微控制器级别实现了高性能与低功耗的平衡。
ISSCC 2015Session 13RF & Wireless65nm CMOS
Camilo Salazar1,2,3, Andreas Kaiser3, Andreia Cathelin1, Jan Rabaey2
本文提出了一种采用双IF多N路径架构的2.4GHz唤醒接收器,在65nm CMOS工艺中实现,解决了低功耗无线传感器网络中的高灵敏度与干扰抑制问题。该接收器在0.5V单电源下实现了-97dBm的灵敏度(10kb/s,10^-3 BER),具有低数据速率和强干扰耐受能力。
采用双IF多N路径架构,在实现高灵敏度(-97dBm)的同时增强了干扰抑制能力。
工作在0.5V低电压下,实现了超低功耗的唤醒接收器设计。
ISSCC 2014Session 22Data Converters28nm UTBB FDSOI
Stéphane Le Tual1, Pratap Narayan Singh2, Christophe Curis3, Pierre Dautriche1
该论文实现了一个20GHz带宽、6位分辨率、10GS/s采样率、功耗32mW的时间交织SAR ADC,采用主从跟踪保持结构,在28nm UTBB FDSOI工艺上制造,实现了极小的芯片面积(0.009mm²),适用于高速数据通信。
采用主从跟踪保持(Master T&H)结构,简化时间交织SAR ADC的时序约束,提升高速性能。
在28nm UTBB FDSOI工艺中实现极低功耗(32mW)和极小面积(每SAR 0.0007mm²),通过软聚合物基板和短压焊线优化封装。
ISSCC 2014Session 17Analog Circuits
Patrik Arnò1, Matthieu Thomas2,3, Vladimír Molata2,3, Tomáš Jeřábek2
论文提出了一种用于多模发射机的包络调制器,采用交流耦合多级稳压器结构,以解决现代无线通信系统(如HSUPA/LTE)中高峰均比信号导致的功率放大器效率低下的问题,从而实现高效的包络跟踪(ET)技术。
采用交流耦合多级稳压器代替传统线性稳压器,提高包络调制器的效率和带宽。
通过多级稳压器结构实现多模发射机对不同调制信号的兼容性,无需额外切换电路。
ISSCC 2012Session 21Analog Circuits65nm CMOS
Fawzi Houfaf1,2,3, Mathieu Egot1, Andreas Kaiser2, Andreia Cathelin1, Bram Nauta3
该论文提出了一种在65nm CMOS工艺中实现的1至10GHz可调连续时间低通滤波器,采用Gm-C拓扑结构,解决了高频通信应用中滤波器截止频率不足的问题,实现了目前已知最高的截止频率。
实现了1至10GHz的宽范围可调截止频率,为当时最高报告值。
采用Gm-C拓扑结构,并针对高频下极点对Q因子精度进行了优化,保证了传输函数的准确性。
ISSCC 2012Session 1Plenary
Senior Executive VP, Industrial and Multisegment General Manager,
本文探讨了半导体技术在应对全球能源挑战中的关键作用,分析了照明、电机、电源管理等领域的节能潜力,并展望了未来发展方向。
指出半导体技术是提高能源效率的关键驱动力,通过智能功率管理、LED照明等实现节能。
分析了不同应用领域(如电机控制、电源转换)的节能潜力,并提出了系统级优化方案。
ISSCC 2009Session 14Digital Circuits65nm CMOS
P. Busson1, N. Chawla2, J. Bach1, S. Le Tual1, H. Singh2, V. Gupta2, P. Urard1
该论文提出了一种基于65nm CMOS收发器的1GHz数字信道复用器,用于卫星室外单元(ODU)以简化多LNB和多调谐器连接。通过电气仿真和时序特性分析,验证了模拟与数字部分在1GHz下的正确同步。
提出了一种1GHz数字信道复用器架构,支持卫星室外单元的多信道复用。
通过详细的时序特性提取和约束驱动数字实现,确保了高速模拟与数字部分的同步。
ISSCC 2008Session 31RF & Wireless
Vincent Pinon, Frédéric Hasbani, Alexandre Giry, Denis Pache, Christophe Garnier
本文提出了一种单芯片WCDMA包络重建LDMOS功率放大器,采用极坐标架构,将射频相位信号通过饱和PA放大,并由高效率宽带低失真开关模式电源(SMPS)调制包络,以满足WCDMA噪声和带宽要求。通过集成2线圈SMPS和数字预失真或辅助线路方案,解决了传统线性PA效率低的问题。
首次实现了单芯片集成的WCDMA包络重建PA与130MHz开关模式电源,减少了分立元件。
采用2线圈SMPS配合数字预失真,或辅助线路方案,有效满足WCDMA的噪声和带宽要求。
ISSCC 2008Session 16Digital Circuits
P. Urard1, L. Paumier2, V. Heinrich1, N. Raina3, N. Chawla3, 1
该论文提出了一款符合DVB-S2标准的低功耗编解码器,基于64800比特LDPC和BCH码,实现了360mW功耗和105Mb/s数据率。解决了此前长LDPC码功耗过高(800mW-1020mW)而无法用于便携设备的问题。
实现了DVB-S2标准下业界最低功耗(360mW)的编解码器,相比此前方案功耗降低超过50%。
首次将长LDPC码(64800b)用于便携设备,通过架构与电路级优化突破功耗瓶颈。
ISSCC 2008Session 12Data Converters65nm CMOS
Mounir Boulemnakher, Eric Andre, Jocelyn Roux, Frederic Paillardet
该论文实现了一款1.2V供电、4.5mW功耗的10位100MS/s流水线ADC,采用65nm CMOS工艺,适用于WiFi/WiMAX等宽带无线应用,解决了低电压下高精度低功耗转换的难题。
在65nm CMOS工艺中采用1.2V低电压设计,实现了100MS/s采样率和10位分辨率,功耗仅4.5mW
通过优化流水线级架构和低功耗电路技术(如动态比较器、低摆幅放大器),在保持精度的同时显著降低功耗