ISSCC 2014Session 14mm-Wave65nm CMOS
该论文提出了一款工作在247至263.5GHz的压控振荡器(VCO)，采用65nm体硅CMOS工艺，实现了2.6mW的峰值输出功率和1.14%的直流到射频效率。通过创新的电路设计克服了CMOS器件fmax不足的限制，为太赫兹频段信号生成提供了低成本、高集成度的解决方案。
▸采用谐波振荡器结构，利用晶体管非线性产生高频信号，突破了CMOS器件fmax的限制。
▸通过优化谐振网络和输出匹配网络，在247-263.5GHz频段实现了2.6mW的峰值输出功率和1.14%的直流到射频效率。
ISSCC 2014Session 14mm-Wave65nm bulk CMOS
该论文提出了一种可扩展的太赫兹二维相控阵架构，在65nm bulk CMOS工艺中实现了338GHz的相干功率合成，解决了太赫兹频段片上功率产生和传输的难题。最终实现了+17dBm的等效各向同性辐射功率（EIRP），为高分辨率成像和光谱学应用提供了CMOS集成方案。
▸提出可扩展的二维相控阵架构，在太赫兹频段实现多个源的相干功率合成，有效提升辐射功率。
▸在65nm bulk CMOS中实现338GHz的振荡和辐射，突破了器件fmax限制，展示了CMOS工艺在太赫兹频段的潜力。
ISSCC 2013Session 8mm-Wave65nm CMOS
A 260GHz Broadband Source with 1.1mW Continuous-Wave Radiated Power and EIRP of 15.7dBm in 65nm CMOS
本文提出了一种在65nm CMOS工艺中实现的260GHz宽带辐射源，实现了1.1mW连续波辐射功率和15.7dBm等效全向辐射功率(EIRP)。解决了现有CMOS太赫兹源带宽不足的问题，适用于便携式太赫兹光谱系统。
▸采用宽带设计技术，在260GHz频段实现了比传统CMOS源更宽的调谐范围（具体带宽未在摘要中给出，但目标是宽带）。
▸实现了较高的辐射功率（1.1mW）和EIRP（15.7dBm），为CMOS太赫兹源在光谱成像等应用中提供足够输出。
ISSCC 2012Session 15mm-Wave
Sub-mm-Wave and terahertz frequencies have many applications such as medical imaging, spectroscopy and communication systems. CMOS signal generation at this frequency range is a major challenge due to
ISSCC 2011Session 23Image Sensors
该论文提出了一种角度敏感的CMOS图像传感器，通过单传感器实现3D摄影，解决了传统相机需要扫描焦点或使用多相机阵列才能获取3D信息的问题。
▸设计了一种角度敏感像素结构，能够同时捕获光线的强度和入射角度信息。
▸利用单传感器实现3D深度感知，无需机械扫描或多相机阵列，降低了系统复杂度和成本。
ISSCC 2011Session 16mm-Wave65nm CMOS
该论文提出了一种工作在220-275GHz的行波倍频器，采用65nm CMOS工艺实现，在244GHz处输出功率为-6.6dBm。它通过分布式结构克服了传统CMOS倍频器在高频段输出功率低和调谐范围窄的问题，为太赫兹信号源提供了新的解决方案。
▸提出行波倍频器结构，利用分布式设计实现宽频带和高输出功率。
▸在65nm CMOS工艺中实现了220-275GHz的工作频率，突破了传统CMOS倍频器的高频限制。