机构

Nanyang Technological University

8 篇

ISSCC 2023Session 17Data Converters
Qian Chen1, Yuan Liang*1, Chirn Chye Boon1, Qing Liu2
提出了一种单通道10GS/s 8位时间域ADC,采用循环展开异步逐次逼近技术,解决了多比特决策等待时间长的问题,实现了>36.4dB SNDR。
提出循环展开异步逐次逼近技术,减少多比特决策的等待时间,提升时间域ADC的速度。
在单通道架构下实现10GS/s采样率,兼顾能量效率和面积效率。
ISSCC 2022Session 16Digital Circuits
Yuqi Su1, Tony Tae-Hyoung Kim1, Bongjin Kim2
本文提出FlexSpin,一种可扩展的CMOS Ising机,集成256个灵活自旋处理单元(PE),通过旁路机制实现任意自旋交互,并利用多自旋每PE和片内缓冲器架构支持大规模扩展,用于高效解决复杂组合优化问题。
提出灵活的自旋处理单元,支持任意自旋交互的旁路机制,突破传统晶格拓扑限制。
设计可扩展架构,通过多自旋映射每PE和片内缓冲器,实现256 PE的高效集成与级联。
ISSCC 2021Session 9Digital Processors
Yuncheng Lu1, Van Loi Le2, Tony Tae-Hyoung Kim1
本文提出了一种用于智能可穿戴设备的实时手势识别系统,采用混合小分类器架构,实现了184µW的超低功耗。解决了现有视觉手势识别系统功耗高、精度低和灵活性差的问题。
提出混合小分类器(Hybrid Tiny Classifiers)架构,结合多种轻量级分类器实现高效手势识别。
实现184µW超低功耗的实时手势识别,适用于电池供电的可穿戴设备。
ISSCC 2021Session 29Digital Circuits
Junjie Mu1, Bongjin Kim1,2
该论文提出了一种21×21动态精度位串行计算图加速器,用于使用有限差分法求解偏微分方程。通过动态精度和位串行计算,解决了传统求解器高精度迭代计算效率低的问题。
采用动态精度的位串行计算图架构,根据计算需求动态调整精度,提高能效。
构建21×21的加速器阵列,专门针对有限差分法的迭代计算进行优化。
ISSCC 2020Session 31AI / ML
Yuqi Su*, Hyunjoon Kim*, Bongjin Kim
该论文提出了一种基于数字计算内存(Compute-In-Memory)自旋算子的可扩展退火处理器CIM-Spin,用于解决组合优化问题。通过利用Ising模型的收敛特性和量子隧穿效应,实现了在0.5V至1.2V宽电压范围内的有效退火计算。
采用数字计算内存自旋算子(Digital Compute-In-Memory Spin Operators),将计算与存储融合以提高能效。
提出可扩展的退火处理器架构,支持宽电压范围(0.5-1.2V)工作,适应不同性能需求。
ISSCC 2013Session 4Wireless
Kin Wai Roy Chew, Zhuochao Sun, Howard Tang, Liter Siek
本文提出一款400nW单电感双输入三输出DC-DC升降压转换器,集成最大功率点跟踪功能,专为室内光伏能量收集设计。解决了室内低光环境下光伏电池输出功率变化大、需要高效能量管理的问题。
实现400nW超低功耗的单电感双输入三输出DC-DC转换器,支持两个输入源(如光伏和备用电池)和三个输出轨。
集成最大功率点跟踪(MPPT)算法,适应室内光照变化,提高能量收集效率。
ISSCC 2013Session 20Clocking & PLLs65nm CMOS
Xiang Yi, Chirn Chye Boon, Hang Liu, Jia Fu Lin, Jian Cheng Ong, Wei Meng Lim
该论文提出了一种基于同相注入耦合正交VCO(QVCO)的57.9-68.3GHz频率合成器,采用65nm CMOS工艺,功耗仅24.6mW。解决了毫米波频段正交LO信号生成困难、传统方法功耗高或难以实现的问题。
提出同相注入耦合QVCO结构,在毫米波频段实现低功耗、宽调谐范围的正交信号生成。
通过注入锁定技术改善相位噪声和正交精度,无需额外分频器或RC滤波器。
ISSCC 2012Session 15mm-Wave0.13µm SiGe BiCMOS
Yong Wang1,2, Wang Ling Goh1, Yong-Zhong Xiong2,3
提出了一种基于相位控制的push-push四倍频器,在121-137GHz频段实现9%的功率效率,可用于高频信号源生成。解决了高数据率短距离通信和成像系统中对纯净稳定信号源的需求。
采用相位控制的push-push结构实现高效的频率四倍频,工作频率超过100GHz。
在0.13µm SiGe BiCMOS工艺上实现了9%的功率效率,覆盖121-137GHz宽带。