ISSCC 2026Session 5mm-Wave
本论文提出了一种28GHz防窃听发射机，通过频率分集子阵列、秘密相位键和天线子集调制，首次同时防御主瓣和离轴窃听者。合法接收机的接收质量几乎不受影响（EVM约6%），而直流功耗仅比标准相控阵发射机增加2%。
▸首次同时防御主瓣和离轴窃听者，突破传统仅考虑离轴窃听的局限
▸结合频率分集子阵列、秘密相位键和天线子集调制三种技术，实现高度加扰的星座图
ISSCC 2016Session 16Other32nm CMOS
该论文提出了一种基于32nm CMOS的纳米间隙换能器阵列，用于电化学DNA测序。芯片集成了8个32×32像素阵列，共8192个感测点，通过行译码器和列并行ADC实现高效读出，解决了高密度传感器读出和生物检测的集成问题。
▸在32nm CMOS工艺上集成了纳米间隙换能器阵列，实现了高密度电化学DNA测序感测。
▸采用类似图像传感器的架构，利用行译码器和列并行ADC进行高效读出，并集成了带隙基准和可编程电流源等偏置电路。
ISSCC 2014Session 30Other
该论文提出了一种基于有机晶体管的柔性湿传感器片，能够承受2kV ESD，用于生物医学应用（如尿湿检测），并支持无线供电。通过RC振荡器频率变化检测干/湿状态，实现了多传感器复用和无线数据传输。
▸首次实现有机晶体管柔性传感器片具有2kV ESD耐受性，适用于生物医学环境。
▸采用伪CMOS反相器构成的RC振荡器，通过频率变化检测湿状态，并支持无线供电和复用。
ISSCC 2011Session 3RF & Wireless32nm CMOS
该论文提出了一款2.5GHz全差分CMOS推挽LNA，集成了34dBm的T/R开关和ESD保护，在32nm工艺下实现了0.35mm²的小面积、3.5dB的低噪声系数和-5dBm的P1dB线性度。解决了SoC集成中射频前端的高线性度、低噪声和低成本问题。
▸采用全差分推挽结构实现高线性度和低噪声，同时集成T/R开关和ESD保护，无需额外电感。
▸利用先进CMOS工艺的过剩fT，实现电感器调谐LNA以改善带外抑制，并简化与T/R开关的集成。
ISSCC 2009Session 22RF & Wireless45nm LP CMOS
本文在数字45nm低功耗CMOS工艺中设计并实现了50-67GHz的ESD保护功率放大器，解决了先进数字CMOS工艺中后端互连层薄导致无源器件Q值低、以及需要集成ESD保护的挑战，展示了该工艺用于60GHz无线通信收发器的可行性。
▸在45nm数字低功耗CMOS中实现了宽带（50-67GHz）的功率放大器，充分利用了该工艺的高ft特性。
▸集成了ESD保护结构，同时保持射频性能，解决了毫米波频段ESD保护的难题。
ISSCC 2008Session 9mm-Wave0.13µm CMOS
该论文在0.13µm CMOS工艺上设计了一款18GHz低噪声放大器，集成了2kV ESD保护，实现了4dB的噪声系数。解决了高频段无线通信中对ESD保护和低噪声性能的需求。
▸在0.13µm CMOS工艺中成功实现了18GHz的LNA设计，并集成了2kV的ESD保护电路。
▸实现了4dB的低噪声系数，同时保持了良好的增益和线性度。