ISSCC 2009Session 29mm-Wave45nm CMOS
该论文实现了一个完全集成的57-66GHz正交锁相环（PLL），采用45nm数字CMOS工艺，通过两种技术解决了毫米波PLL调谐范围不足的问题，覆盖了60GHz频段的世界联合频段。
▸采用两种技术实现宽调谐范围：一是改进的压控振荡器（VCO）设计以克服60GHz下变容管调谐能力有限的问题，二是设计具有宽锁定范围的高频预分频器。
▸在45nm数字CMOS工艺上实现了完全集成的毫米波PLL，覆盖57-66GHz频段，满足高数据速率通信需求。
ISSCC 2009Session 29mm-Wave45nm CMOS
该论文提出了一个工作在57-66GHz的紧凑型直接下变频前端，采用45nm数字CMOS工艺，实现了全数字控制、低功耗和低1/f噪声，适用于相控阵系统。
▸采用全数字控制方式，无需外部偏置电压，简化了系统集成
▸在45nm数字CMOS工艺上实现了150×150µm²的紧凑面积和低功耗
ISSCC 2009Session 17Sensors
Integrated Capacitive Power-Management Circuit for Thermal Harvesters with Output Power 10 to 1000µW
该论文提出了一种用于热能量采集器的集成电容式功率管理电路，能够处理10至1000微瓦的输出功率范围。通过可变转换因子的DC/DC转换器和控制器，解决了热电发电机因环境变化导致的功率和电压波动问题，实现了能量的有效存储和管理。
▸采用电容式功率管理架构，实现了宽功率范围（10-1000µW）的高效能量转换。
▸集成了可变转换因子的DC/DC转换器和自适应控制器，能够动态适应热电发电机的输出变化。
ISSCC 2008Session 9mm-Wave90nm CMOS
该论文提出了一种在90nm数字CMOS工艺中实现的52GHz相控阵接收机前端，通过在LO路径进行移相来减少高频信号在CMOS衬底上的长距离布线，从而解决损耗和匹配问题，并实现低面积和低功耗的波束赋形。
▸在LO路径实现移相，避免了高频信号在CMOS衬底上的长距离布线，减少了损耗和匹配问题。
▸采用90nm数字CMOS工艺实现了52GHz的相控阵接收机前端，兼顾了低面积和低功耗。
ISSCC 2008Session 29Other45nm CMOS
该论文提出了一种在45nm CMOS工艺中利用Above-IC技术（后处理高Q电感）实现的低功耗VCO，通过将VCO完全布局在电感下方并采用两层屏蔽实现3D集成，在400µW功耗下实现了4.7-6.4GHz的频率调谐范围。
▸采用Above-IC技术（5μm电镀铜层+18μm低K BCB介质）实现高Q电感，降低VCO功耗。
▸将VCO有源电路完全布局在电感下方，利用CMOS后道顶层两层屏蔽实现3D集成，节省芯片面积。
ISSCC 2008Session 17Other90nm CMOS
本文提出一种在90nm数字CMOS工艺中实现单电感双频VCO的多频前端，面积仅0.06mm²，工作频率5.6GHz。解决了多频段接收机中VCO占用面积大和相位噪声要求之间的矛盾。
▸使用单电感结构实现双频段VCO，大幅减小了电感占据的芯片面积
▸在标准数字CMOS工艺中实现高性能多频前端，适应低成本集成需求
ISSCC 2008Session 15Power Management
Capacitive Power-Management Circuit for Micropower Thermoelectric Generators with a 2.1µW Controller
本文提出了一种用于微功率热电发电机的电容式电源管理电路，其控制器功耗仅为2.1µW，解决了在变化热条件下实现最大功率点跟踪的难题，从而减小电源整体尺寸并提高能量采集效率。
▸采用电容式结构进行电源管理，避免了电感器件，适合低功耗应用
▸超低功耗控制器（2.1µW）实现最大功率点跟踪，适应热电发电机输出电压和功率的波动
ISSCC 2008Session 12Data Converters90nm CMOS
该论文提出了一种采用比较器异步二进制搜索子ADC的两步7位ADC，在90nm数字CMOS工艺下实现了150MS/s的采样率，功耗仅133µW，解决了中高速、中低分辨率ADC能效提升的问题。
▸提出比较器异步二进制搜索（CABS）架构，通过异步比较器链实现快速逐次逼近，无需传统SAR逻辑和时钟控制，显著降低功耗。
▸采用两步转换结构，先进行1位粗比较和D/A转换，再进行6位CABS细转换，在保持高速的同时优化了能效。