ISSCC 2025Session 4Analog Circuits22nm FDSOI
该论文提出了一种12.8GS/s的亚采样ADC前端，在22nm FDSOI工艺下实现了38GHz输入带宽和>39dB SNDR，覆盖1-32GHz频率范围。解决了毫米波RF采样中高频前端带宽与信号保真度的挑战，支持X波段到Ka波段的多通道灵活接收。
▸采用亚采样架构实现12.8GS/s高速率与38GHz宽带输入，兼顾低复杂度与高信号纯度。
▸在22nm FDSOI工艺上优化前端设计，在1-32GHz范围内保持>39dB SNDR，满足多频段RF采样需求。
ISSCC 2024Session 5Wireless
本文提出了一种堆叠混频器优先接收机，通过创新的堆叠结构实现了大于20dBm的邻道IIP3，同时功耗低于25mW，解决了传统混频器优先接收机噪声性能差的问题。
▸采用堆叠混频器结构，在不增加功耗的前提下显著提升了线性度，实现了>20dBm的邻道IIP3。
▸通过优化接收机架构，在保持低功耗（<25mW）的同时改善了噪声系数，克服了传统混频器优先接收机的噪声瓶颈。
ISSCC 2020Session 30Wireless
该论文提出了一种低功耗多标准接收机前端，通过模拟有限脉冲响应（AFIR）滤波器实现陡峭的通道选择，解决了传统低功耗接收机干扰抑制能力不足的问题。该接收机兼容BLE/BT5.0/IEEE 802.15.4标准，在370µW功耗下实现了5.5dB噪声系数和>63dB的邻道抑制（>2信道偏移）。
▸采用模拟有限脉冲响应（AFIR）滤波器实现陡峭的通道选择，在低功耗下提供高干扰抑制。
▸在370µW超低功耗下实现5.5dB噪声系数和>63dB邻道抑制，满足多标准IoT应用需求。
ISSCC 2017Session 24Wireless
该论文提出了一种高线性度CMOS接收机，通过结合隔离器和片上滤波技术，实现了无SAW滤波器的LTE无线电接收，解决了多频段SAW滤波器带来的复杂性问题。接收机达到了+44dBm IIP3和+13dBm B1dB，能够处理高达+10dBm的TX泄漏和-15dBm的带外阻塞信号。
▸提出将隔离器与片上滤波相结合，替代传统SAW滤波器，支持多频段操作。
▸实现了极高的线性度（+44dBm IIP3和+13dBm B1dB），满足无SAW LTE接收机对强带外干扰的抑制需求。
ISSCC 2016Session 26Wireless
该论文提出了一种超低功耗接收机，采用传输参考和移位限幅器技术，以增强对带内干扰的抵抗能力，解决了无线传感器节点在ISM频段共存干扰下的设计难题。
▸提出传输参考架构，避免使用高功耗的本地振荡器，降低功耗并减少相位噪声引起的互调干扰。
▸采用移位限幅器技术，有效抑制带内强干扰，提升接收机在恶劣环境下的线性度和鲁棒性。
ISSCC 2015Session 19Wireless
本文提出一种用于带内全双工无线通信的自干扰抵消接收机，解决了发射机泄露到接收机的强自干扰问题。该接收机在抵消强干扰的同时实现了低失真特性，从而支持同时同频的全双工通信。
▸提出一种新型自干扰抵消架构，能够在接收机前端高效抑制来自发射机的强干扰信号。
▸通过优化电路设计，在强干扰抵消过程中保持低失真，提升接收机线性度和动态范围。
ISSCC 2015Session 15Data Converters
该论文提出了一种具有115dB动态范围和-61dBFS带外噪声的音频DAC，解决了带外噪声引起的放大器摆率、混叠以及交叉调制等问题，从而改善了音频带内的噪声和失真性能。
▸通过创新的电路设计有效抑制了音频DAC的带外噪声，使其达到-61dBFS，避免了带外噪声对后续模拟电路的不良影响。
▸实现了115dB的高动态范围，同时保持了低失真和低噪声，适用于高性能音频应用。
ISSCC 2014Session 17Analog Circuits
本文提出了一种集成80V 45W的D类功率放大器，通过最优效率跟踪的开关频率调节技术，在全输出功率范围内实现高效率。主要解决了压电致动器驱动中高压大功率放大器效率随输出功率变化而下降的问题。
▸提出最优效率跟踪的开关频率调节技术，动态调整开关频率以在不同输出功率下保持最高效率
▸实现了集成化的80V高压CMOS D类功率放大器，功率达到45W
ISSCC 2013Session 5RF & Wireless
该论文提出了一种在天线输入端同时实现空间和频域滤波的技术，旨在提高多天线收发器的线性度。通过全无源开关电容网络，实现了高达+10dBm的带外/波束外输入参考1dB压缩点（P1dB），显著改善了传统方案的线性度与噪声折中。
▸首次将空间滤波和频域滤波结合在天线输入端，同时实现波束选择和频率选择，提高带外/波束外线性度。
▸采用全无源开关电容网络，避免了有源器件的非线性，使P1dB达到+10dBm，同时保持较低的噪声系数。
ISSCC 2013Session 10Analog Circuits
该论文提出了一种基于N-path结构的可调谐6阶信道选择滤波器，工作频率范围为0.1-1.2GHz，实现了0.6dB的低通带纹波和+7dBm的高阻塞容限。解决了传统gm-C滤波器在动态范围、功耗、品质因数和中心频率之间的严格折衷问题，适用于鲁棒的无线接收机。
▸首次实现6阶N-path带通滤波器结构，支持0.1-1.2GHz宽范围调谐，突破传统gm-C滤波器的性能限制。
▸在保持低通带纹波（0.6dB）的同时，实现了+7dBm的带外阻塞容限，显著提高了接收机对强干扰的耐受能力。
ISSCC 2012Session 9Wireless65nm CMOS
该论文提出了一种工作于1.5-5.0GHz的全无源开关电容波束形成接收机前端，实现了输入匹配和+2dBm的P1dB。通过LO域移相和开关电容求和，解决了相控阵接收机中波束形成前线性度瓶颈的问题，提升了干扰抑制能力。
▸采用全无源开关电容结构实现波束形成，避免了有源电路的非线性，显著提高了接收机前端的线性度。
▸在LO域进行相位调整，简化了信号路径，降低了功耗和电路复杂度。
ISSCC 2012Session 4RF & Wireless
该论文提出了一种基于gm-RC全通时延单元的相控阵接收机芯片，工作频率1-2.5GHz，实现了紧凑的真延时（而非相位偏移）以避免宽带波束斜视。解决了传统相控阵在宽扫描角和瞬时带宽下因近似相位延时导致的波束畸变问题，适用于合成孔径雷达等应用。
▸采用gm-RC全通时延单元实现宽带真延时，替代传统相位偏移方法，有效消除波束斜视。
▸在标准CMOS工艺中紧凑集成了多通道相控阵接收机，降低了面积和成本。
ISSCC 2012Session 4RF & Wireless
该论文提出了一种用于CMOS衰减器的宽频带三阶交调（IM3）抵消技术，旨在提高衰减器的线性度和功率处理能力。通过设计新的电路结构，在宽频带范围内有效抑制IM3失真，改善了衰减器在大信号下的性能。
▸提出了一种宽频带IM3抵消技术，能够在较宽的频率范围内有效抑制三阶交调失真。
▸该技术适用于CMOS衰减器，与传统的自适应自举体偏置等方法相比，实现了更好的线性度提升。
ISSCC 2012Session 4RF & Wireless
该论文提出了一种8路径可调射频陷波滤波器，用于抑制强干扰信号，解决多频段、软件定义或认知无线电收发器中固定滤波器无法调谐的问题。通过频率转换滤波技术，实现了高Q值和可调谐性，有效抑制0dBm级别的阻塞信号。
▸提出8路径可调射频陷波滤波器结构，利用频率转换实现高Q值和可调谐性。
▸通过多路径相位组合技术，在保持低功耗的同时实现强阻塞抑制能力。
ISSCC 2012Session 21Analog Circuits0.16µm CMOS
该论文提出了一种适用于1.1V电源电压的0.0025mm²带隙电压基准电路，采用标准0.16µm CMOS工艺，解决了深亚微米技术中电源电压接近材料带隙时经典带隙结构无法使用的问题。
▸提出了一种面积仅为0.0025mm²的紧凑型带隙电压基准电路，适用于低电压应用。
▸实现了在-100°C低温下仍能稳定输出约900mV的参考电压，扩展了工作温度范围。
ISSCC 2012Session 21Analog Circuits
该论文提出了一种0.3至1.2GHz可调谐的4阶开关gm-C带通滤波器，用于替代可重构接收机中笨重且不可调谐的SAW/BAW滤波器。通过开关gm-C技术实现了>55dB的最终抑制和+2dBm的带外IIP3，解决了片上滤波器调谐范围有限和线性度不足的问题。
▸采用开关gm-C技术实现4阶带通滤波器，避免了电感的使用，支持工艺缩放和宽调谐范围。
▸实现了0.3-1.2GHz的连续可调谐中心频率，同时保持>55dB的带外抑制和+2dBm的带外IIP3，兼顾了高选择性和高线性度。
ISSCC 2009Session 19Analog Circuits32nm SOI FinFET
该论文提出了一种在32nm SOI FinFET工艺中实现的亚1V带隙电压基准电路，解决了传统二极管和电阻在薄SOI层中无法实现的问题。通过采用新型电路结构，成功在FinFET技术中实现了低电压带隙基准。
▸针对FinFET工艺中无法使用传统二极管和电阻的问题，提出了替代的电路设计方案。
▸在32nm SOI FinFET工艺中首次实现了亚1V带隙电压基准，验证了该工艺在模拟电路中的可行性。
ISSCC 2009Session 12RF & Wireless
该论文提出了一种400-900 MHz的宽带宽直接变频谐波抑制接收机，采用双域谐波抑制和自适应干扰消除技术，旨在解决传统谐波抑制方案因幅度和相位失配导致抑制能力有限（30-40dB）的问题，实现了60-100dB所需的高谐波抑制，以应对强干扰并将谐波响应降至噪声基底。
▸提出双域谐波抑制技术，结合模拟和数字域处理以提高谐波抑制性能。
▸采用自适应干扰消除机制，动态校正幅度和相位失配，实现更高的谐波抑制比。
ISSCC 2009Session 12RF & Wireless
该论文提出了一种对带外干扰具有鲁棒性的软件无线电接收机架构，通过谐波抑制混频器等技术减少带外干扰引起的问题。解决了传统SDR接收机因减少射频滤波而面临的阻塞、谐波混频等干扰难题。
▸提出了一种基于谐波抑制混频器的接收机架构，有效抑制LO谐波带来的干扰混频。
▸设计了抗阻塞的宽频LNA与混频器协同工作，降低带外大信号对接收机的影响。
ISSCC 2009Session 12RF & Wireless65nm CMOS
该论文提出了一种无LNA的65nm CMOS接收机架构，工作在0.2-2.0GHz频段，通过优化线性度和噪声性能实现了大于11dBm的IIP3和小于6.5dB的噪声系数，从而显著提升了接收机的无杂散动态范围(SFDR)。
▸创新性地采用无LNA的接收机结构，避免了传统LNA带来的非线性失真，在低电压下实现了高线性度。
▸提出了一种宽带匹配技术，覆盖0.2-2.0GHz频率范围，同时保持低噪声和高IIP3性能。
ISSCC 2008Session 29Othersubmicron CMOS
该论文提出了一种数字检测氧化物击穿的方法，并实现了亚微米CMOS技术中晶体管的寿命延长。解决了高压模拟电路因可靠性问题导致的寿命缩短和效率降低的问题。
▸提出了一种数字检测氧化物退化的技术，能够实时监控晶体管的老化状态。
▸通过检测到的退化信息动态调整工作条件，从而延长高压模拟电路的寿命。
ISSCC 2008Session 17Other
该论文提出了一种离散时间混频接收机架构，通过宽带谐波抑制技术解决了传统采样器在宽带软件定义无线电中转换增益随频率变化的问题。该架构结合了离散时间信号处理，适用于先进CMOS工艺。
▸提出了一种离散时间混频接收机架构，实现了宽带谐波抑制，克服了电荷采样中转换增益与频率成反比的缺点。
▸采用电压采样与离散时间处理相结合的方法，避免了电压采样中的谐波干扰问题。