技术领域

RF & Wireless

362 篇

ISSCC 2008Session 31RF & Wireless
Vincent Pinon, Frédéric Hasbani, Alexandre Giry, Denis Pache, Christophe Garnier
本文提出了一种单芯片WCDMA包络重建LDMOS功率放大器,采用极坐标架构,将射频相位信号通过饱和PA放大,并由高效率宽带低失真开关模式电源(SMPS)调制包络,以满足WCDMA噪声和带宽要求。通过集成2线圈SMPS和数字预失真或辅助线路方案,解决了传统线性PA效率低的问题。
首次实现了单芯片集成的WCDMA包络重建PA与130MHz开关模式电源,减少了分立元件。
采用2线圈SMPS配合数字预失真,或辅助线路方案,有效满足WCDMA的噪声和带宽要求。
ISSCC 2008Session 31RF & Wireless90nm CMOS
Toshihide Suzuki, Yoichi Kawano, Masaru Sato, Tatsuya Hirose, Kazukiyo Joshin
该论文在标准90nm CMOS中实现了60GHz和77GHz功率放大器,解决了毫米波应用中由于晶体管低击穿电压和硅衬底损耗导致的PA集成难题。
首次在标准90nm CMOS中同时实现60GHz和77GHz功率放大器,突破了毫米波PA集成的瓶颈。
通过优化电路设计和匹配网络,克服了高频下衬底损耗和低击穿电压的限制。
ISSCC 2008Session 31RF & Wireless90nm CMOS
Masahiro Tanomura1, Yasuhiro Hamada2, Shuya Kishimoto2,
本文提出了采用90nm标准体CMOS工艺的60GHz频段发射机和接收机前端芯片,采用直接变频架构以实现芯片小型化和宽带宽操作。解决了毫米波频段高速多千兆无线收发器的前端集成问题。
首次在90nm标准体CMOS中实现了60GHz频段的直接变频收发前端,包括PA、VGA、I/Q调制器/解调器等模块的集成。
功率放大器在1.0V低漏极电压下仍能保持良好性能,适用于低功耗毫米波应用。
ISSCC 2008Session 10RF & Wireless65nm CMOS
Andrea Mazzanti1, Marco Sosio2, Matteo Repossi3, Francesco Svelto2, 1
该论文设计了一个24GHz次谐波接收机前端,集成了多相本振生成电路,采用65nm CMOS工艺实现。解决了Ka波段和毫米波接收机中低功耗、高集成度与鲁棒性的权衡问题。
提出次谐波接收机架构,利用多相LO生成降低本振频率要求,减少功耗和复杂度。
在65nm CMOS中集成多相LO生成电路,实现24GHz接收机前端的高集成度。
ISSCC 2008Session 10RF & Wireless0.13µm CMOS
Shouhei Kousai1, Daisuke Miyashita1, Junji Wadatsumi1, Asuka Maki2,
该论文提出了一款工作于0.2至6.3GHz的多模收发机,采用0.13µm CMOS工艺,通过无扼流圈/无线圈的前置功放设计实现了宽频段输出匹配。解决了多模射频前端宽频匹配和高线性度发射的难题,在-3dBm输出时EVM优于-29.5dB。
创新点1:提出无扼流圈/无线圈的前置功放架构,无需显式匹配组件即可实现0.1-6.3GHz宽频匹配。
创新点2:采用宽带输出匹配技术,使S22和S11分别优于-9.5dB和-9.2dB,覆盖0.1-6.3GHz。
ISSCC 2008Session 10RF & Wireless
Ahmad Mirzaei, Hooman Darabi
本文提出了一种集成陷波滤波器的低功耗WCDMA发射机,用于解决FDD系统中发射机泄漏到接收机导致的灵敏度下降问题。通过片上陷波滤波器有效抑制发射机噪声,从而消除了传统上所需的外部SAW滤波器。
集成片上陷波滤波器替代外部SAW滤波器,降低系统成本和体积。
通过低功耗设计技术实现发射机整体功耗的显著降低。
ISSCC 2008Session 10RF & Wireless
Giuseppe Li Puma1, Ernst Kristan1, Paolo De Nicola2, Cyril Vannier3,
该论文提出了一种用于GSM/EDGE的SiP集成方案,将RF收发器与基带通过片上串行接口连接,避免了片外互连,降低了功耗和PCB辐射。接收机采用零中频架构,集成了高动态范围的连续时间ΔΣ ADC,实现了90dB动态范围。
通过片上串行接口实现RF与基带的直接连接,消除了片外互连,降低了功耗和电磁辐射。
采用4阶3位连续时间ΔΣ ADC,在240kHz带宽内达到90dB动态范围,满足N+2邻道干扰抑制需求。
ISSCC 2008Session 10RF & Wireless90nm CMOS
R. B. Staszewski, D. Leipold, O. Eliezer, M. Entezari, K. Muhammad,
本文提出了一种在90纳米数字CMOS工艺下实现的24平方毫米四频单芯片GSM无线电收发器,集成了RF收发器和数字基带处理器,并通过发射机校准解决了模拟电路在先进数字CMOS中的性能退化问题。
首次在90纳米数字CMOS中实现四频GSM单芯片无线电,集成完全数字化的发射机架构。
采用发射机校准技术补偿工艺和温度变化对模拟电路的影响,确保无线电性能。
ISSCC 2008Session 10RF & Wireless0.13μm CMOS
H. Darabi, A. Zolfaghari, H. Jensen, J. Leete, B. Mohammadi, J. Chiu,
该论文介绍了一款完全集成的四频GSM/GPRS/EDGE射频收发器,采用0.13μm CMOS工艺实现。它集成了所有接收和发射功能,在低成本数字CMOS工艺中实现了优于已发表工作的接收和发射性能,且面积减小了约2倍。
首次在0.13μm数字CMOS工艺中实现四频GSM/GPRS/EDGE全集成射频收发器。
通过创新的电路架构和设计技术,在低成本工艺中实现了优于传统方案的接收和发射性能。
ISSCC 2008Session 10RF & Wireless
Edward Keehr, Ali Hajimiri
该论文提出一种均衡技术,用于消除宽带直接变频接收机中的三阶互调(IM3)产物,从而放宽对接收机线性度的要求,并消除对级间SAW滤波器的依赖。通过模拟或数字均衡来抵消IM3失真,实现无SAW滤波器的接收机架构。
首次提出利用均衡技术而非传统提高IIP3的方法来消除IM3产物,降低了对前端线性度的苛刻要求。
实现了宽带直接变频接收机中IM3失真的自适应或固定均衡,可能结合校准技术以覆盖工艺、电压和温度变化。
ISSCC 2008Session 10RF & Wireless
Bernard Tenbroek1, Jonathan Strange1, Dimitris Nalbantis1,
该论文提出了一种单芯片三频WCDMA/HSDPA收发器,无需外部SAW滤波器并集成了发射功率控制。通过消除外部SAW滤波器,降低了系统成本和尺寸,同时实现了高集成度。
实现了单芯片三频WCDMA/HSDPA收发器,覆盖多个频段。
去除了外部SAW滤波器,通过片上集成降低系统成本和复杂度。
ISSCC 2008Session 10RF & Wireless
Hsiang-Hui Chang, Ping-Ying Wang, Jing-Hong Conan Zhan, Bing-Yu Hsieh
该论文提出了一种用于GSM/GPRS/EDGE系统的全数字锁相环(ADPLL),通过环路增益校准和相位噪声消除技术实现无分数杂散,同时利用RC滤波器线性化硬开关信号以降低电源/衬底噪声耦合,满足发射输出频谱的严格杂散和相位噪声要求。
提出数字环路增益校准技术,精确控制数字前馈路径中的增益值。
采用相位噪声消除方法,抑制相位噪声对发射频谱的影响。