ISSCC 2010Session 20RF & Wireless45nm CMOS
该论文提出了一种在45nm CMOS工艺中实现的5至25Gb/s可重构收发器，通过自适应信令模式（如单端、差分、电流/电压模式）和均衡技术，在1.6至3.8mW/(Gb/s)的功耗效率下，解决了从短距离封装链路到长距离背板等多样化信道的高能效通信问题。
▸提出了一种可重构收发器架构，能够根据信道损耗动态切换信令模式（单端、差分、多电平）和均衡策略，实现宽范围信道下的最优能效。
▸在45nm CMOS工艺中实现了5至25Gb/s的数据速率范围，且功耗效率仅为1.6至3.8mW/(Gb/s)，显著优于传统固定模式收发器。
ISSCC 2010Session 20RF & Wireless45nm CMOS SOI
本文提出一种采用源串联端接（SST）结构的协议敏捷发射器，在45nm CMOS SOI工艺上实现了7.4Gb/s的数据率和32mW的低功耗。解决了传统CML驱动器功耗高的问题，同时克服了SST在灵活摆幅、恒流均衡和DC耦合电压标准支持方面的困难。
▸采用源串联端接结构替代传统CML驱动器，将输出级功耗降低至CML的1/4。
▸实现了协议敏捷性，能够灵活调节输出摆幅和进行恒流均衡，支持多种协议标准。
ISSCC 2010Session 20RF & Wireless65nm CMOS
该论文提出了一款在65nm CMOS工艺下实现的12.5Gb/s完整收发器，包括CDR、MUX/DEMUX和全局时钟分配，总功耗仅12.3mW，能效达到0.98mW/(Gb/s)（低于1pJ/b），解决了高速接口中功耗效率的长期挑战。
▸实现了亚1pJ/b的能效，达到0.98mW/(Gb/s)，较此前2.2mW/(Gb/s)有显著提升。
▸集成了完整收发器功能（含CDR、MUX/DEMUX和时钟分配）在单芯片上，仍保持极低功耗。
ISSCC 2010Session 20RF & Wireless32nm CMOS
A 78mW 11.8Gb/s Serial Link Transceiver with Adaptive RX Equalization and Baud-Rate CDR in 32nm CMOS
本文提出一款采用32nm CMOS工艺的11.8Gb/s串行链路收发器，功耗仅78mW。通过自适应接收均衡和波特率时钟数据恢复技术，解决了高速串行IO在功耗和面积上的挑战。
▸采用自适应接收均衡技术，能够动态补偿信道损耗，提升信号完整性。
▸实现波特率时钟数据恢复，无需额外参考时钟，降低功耗和面积。
ISSCC 2010Session 20RF & Wireless
该论文提出了一种采用双边缘注入锁定振荡器的突发模式时钟数据恢复电路，实现了1.296至5.184 Gb/s的数据速率和2.4 mW/(Gb/s)的功耗效率，解决了移动消费电子中高速低功耗I/O链路的需求。
▸提出双边缘注入锁定振荡器（Dual-Edge Injection-Locked Oscillator）用于突发模式CDR，实现快速锁定。
▸通过优化电路架构，在宽数据速率范围内保持低功耗和高能效。
ISSCC 2010Session 20RF & Wireless标准CMOS工艺
该论文提出了一种采用标准CMOS工艺的单芯片光电集成电路（OEIC），集成了片上硅光电二极管，用于短距离光通信。通过设计高速接收电路和均衡技术，克服了硅光电二极管响应速度慢的瓶颈，实现了8.5Gb/s的数据传输速率。
▸在标准CMOS工艺中集成片上硅光电二极管，实现低成本单芯片OEIC。
▸采用均衡技术补偿硅光电二极管的慢响应特性，提升带宽至8.5Gb/s。
ISSCC 2010Session 20RF & Wireless0.13µm SOI CMOS
本文提出了一种在0.13µm SOI CMOS工艺中集成了锗光电探测器的10Gb/s光接收机，功耗仅15mW。通过采用混合电感峰化技术，有效提升了带宽，解决了铜互连在高速数据通信中的衰减、色散和串扰问题，为低成本光学互连提供了可行方案。
▸在SOI CMOS工艺中单片集成锗光电探测器，省去了外部光电二极管，降低了封装成本。
▸提出混合电感峰化技术，在低功耗下实现10Gb/s的高速接收，改善了带宽限制。
ISSCC 2010Session 2RF & Wireless
本文提出一款兼容Gen2协议的UHF RFID传感标签，功耗仅9.2µA，灵敏度达-12dBm，输入参考噪声为1.25µVrms。解决了现有被动传感器标签缺乏协议兼容性和高精度信号处理能力的问题，适用于生物医学和环境监测等应用。
▸首次实现兼容EPC Gen2标准的超低功耗UHF RFID传感标签，支持协议和寻址功能。
▸在9.2µA极低功耗下达到-12dBm高灵敏度和1.25µVrms低输入参考噪声，满足µV级生物信号检测需求。
ISSCC 2010Session 2RF & Wireless65nm CMOS
本文提出了一种抑制CMOS VCO中闪烁噪声上变频的新技术，工作在3.0-3.6GHz频段，采用65nm CMOS工艺。该技术无需谐振网络即可在宽频率范围内有效抑制近端1/f³相位噪声，同时不影响振荡器启动裕度和白噪声相位噪声。
▸提出了一种基于非谐振元件的闪烁噪声上变频抑制技术，适用于宽频率范围。
▸该技术不牺牲振荡器启动裕度，也不恶化白噪声相位噪声，相比传统方法具有优势。
ISSCC 2010Session 2RF & Wireless
本文提出了一种用于全数字锁相环的GHz级数字控制振荡器，实现了150Hz的极细频率分辨率，有效降低了量化噪声对带外相位噪声的影响，解决了传统DCO频率分辨率不足的问题。
▸采用新型电容阵列结构实现150Hz的超高频率分辨率，优于传统方案。
▸通过优化的数字调谐机制，在保持高分辨率的同时兼顾了振荡器相位噪声性能。
ISSCC 2010Session 2RF & Wireless
该论文设计了一款覆盖5.2-13GHz的Class-AB CMOS功率放大器，实现了25.2dBm峰值输出功率和21.6%的功率附加效率，解决了宽带通信和雷达系统中对高功率、高效率宽带功率放大器的需求。
▸实现了5.2-13GHz的宽带频率覆盖，适用于软件定义无线电和智能天线系统。
▸在CMOS工艺中同时达到25.2dBm峰值输出功率和21.6%的PAE，兼顾了功率和效率。
ISSCC 2010Session 2RF & Wireless65nm CMOS
本文在65nm CMOS工艺中实现了一个60GHz频段2×2相控阵发射机，能够独立调谐垂直和水平极化，以增加有效各向同性辐射功率并补偿60GHz频段的高路径损耗。
▸在65nm bulk CMOS中实现了60GHz相控阵发射机，支持独立极化调谐。
▸通过2×2阵列提高了有效各向同性辐射功率，增强了毫米波通信链路的覆盖范围。
ISSCC 2010Session 2RF & Wireless40nm CMOS
本文提出了一种用于60GHz相控阵接收机的宽带波束赋形器，在40nm数字CMOS工艺中实现，解决了毫米波频段高数据速率通信中的波束赋形问题。
▸采用宽带相位偏移技术，支持多个通道的可变相移与信号组合，适用于IEEE 802.15.3c和ECMA 387标准。
▸在40nm数字CMOS工艺中实现了低功耗、高集成度的波束赋形器，降低了60GHz接收机的前端复杂度。
ISSCC 2010Session 2RF & Wireless
本文提出了一种基于真实时延的带通多波束阵列，工作在毫米波频段，支持瞬时宽带宽。该设计解决了传统相控阵在宽带宽应用中波束斜视的问题，并实现了多个波束同时独立扫描功能。
▸采用真实时延替代传统相位控制，在宽带宽下避免波束斜视，支持瞬时大带宽多波束操作。
▸提出可同时形成多个独立波束的架构，每个波束可独立指向不同角度，适用于多用户通信和成像系统。
ISSCC 2009Session 6RF & Wireless
该论文提出了一款基于0.13µm CMOS工艺的低中频RF调谐器，用于移动ISDB-T电视接收。该调谐器在1.2V供电下仅消耗67mW功率，芯片面积为4mm²，有效降低了成本和功耗，满足了移动电视应用的需求。
▸采用低中频架构以降低功耗和芯片面积，适合移动设备。
▸在0.13µm CMOS工艺中实现了低功耗与小尺寸的平衡，整体功耗低于同类产品。
ISSCC 2009Session 6RF & Wireless65nm CMOS
该论文提出了一款基于65nm CMOS工艺的嵌入式低中频双调谐器，覆盖48MHz至1GHz频率范围，用于支持DOCSIS 3.0标准的高数据速率传输。通过信道绑定技术，解决了传统有线电视网络带宽不足的问题。
▸采用低中频架构实现双调谐器集成，支持48MHz至1GHz宽频段覆盖。
▸针对DOCSIS 3.0标准，优化了信道绑定所需的多个下行信道同时接收性能。
ISSCC 2009Session 6RF & Wireless45nm CMOS
该论文提出了一种采用直接正交电压调制的低功耗无SAW WCDMA发射调制器，解决了FDD系统中TX噪声对RX路径的干扰问题，实现了在45nm CMOS工艺下的低噪声和高线性度。
▸提出直接正交电压调制架构，消除了对SAW滤波器的需求，降低了功耗和面积。
▸通过优化电路设计，在190MHz偏移处实现低于-155dBc/Hz的TX噪声，满足WCDMA和LTE系统的要求。
ISSCC 2009Session 6RF & Wireless
该论文介绍了一款单芯片RF CMOS收发器，支持UMTS/EGSM多频段、集成接收分集和GPS功能，解决了多模多频段蜂窝通信中单芯片集成、SAW滤波器减少和低功耗的需求。
▸在单芯片上集成了UMTS/EGSM收发器、接收分集和GPS，减少了外部元件（如SAW滤波器）。
▸实现了多频段多模式操作，支持四频EGSM和多频WCDMA/HSPA接收分集。
ISSCC 2009Session 6RF & Wireless
本文提出一款单芯片多频段WCDMA/HSDPA/HSUPA/EGPRS收发器，集成分集接收机和3G DigRF数字接口，无需外部SAW滤波器，降低了成本与面积，解决了多模多频段通信的集成难题。
▸无需SAW滤波器的收发器架构，通过片上滤波和线性度优化实现。
▸集成主接收机和分集接收机，支持多天线接收分集。
ISSCC 2009Session 6RF & Wireless
本文提出了一种无SAW滤波器的多频段WEDGE（WCDMA/EDGE）接收机架构，旨在解决多频段3G收发器中因大量外部SAW滤波器导致的前端复杂性问题。通过处理有限发射机泄漏抑制带来的额外噪声，实现了无需级间SAW滤波器的多频段接收。
▸创新点1：去除了多频段3G接收机中的级间SAW滤波器，降低了前端复杂性和成本。
▸创新点2：提出了能够容忍有限发射机泄漏噪声的接收机架构，保证接收性能。
ISSCC 2009Session 6RF & Wireless
该论文提出了一种用于四频GPRS/EDGE的集成闭环极性发射机与低中频接收机，通过饱和预防机制解决了发射机饱和问题，并实现了低功耗和高线性度。接收机采用外部SAW滤波器驱动四个差分LNA，高带和低带在混频器跨导输出端合并。
▸提出了一种集成闭环极性发射机架构，包含饱和预防机制，有效避免了发射机饱和导致的性能下降。
▸接收机采用低中频架构，通过外部SAW滤波器与集成匹配组件驱动差分LNA，实现了高带和低带的合并，优化了接收性能。
ISSCC 2009Session 22RF & Wireless40nm CMOS
该论文提出了首个集成在CMOS工艺中的双工器，通过混合变压器的电平衡而非频率选择性来实现隔离，解决了全双工蜂窝应用中集成双工器的隔离难题。
▸首次在CMOS中实现集成双工器，满足WCDMA和HSPA等全双工应用的性能要求。
▸采用混合变压器电平衡技术替代传统频率选择性滤波器，实现50dB隔离。
ISSCC 2009Session 22RF & Wireless
该论文提出了一种CMOS自适应天线阻抗调谐IC，工作在850MHz至2GHz频段。它解决了多模收发器中由于工作频率变化和环境因素导致的PA/LNA与天线之间的阻抗失配问题，通过快速动态调谐来最小化功率反射。
▸实现了宽频带（850MHz-2GHz）的自适应天线阻抗调谐，适用于多频段无线电。
▸采用CMOS工艺集成，实现了快速调谐速度以补偿频繁的环境变化。
ISSCC 2009Session 22RF & Wireless45nm LP CMOS
本文在数字45nm低功耗CMOS工艺中设计并实现了50-67GHz的ESD保护功率放大器，解决了先进数字CMOS工艺中后端互连层薄导致无源器件Q值低、以及需要集成ESD保护的挑战，展示了该工艺用于60GHz无线通信收发器的可行性。
▸在45nm数字低功耗CMOS中实现了宽带（50-67GHz）的功率放大器，充分利用了该工艺的高ft特性。
▸集成了ESD保护结构，同时保持射频性能，解决了毫米波频段ESD保护的难题。
ISSCC 2009Session 22RF & Wireless65nm CMOS
该论文提出了一种在65nm CMOS工艺中实现的60GHz频段功率放大器，采用1V电源电压，实现了11.5dBm的饱和输出功率和11%的峰值功率附加效率（PAE），解决了深亚微米CMOS技术中低电源电压限制输出摆幅和饱和功率的问题。
▸在65nm CMOS工艺中实现了60GHz频段1V电源电压下的功率放大器设计，兼顾了输出功率和效率。
▸通过优化电路拓扑和匹配网络，在毫米波频段实现了11.5dBm的饱和输出功率和11%的PAE。
ISSCC 2009Session 22RF & Wireless90nm CMOS
该论文提出了一种在90nm CMOS工艺中实现的高线性度2.4GHz 30dBm单芯片功率放大器。通过采用PMOS电容补偿技术来减小AM-PM失真，从而改善EVM性能。
▸采用PMOS电容补偿技术，通过优化PMOS器件尺寸和偏置电压，有效抵消NMOS晶体管Cgs的非线性变化，将输出相位变化控制在5°以内。
▸在90nm CMOS工艺中实现了2.4GHz频段30dBm的高输出功率，同时保持了高线性度。
ISSCC 2009Session 22RF & Wireless
该论文提出了一种全集成CMOS开关功率混频器阵列，能够在倍频程带宽内实现瓦特级功率输出，用于改善功率放大器的线性度和回退效率。通过分离幅度和相位信息，避免了传统线性PA的低效率问题。
▸首次实现了倍频程带宽、瓦特级功率的全集成CMOS开关功率混频器阵列，替代了传统的高功率低频供电调制器。
▸通过开关功率混频器阵列实现线性化，同时提高了功率放大器在回退状态下的效率。
ISSCC 2009Session 22RF & Wireless0.13μm CMOS
本文设计了一款0.13μm CMOS功率放大器，具有超宽瞬时带宽，适用于UWB高分辨率成像系统。该PA能够传输任意瞬时UWB波形，满足FCC规定的峰值EIRP限制，解决了集成CMOS UWB成像收发机中线性放大器的需求。
▸实现了超宽瞬时带宽（覆盖960-3100MHz）的CMOS功率放大器，能够传输任意UWB脉冲波形。
▸采用0.13μm CMOS工艺集成，为完全集成的硅基UWB成像收发机提供了关键的PA模块。
ISSCC 2009Session 12RF & Wireless
该论文提出了一种400-900 MHz的宽带宽直接变频谐波抑制接收机，采用双域谐波抑制和自适应干扰消除技术，旨在解决传统谐波抑制方案因幅度和相位失配导致抑制能力有限（30-40dB）的问题，实现了60-100dB所需的高谐波抑制，以应对强干扰并将谐波响应降至噪声基底。
▸提出双域谐波抑制技术，结合模拟和数字域处理以提高谐波抑制性能。
▸采用自适应干扰消除机制，动态校正幅度和相位失配，实现更高的谐波抑制比。
ISSCC 2009Session 12RF & Wireless
该论文提出了一种对带外干扰具有鲁棒性的软件无线电接收机架构，通过谐波抑制混频器等技术减少带外干扰引起的问题。解决了传统SDR接收机因减少射频滤波而面临的阻塞、谐波混频等干扰难题。
▸提出了一种基于谐波抑制混频器的接收机架构，有效抑制LO谐波带来的干扰混频。
▸设计了抗阻塞的宽频LNA与混频器协同工作，降低带外大信号对接收机的影响。
ISSCC 2009Session 12RF & Wireless90nm CMOS
提出一款0.75V供电、功耗仅325µW的跳频合成器，适用于超低功耗无线传感器网络。解决了传统跳频方案功耗过高（需数毫安电流）的问题，实现了40dB无杂散动态范围。
▸采用90nm CMOS工艺实现极低电压（0.75V）和亚毫瓦级功耗的跳频合成器
▸功耗与跳频速度无关，支持快速同步的快速跳频
ISSCC 2009Session 12RF & Wireless45nm CMOS
该论文提出了一种工作在4.75GHz的分数分频器，通过引入分数分频比来避免收发机中本振被功率放大器牵引的问题。采用数字校准技术抑制分数杂散，从而无需额外的滤波电感，节省了芯片面积。
▸采用分数分频比替代传统的二分频或SSB混频，有效避免本振牵引问题
▸通过数字校准技术抑制分数杂散，省去模拟滤波电感，节省面积
ISSCC 2009Session 12RF & Wireless
本文提出了一种适用于蓝牙接收机的0.6V低电压混频器，采用电流复用单栅结构和循环无源组合器，解决了传统混频器需要大LO功率的问题。在2.4GHz频段实现了380µW超低功耗和-14dBm的LO输入功率，满足蓝牙-90dBm灵敏度要求。
▸提出电流复用单栅CMOS混频器结构，在0.6V低电压下实现双平衡混频，降低功耗。
▸采用循环无源组合器（Cyclic Passive Combiner），显著降低所需LO输入功率至-14dBm，无需大功率LO驱动。
ISSCC 2009Session 12RF & Wireless65nm CMOS
该论文提出了一种无LNA的65nm CMOS接收机架构，工作在0.2-2.0GHz频段，通过优化线性度和噪声性能实现了大于11dBm的IIP3和小于6.5dB的噪声系数，从而显著提升了接收机的无杂散动态范围(SFDR)。
▸创新性地采用无LNA的接收机结构，避免了传统LNA带来的非线性失真，在低电压下实现了高线性度。
▸提出了一种宽带匹配技术，覆盖0.2-2.0GHz频率范围，同时保持低噪声和高IIP3性能。
ISSCC 2009Session 12RF & Wireless
该论文提出了一种加权分布式CMOS低噪声放大器（LNA），通过分布式结构打破传统LNA中输入晶体管电容与带宽之间的折衷，实现了紧凑设计且无需使用更高过驱动电压，从而提高了功率效率。
▸提出加权分布式放大架构，在不增加功耗的前提下同时实现宽带宽和低噪声系数。
▸通过分布式结构分散输入电容，降低了对晶体管尺寸和过驱动电压的苛刻要求。
ISSCC 2009Session 12RF & Wireless
该论文提出了一种采用正负反馈技术的差分共栅CMOS低噪声放大器（LNA），解决了传统共栅LNA在增益、噪声系数与输入阻抗匹配之间的折中问题。通过正负反馈结构，在3.6mW低功耗下实现了优越的带宽、线性度、稳定性和对PVT变化的鲁棒性。
▸提出正负反馈技术，在不增加功耗的情况下改善共栅LNA的增益和噪声性能，同时保持50Ω输入匹配。
▸采用差分共栅结构，结合正负反馈，增强了电路的带宽、线性度和稳定性。
ISSCC 2009Session 12RF & Wireless
该论文提出了一种用于多频段便携式DVB-H接收机的低噪声有源巴伦，通过IM2抵消技术解决了宽带和多频段操作中的二阶互调失真问题，覆盖VHF-III和UHF IV-V频段。
▸提出了一种低噪声有源巴伦结构，实现了宽带输入匹配和噪声优化。
▸引入了IM2抵消技术，有效抑制了跨频段交叉调制产生的二阶互调失真。
ISSCC 2008Session 6RF & Wireless
该论文提出了一种适用于身体区域网络的自适应跳频收发器，支持60kb/s至10Mb/s的数据速率，能效为0.37nJ/b。解决了人体组织高传播损耗和信道位置依赖导致的通信效率低下问题。
▸提出自适应跳频技术以应对身体区域网络的信道变化和网络隔离需求
▸实现了宽数据速率范围（60kb/s-10Mb/s）的灵活通信
ISSCC 2008Session 6RF & Wireless90nm CMOS
本文利用标准90nm CMOS技术成功实现了60GHz单芯片发射机和单芯片接收机的集成，提出了一种可靠的60GHz单芯片无线电解决方案。通过优化晶体管布局、建立完整精确的模型以及改进寄生参数提取方法，实现了覆盖57-66GHz全频段的宽带超外差架构，并将模拟无线电前端与高速数字信号处理器协同设计与集成。
▸在90nm CMOS工艺中首次实现覆盖57-66GHz全频段的单芯片60GHz无线电收发系统。
▸采用优化的晶体管布局、精确的建模和寄生提取方法，确保了宽带超外差架构在毫米波频段的稳健性。
ISSCC 2008Session 6RF & Wireless45nm CMOS
该论文设计了一款覆盖0.6-10GHz的宽带接收机前端，采用45nm CMOS工艺，旨在支持软件定义无线电的多频段多模式需求，解决了宽带接收中的线性度和噪声性能问题。
▸实现了0.6-10GHz的超宽带频率覆盖，适用于多种无线标准如蜂窝、WLAN和WPAN。
▸采用45nm CMOS工艺，实现了与数字电路的高集成度，有利于软件定义无线电的片上集成。
ISSCC 2008Session 6RF & Wireless
本文提出一种用于MB-OFDM UWB系统的3-10GHz 14频段CMOS频率合成器，采用单边带混频架构实现全频段覆盖，并引入杂散抑制技术以满足快速跳频（<9.5ns）要求。解决了传统多PLL或复杂分频器方案在面积和功耗上的局限。
▸提出基于单PLL的14频段全频段频率合成架构，无需多个锁相环或复杂分频器。
▸采用杂散抑制技术降低单边带混频产生的寄生分量，满足UWB系统对频谱纯净度的要求。
ISSCC 2008Session 6RF & Wireless90nm CMOS
本文提出一种基于次谐波注入锁定的超宽带（UWB）快速跳频频率生成方法，解决了WiMedia UWB系统中本地振荡器（LO）生成的多频率、低杂散、快速建立时间等关键挑战。采用90nm CMOS工艺实现，验证了该方法的有效性。
▸首次将次谐波注入锁定技术应用于UWB LO生成，实现快速跳频与低相位噪声。
▸通过注入锁定倍频机制，避免了传统锁相环的复杂结构和长建立时间，显著简化了电路设计。
ISSCC 2008Session 6RF & Wireless0.13µm SiGe BiCMOS
该论文设计了一款完全集成的14频段UWB射频收发器，覆盖3.1至10.6GHz全频段，采用0.13µm SiGe BiCMOS工艺，支持全球部署并兼容6个WiMedia频带组。解决了现有UWB IC无法覆盖全指定频率范围的问题。
▸首次实现覆盖3.1-10.6GHz全频段的14频段UWB收发器单芯片集成。
▸支持全球多地区频谱限制，兼容6个WiMedia频带组。
ISSCC 2008Session 6RF & Wireless
本文提出了一种基于CMOS工艺的超宽带（UWB）成像相机，集成了7×7个同时工作的有源像素，实现了二维平面阵列成像，取代了以往一维线性阵列的波束扫描方式。该芯片解决了UWB成像系统在单芯片上实现二维像素阵列与高深度分辨率的关键问题。
▸首次实现7×7有源像素同时工作的集成UWB成像相机芯片，支持二维平面阵列成像。
▸采用CMOS工艺集成多个UWB收发通道，无需外部波束形成器，实现片上同时多像素成像。
ISSCC 2008Session 6RF & Wireless0.18µm CMOS
该论文实现了一款符合IEEE 802.15.4a标准的UWB收发器，采用0.18µm CMOS工艺，同时支持通信和定位功能。解决了现有UWB无线电不完全符合标准或缺乏定位能力的问题。
▸首次在0.18µm CMOS工艺上实现了完全符合802.15.4a标准的UWB收发器，支持三个频段（子1GHz、低波段、高波段）和BPM/BPSK调制。
▸集成了通信与定位功能，适用于低速率无线个人区域网和传感器网络应用。
ISSCC 2008Session 6RF & Wireless90nm CMOS
本文提出了一种在90nm CMOS工艺下实现的脉冲式超宽带（UWB）发射机，通过避免传统混频器上变频架构，有效解决了本振泄漏问题，并实现了1.8G脉冲/秒的高脉冲速率。
▸采用无混频器的直接脉冲生成架构，消除了本振泄漏对FCC频谱合规性的影响。
▸在90nm CMOS工艺中实现了1.8G脉冲/秒的脉冲速率，满足高速短距离无线通信需求。
ISSCC 2008Session 31RF & WirelessSiGe BiCMOS
该论文提出了一种基于SiGe工艺的平衡功率放大器模块，用于多频段和多模式蜂窝手机，解决了不同2G/2.5G/3G标准下高效率和高线性度需求。通过采用DC-DC转换器优化效率，实现了紧凑的模块设计。
▸提出了一种平衡架构的SiGe PA模块，支持多频段和多模式操作，减少了外部组件数量。
▸利用DC-DC转换器动态调节供电电压，在不同功率模式下提高了功率附加效率（PAE）。
ISSCC 2008Session 31RF & Wireless
该论文提出了一种完全集成在标准CMOS工艺中的四频GSM/GPRS功率放大器，无需任何外部匹配元件。通过采用分布式有源变压器（DAT）技术，成功解决了手持设备中电源电压变化大和负载失配严重带来的挑战。
▸实现了全集成四频段GSM/GPRS功率放大器，无需外部匹配网络，显著降低了成本和尺寸。
▸采用分布式有源变压器（DAT）技术，有效克服了CMOS工艺在电源和负载变化下的性能退化问题。
ISSCC 2008Session 31RF & Wireless
该论文提出了一种用于软件无线电发射机的异相功率放大器，利用饱和功放的高效率来实现幅度调制，解决了传统I-Q上变频线性功放效率低的问题。
▸采用异相（outphasing）技术，使饱和功率放大器能够产生幅度调制波形，显著提升效率。
▸设计适用于软件无线电的通用发射机架构，支持多种调制方式和频段。
ISSCC 2008Session 31RF & Wireless65nm CMOS
该论文提出了一种采用脉冲宽度和脉冲位置调制的65nm CMOS类E功率放大器，实现了28.6dBm的输出功率，解决了近瓦级输出功率在纳米CMOS工艺中因电源电压缩放和低阻抗匹配带来的挑战。
▸采用脉冲宽度和脉冲位置调制实现包络恢复，提高了线性度和效率。
▸通过优化开关放大器设计，在65nm CMOS工艺中实现了近瓦级输出功率，同时减少了匹配网络损耗。