ISSCC 2010Session 4Analog Circuits
该论文提出了一种单次修调的CMOS带隙基准电压源,通过斩波和曲率校正技术最小化非PTAT误差,并用单次室温修调消除残余PTAT误差,从而在-40°C到125°C范围内实现了±0.15%的3σ精度,解决了传统多温度修调带来的成本和高复杂度问题。
▸采用斩波技术来消除放大器失调等非PTAT误差,提高基准精度。
▸引入曲率校正技术,改善带隙基准的温度系数。
ISSCC 2010Session 4Analog Circuits
该论文提出了一种结合斩波和相关双采样技术的微功率放大器,解决了斩波稳定技术中低频噪声残留和自动归零技术中宽带噪声混叠的问题。通过输入斩波和相关双采样的组合,有效消除了斩波纹波,实现了2µV标准偏差的失调和37nV/√Hz的输入噪声密度。
▸提出斩波与相关双采样(CDS)相结合的结构,在不增加偏置电流的情况下消除斩波纹波。
▸通过输入斩波和CDS的协同工作,避免了传统斩波放大器需要大滤波电容的缺点,适合微功率应用。
ISSCC 2010Session 4Analog Circuits
该论文提出了一种用于802.11a/g WLAN接收器的5阶切比雪夫梯形压缩扩展开关电容低通滤波器,通过基于信号瞬时值的增益切换来处理高峰均功率比(PAPR),从而在保持高动态范围的同时降低功耗。
▸提出瞬时压缩扩展(instantaneously-companding)技术,根据信号瞬时幅度动态调整增益,有效降低滤波器功耗
▸采用5阶切比雪夫梯形开关电容结构,实现34dB SNDR的压缩扩展滤波,适用于高动态范围WLAN接收机
ISSCC 2010Session 4Analog Circuits
本文提出了一种基于硅热扩散率的片上频率参考,利用标准CMOS工艺实现,通过热扩散率的温度稳定性达到±0.1%的绝对精度,覆盖-55°C到125°C的宽温度范围,解决了传统RC或环形振荡器精度受工艺和温度影响大的问题。
▸首次利用IC级硅的热扩散率作为频率参考,该物理量具有极好的温度稳定性和工艺一致性。
▸在标准CMOS工艺中实现热扩散率传感电路,无需特殊工艺或外部元件,通过电热滤波器的相频特性提取频率。
ISSCC 2009Session 19Analog Circuits
本文提出一种连续时间滤波器,通过带内噪声降低技术打破噪声与线性度之间的折衷,在1.25mW功耗下实现75dB SFDR,适用于直接转换无线接收机。
▸提出带内噪声降低技术,在不增加电容面积的前提下改善噪声性能。
▸通过电路设计打破传统噪声-线性度折衷,实现低功耗高SFDR。
ISSCC 2009Session 19Analog Circuits90nm CMOS
本文提出了一种用于滤波器截止频率调谐的方案,采用1位开关电阻结构替代多位电阻阵列,通过200MHz调谐脉冲的占空比控制有效RC时间常数,并利用ΔΣ调制和抖动抑制杂散效应。该方案应用于蓝牙收发器的信道选择滤波器,实现了6.3kHz步进的截止频率控制和小于1.8kHz的精度。
▸提出1位开关电阻结构,通过脉冲占空比实现精细截止频率调谐,避免了多位电阻阵列的复杂性和面积开销。
▸采用ΔΣ调制与抖动技术,有效抑制了开关操作引入的杂散效应,提高了调谐线性度。
ISSCC 2009Session 19Analog Circuits32nm SOI FinFET
该论文提出了一种在32nm SOI FinFET工艺中实现的亚1V带隙电压基准电路,解决了传统二极管和电阻在薄SOI层中无法实现的问题。通过采用新型电路结构,成功在FinFET技术中实现了低电压带隙基准。
▸针对FinFET工艺中无法使用传统二极管和电阻的问题,提出了替代的电路设计方案。
▸在32nm SOI FinFET工艺中首次实现了亚1V带隙电压基准,验证了该工艺在模拟电路中的可行性。
ISSCC 2009Session 19Analog Circuits0.13µm CMOS
本文提出一种采用前馈纹波消除技术的LDO稳压器,在0.13µm CMOS工艺下实现25mA输出电流,电源抑制比在10MHz内优于-56dB,解决了高频开关DC-DC转换器后LDO纹波抑制不足的问题。
▸提出前馈纹波消除技术,通过前馈路径抵消电源纹波,显著提高高频PSRR。
▸在0.13µm CMOS工艺中实现了高达10MHz的宽频带高电源抑制比,同时保持低 dropout 电压。
ISSCC 2009Session 19Analog Circuits65nm CMOS
本文提出一种改进锁存器的时钟再生比较器,在65nm CMOS工艺下实现高速低功耗性能。在1.2V供电时,比较器工作频率达7GHz且功耗仅1.3mW;在0.6V供电时,工作频率为700MHz且功耗47µW。解决了高速比较器在高电压下功耗大、低电压下速度慢的矛盾。
▸通过修改锁存器结构,优化正反馈路径,使得比较器在宽电压范围内保持高速性能。
▸实现了在1.2V和0.6V两种供电电压下的可重构工作模式,适应不同功耗和速度需求。
ISSCC 2009Session 19Analog Circuits
该论文提出了一种采用乒乓自动调零和斩波技术的电流反馈仪表放大器,以降低失调、1/f噪声和输出纹波,解决了在宽共模电压范围内实现高共模抑制比的问题。
▸采用乒乓自动调零技术,通过两个交替工作的调零环路持续校正失调,避免了传统自动调零的采样噪声折叠问题。
▸结合斩波技术进一步抑制残余失调和1/f噪声,同时利用乒乓结构消除斩波引起的输出纹波。
ISSCC 2009Session 19Analog Circuits
该论文提出了一种斩波电流反馈仪表放大器,通过AC耦合纹波降低环路实现了1mHz的1/f噪声拐点,解决了精密热敏电阻桥读出中的热膨胀补偿问题。
▸采用斩波电流反馈架构以降低1/f噪声
▸引入AC耦合纹波降低环路来抑制斩波引起的纹波
ISSCC 2008Session 24Analog Circuits
本文提出了一种用于CDMA发射器功率放大器供电的宽带低纹波稳压器,实现了10MHz带宽和2mV纹波。该设计解决了极坐标发射器中包络跟踪电源调制器的宽带和高效率需求问题。
▸提出了一种结合线性LDO和开关调节器的混合结构,实现了宽带和低纹波输出。
▸针对CDMA发射器PA供电进行了优化,在10MHz带宽内实现了仅2mV的纹波,满足了线性度和效率要求。
ISSCC 2008Session 24Analog Circuits
本文提出一种负载无关的开关DC-DC转换器控制方法,通过自由轮电流反馈和比较器控制替代传统误差放大器反馈,消除了负载变化对闭环响应的影响,无需复杂的补偿器设计,特别适用于单电感多输出转换器。
▸提出基于自由轮电流反馈的负载无关控制方法,输出仅由比较器决定,避免了负载变化对系统响应的影响。
▸简化了补偿器设计,无需针对不同负载条件调整,提升了闭环性能的稳定性。
ISSCC 2008Session 24Analog Circuits0.5μm CMOS
该论文提出了一种0.5μm CMOS工艺的四输出单电感降压型DC-DC转换器,采用自举开关驱动器技术,总输出电流达1.2A。解决了多处理器系统中多路独立供电需求与电感成本高的问题,实现了单电感多输出(SIMO)的紧凑型电源解决方案。
▸提出四输出单电感降压型DC-DC转换器架构,利用自举开关驱动器提高效率
▸实现1.2A总输出电流,支持独立调控的多个输出通道
ISSCC 2008Session 24Analog Circuits0.35µm CMOS
该论文提出了一种0.9V、0.35微米工艺的自适应偏置CMOS低压差线性稳压器(LDO),通过自适应偏置技术优化静态电流和瞬态响应,解决了便携设备中快速负载变化导致的输出电压跌落问题。
▸提出了自适应偏置电路,根据负载电流动态调整偏置电流,实现低静态功耗和快速瞬态响应的平衡。
▸设计了快速环路响应机制,有效抑制了大规模负载跳变时的电压过冲和下冲。
ISSCC 2008Session 24Analog Circuits
本文提出了一种自动可选频率的脉宽调制器,用于降压转换器。通过根据负载电流自动调整开关频率,降低轻载时的开关损耗和栅驱动损耗,从而显著改善轻载效率。
▸提出自动可选频率的PWM调制方案,根据负载电流自动切换开关频率,平衡重载和轻载效率。
▸在轻载条件下降低开关频率,减少与频率相关的损耗,同时保持输出电压稳定。
ISSCC 2008Session 24Analog Circuits
本文提出了一种采用开关电容技术的CMOS电压参考电路,能够在1V低电源电压下工作,实现了16.9ppm/°C的低温度系数和250nA的超低功耗,解决了传统带隙电压参考需要较高电源电压的问题。
▸采用开关电容架构替代传统电阻分压,实现了1V低电压工作,克服了带隙参考电压约1.2V的限制。
▸通过开关电容网络实现温度补偿,在极低功耗(250nA)下达到16.9ppm/°C的优良温度稳定性。
ISSCC 2008Session 24Analog Circuits90nm CMOS
该论文提出了一种高性能数字输入D类放大器,采用直接电池连接方式,在90nm数字CMOS工艺中实现。通过直接数字PWM输入驱动功率放大器,消除了传统模拟电路(如DAC、前置放大器),从而减小芯片面积并提高效率。
▸直接数字PWM输入驱动功率放大器,无需高精度模拟电路,大幅减小芯片面积。
▸采用直接电池连接,适用于移动和低功耗应用,提高电源效率。
ISSCC 2008Session 24Analog Circuits
本文提出了一种低功耗Class-AB耳机驱动器,能够驱动高达22nF的容性负载,适用于便携设备中的ESD保护和EMI抑制。通过新的频率补偿方案,实现了比传统嵌套米勒补偿(NMC)方案高10倍以上的功率效率,同时避免了频率响应的尖峰和不稳定问题。
▸提出了一种适用于三级放大器驱动大容性负载的新型频率补偿技术,消除了传统方案中的尖峰和不稳定问题。
▸实现了1.2mW超低功耗、1.6Vpp摆幅,驱动16Ω耳机和22nF电容,功率效率比NMC方案提高10倍以上。
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