子分类 · Data Converters

Flash ADC

10 篇相关论文 (2008–2026)

ISSCC 2023Session 17Data Converters
Jia-Ching Wang, Tai-Haur Kuo
本文提出了一种采用多参考嵌入式比较器(Multiple-Reference-Embedded Comparators)的8位2.7GS/s亚采样ADC,仅消耗3mW功率。该设计通过消除传统电阻梯,解决了比较器功耗大、回踢误差和寄生效应严重的问题。
提出多参考嵌入式比较器结构,无需电阻梯即可为比较器提供参考电压,显著降低功耗和面积。
通过优化比较器设计,减少回踢误差和寄生效应,提升高速下的精度。
ISSCC 2020Session 16Data Converters未知(未明确给出,推测为先进CMOS工艺)
Zihao Zheng1,2, Lai Wei1,2, Jorge Lagos2, Ewout Martens2, Yan Zhu1,
本文提出了一种单通道3.3GS/s、6位全动态流水线ADC,通过后放大残差生成技术实现了低功耗(5.5mW)和高速转换,解决了传统闪存ADC在高分辨率下面积和能效低下的问题。采用全动态电路避免了静态功耗,适用于ADC-based串行链路和5G接收机。
提出全动态流水线架构,消除了静态偏置电流,显著降低功耗。
采用后放大残差生成技术,在不增加额外比较器的情况下提升转换速度。
ISSCC 2016Session 27Data Converters55nm CMOS
Yun-Shiang Shu, Liang-Ting Kuo, Tien-Yu Lo
该论文提出了一种过采样SAR ADC,采用DAC失配误差整形技术,有效抑制了电容失配引起的非线性。在55nm CMOS工艺中实现了105dB SFDR和101dB SNDR,带宽为1kHz,解决了高精度低速传感器接口中SAR ADC的非线性和噪声问题。
提出了DAC失配误差整形技术,将失配噪声整形到高频,从而在低频带内获得高线性度。
结合过采样和误差整形,在不增加功耗的前提下大幅提升了SAR ADC的动态范围和SFDR。
ISSCC 2014Session 22Data Converters
Masaya Miyahara, Ibuki Mano, Masaaki Nakayama,
提出一种基于时间域的折叠-闪存ADC,采用电阻平均电压-时间放大器,在保持高采样率的同时降低比较器数量,从而减小面积和功耗。该ADC实现了2.2GS/s、7位分辨率、27.4mW功耗。
提出时间域折叠-闪存架构,将电压信息转换为时间信息进行量化,减少比较器数量。
采用电阻平均电压-时间放大器,改善电压-时间转换的线性度和匹配性,降低噪声影响。
ISSCC 2013Session 26Data Converters
Shwetabh Verma, Athos Kasapi, Li-min Lee, Dean Liu, Dimitri Loizos,
该论文提出了一款用于10G以太网应用的10.3GS/s 6位闪存模数转换器(ADC),旨在解决长距离多模光纤(LRM)等挑战性通信信道中的高速数据转换问题,支持DSP自适应接收机以实现多种10GE标准。
实现了10.3GS/s的超高采样率与6位分辨率,满足10G以太网对高速数据转换的需求。
针对LRM标准优化,支持DSP自适应接收机,提升对复杂信道的适应能力。
ISSCC 2009Session 4Data Converters65nm CMOS
Ying-Zu Lin, Soon-Jyh Chang, Yen-Ting Liu, Chun-Cheng Liu, Guang-Ying Huang
该论文提出了一种5位800MS/s的异步二进制搜索ADC,采用65nm CMOS工艺,功耗仅2mW。它解决了传统flash ADC功耗大、面积大和SAR ADC转换速度慢的问题,实现了高速低功耗的模数转换。
提出异步二进制搜索结构,结合了SAR的低功耗和flash的高速,单周期内完成所有比较。
采用异步控制逻辑,无需高速时钟,降低功耗和设计复杂度。
ISSCC 2008Session 30Data Converters
Denis C. Daly, Anantha P. Chandrakasan
该论文提出了一种高度数字化的闪存型ADC架构,能够在0.2V至0.9V的宽电源电压范围内工作,适用于能量受限的微传感器无线网络和植入式生物医学设备。通过引入比较器冗余技术,解决了低电压下器件泄漏和失配问题,实现了低功耗、高能效的模数转换。
提出了一种高度数字化的闪存型ADC架构,兼容先进CMOS工艺,支持从亚阈值区(200mV)到近阈值区(900mV)的宽电压工作。
采用比较器冗余技术,有效缓解了低电压下器件泄漏和失配对ADC性能的影响,提高了低电压下的转换精度。
ISSCC 2008Session 30Data Converters0.13µm CMOS
Zhiheng Cao1, Shouli Yan1, Yunchu Li2, 1
该论文提出了一种采用2位/步逐次逼近寄存器(SAR)架构的6位1.25GS/s模数转换器(ADC),在0.13µm CMOS工艺中实现了32mW的低功耗。通过利用高速数字逻辑和高度匹配的小电容器,解决了传统闪存型ADC在高速应用中功耗过高的问题。
采用2位/步的SAR架构,提高了转换速率并降低了功率消耗。
利用高速数字逻辑和高度匹配的小电容器设计,实现了低功耗高性能的ADC。
ISSCC 2008Session 12Data Converters90nm CMOS
Bob Verbruggen1,2, Jan Craninckx1, Maarten Kuijk2, Piet Wambacq1,2, Geert Van der Plas1
该论文提出了一种工作在90nm数字CMOS工艺下的5位1.75GS/s折叠闪存ADC,总功耗仅2.2mW。通过采用折叠技术有效减少了比较器数量,从而在保持高速性能的同时显著降低了功耗,适用于UWB等无线接收器中的高速低分辨率转换需求。
采用折叠架构替代传统全闪存,大幅减少比较器数量,从而在90nm工艺下实现极低功耗(2.2mW)和高速(1.75GS/s)的折中。
结合折叠与闪存子转换器设计,优化了输入带宽和采样速率,并保持了5位分辨率所需的线性度。
ISSCC 2008Session 12Data Converters65nm CMOS
Brian P. Ginsburg1, Anantha P. Chandrakasan2, 1
本文提出了一种高度交错的5位250MS/s ADC,采用36个时间交错SAR ADC通道和冗余通道策略,在65nm CMOS工艺下以800mV低电压运行,通过并行化提高能效并解决通道间时序偏差和良率问题。
利用时间交错和冗余通道技术,在5位分辨率下实现250MS/s采样率,通过通道间冗余提高良率并降低时序偏差影响。
在65nm CMOS工艺下采用800mV低电压供电,通过高度并行化提升能量效率,同时优化时钟分布开销。