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Bandgap Reference

26 篇相关 JSSC 论文

JSSC 2025第8期Analog CircuitsBandgap Reference
Compact PNP BJT Based Temperature Sensor and Sub 1 V Bandgap Reference for SoC
基于紧凑PNP BJT的温度传感器和亚1V带隙基准源设计
亚1V工作电压, 高精度温度传感
JSSC 2025第9期OtherBandgap Reference
A 769 ppm K Nano Watt PVT Insensitive CMOS Voltage Reference Operating From 4 t
一款低功耗、高稳定性的CMOS电压基准源，工作电压低至4t。
769 ppm/K, 纳瓦级功耗, 4t工作电压
JSSC 2025第10期Digital CircuitsNeural Network AcceleratorBandgap Reference
A Chopping-Free Single-Trim Bandgap Reference Using Amplifier With PTAT Offset H
提出一种无斩波单修调带隙基准电路，采用PTAT偏移放大器提高精度。
TC 3–8 ppm/°C, 输出噪声1.5 µVrms, 功耗590 µA, 面积0.55 mm²
JSSC 2025第11期Digital CircuitsNeural Network AcceleratorBandgap Reference
A Chopping-Free Single-Trim Bandgap Reference Using Amplifier With PTAT Offset H
提出一种无需斩波且单次修调的带隙基准电路，利用PTAT偏移放大器提高精度。
3–8 ppm/°C (-55°C~125°C), 1.5 µVrms噪声(0.1–10 Hz), 590 µA电流, 0.55 mm²面积
JSSC 2024第2期OtherBandgap Reference
Sub-µW Auto-Calibration Bandgap V oltage Reference With 1 σ Inaccuracy of 012 Wi
提出一种基于电流的带隙电压参考自动校准技术，降低校准成本并提高精度。
22.3 ppm/°C, 1.26 mV/V, ±0.12%
JSSC 2024第9期OtherBandgap Reference
Cryo-CMOS V oltage References for the Ultrawide Temperature Range From 300 K Dow
本文提出了一种在300K至低温环境下工作的亚1V CMOS电压基准源家族。
0.99V供电, 2.7%/V线性调整率, 111ppm/K温度系数
JSSC 2024第12期Data ConvertersDACBandgap Reference
A 14-b BW Power Scalable Sensor Interface With a Dynamic Bandgap Reference Zhong
一种14位带宽可扩展的传感器接口，采用动态带隙参考和电容偏置浮置逆变放大器技术。
14位分辨率，98 Hz至5.9 kHz带宽，84.5 dB SNDR，1.7–50.8 µW功耗
JSSC 2021第1期Analog CircuitsBandgap Reference
A 116-V 58-to-135-ppm C Curvature-Compensated CMOS Bandgap Reference Circuit Wit
一种高精度电流模式带隙基准电路，采用共享偏移补偿方案，适用于宽温度范围。
1.16V输出, 3.3V供电, -40°C至150°C温度范围, ±8.2mV输出变化
JSSC 2021第4期Analog CircuitsBandgap Reference
A Single-Trim Switched Capacitor CMOS Bandgap Reference With a 3 σ Inaccuracy of
提出一种单修调开关电容带隙基准电路，采用β补偿和曲率校正技术，结合DEM技术，实现高精度温度稳定性。
3σ不准确度+0.02%, −0.12%（-40°C至125°C），功耗17μA@27°C，面积0.38mm²
JSSC 2021第6期OtherBandgap Reference
12 A 18-nW 735-dB PSRR 02-ms Startup Time CMOS Voltage Reference With Self-Biase
本文提出了一种采用自偏置和电容耦合方案的纳瓦级CMOS电压基准，显著提升了PSRR和建立时间。
0.18-μm CMOS, 1.8 nW, 0.2 ms建立时间, -73.5-dB PSRR
JSSC 2021第10期Analog CircuitsBandgap Reference
A Single BJT Bandgap Reference With Frequency Compensation Exploiting Mirror Pol
提出一种单BJT带隙基准源，通过频率补偿优化稳定性和功耗
温度系数26.3 ppm/°C(-40°C~140°C)，电压精度0.33%，PSR -52dB@100Hz/-44dB@1MHz，功耗192nW
JSSC 2019第7期Analog CircuitsBandgap Reference
A 1-V Bandgap Reference in 7-nm FinFET With a Programmable Temperature
提出了一种在7nm FinFET工艺中实现的可编程温度系数的1V精密电压参考源。
1V, 最大误差±0.2%, 最小温度系数6ppm/°C, 线调节率0.1%/V, 面积0.078mm²
JSSC 2019第12期Analog CircuitsBandgap Reference
A 192-pW V oltage Reference Generating BandgapVth With Process and Temperature D
提出一种利用工艺偏差维度效应补偿阈值电压变化的192皮瓦超低功耗电压基准电路
0.18µm CMOS, 192pW, 0.0045mm², 0.53%工艺偏差, 33ppm/°C温度系数
JSSC 2018第10期Analog CircuitsBandgap Reference
A Digitally Calibrated Bandgap Reference With 006 Error for Low Side Current Se
一种数字校准带隙基准源，适用于低侧电流检测，误差为0.06%。
0.06%误差
JSSC 2017第3期OtherBandgap Reference
A 56 ppmC Temperature Coefficient87 dB PSRR Sub 1 V Voltage Reference in 65 nm
65nm工艺下实现56 ppmC温度系数和87 dB PSRR的亚1V电压基准源
56 ppmC温度系数, 87 dB PSRR, 亚1V电压
JSSC 2017第5期OtherBandgap Reference
A Subthreshold Voltage Reference With Scalable Output Voltage for Low Power IoT
提出一种适用于低功耗物联网的亚阈值电压参考电路，具有可扩展输出电压特性。
无具体指标
JSSC 2013第6期Analog CircuitsBandgap Reference
12-V Supply 100-nW 109-V Bandgap and 07-V Supply 525-nW 055-V Subbandgap Referen
提出一种用于纳瓦级LSI的带隙基准和亚带隙基准电路，无需电阻，仅使用MOSFET和双极晶体管。
1.09V/0.548V参考电压, 100nW/52.5nW功耗
JSSC 2012第2期Analog CircuitsOp-AmpBandgap Reference
A Novel Wide-Temperature-Range 39 ppm C CMOS Bandgap Reference Circuit
提出一种新型宽温度范围CMOS带隙基准电路，温度系数低至39 ppm/°C。
3.9 ppm/°C (165°C范围), 13.7 ppm/°C (200°C范围), 0.039% V线性调整率
JSSC 2012第7期Digital CircuitsBandgap Reference
An Ultra Low Power Bandgap Operational at Supply From 075 V V adim Ivanov Member
提出一种超低功耗（200nA）反向带隙电压参考，可在0.75V电源下工作。
130nm CMOS, 0.75V, 200nA, 2.5%精度（5σ，20-85°C）
JSSC 2012第10期Medical & BioBandgap Reference
A Portable 2-Transistor Picowatt Temperature- Compensated V oltage Reference Ope
一种便携式2晶体管皮瓦级温度补偿电压基准设计
0.13µm CMOS, 0.5V最低工作电压, 2.22pW功耗, 16.9ppm/°C温度系数
JSSC 2011第2期OtherBandgap Reference
A 26 nW 045 V Temperature-Compensated Subthreshold CMOS V oltage Reference Luca
一种在弱反型区工作的0.45V超低功耗CMOS基准电压源
257.5mV基准电压，5.8nA电流，165ppm/°C温漂
JSSC 2011第11期Analog CircuitsBandgap Reference
A Single-Trim CMOS Bandgap Reference With a Inaccuracy of 015 From 40 C to 125 C
一种仅需单次修调即可在-40°C至125°C范围内实现0.15%精度的CMOS带隙基准源。
0.15% inaccuracy, 55μA@1.8V, 0.12mm²
JSSC 2007第7期OtherBandgap Reference
A Sub-1-V 10 ppm C Nanopower V oltage Reference Generator
一种在0.9至4V电源电压下工作的极低功耗电压基准发生器，最大电流70nA，温度系数10ppm。
0.9-4V, 70nA, 10ppm/°C, PSRR <-53dB@100Hz, <-42dB@10MHz
JSSC 2007第10期Analog CircuitsBandgap Reference
A 14 V Supply CMOS Fractional Bandgap Reference
一种输出硅带隙电压分数的CMOS带隙基准电路，简化了内部运算放大器设计。
1.4V电源, 858mV输出, 温度系数1.28mV(-20°C至100°C), 功耗162μW, 面积1.2mm²
JSSC 2007第11期OtherBandgap Reference
A Sub-1-V Low-Noise Bandgap V oltage Reference
提出一种新型亚1V低噪声带隙电压基准，采用反向带隙电压原理实现低至1V的电源电压工作。
输出噪声谱密度40nV/√Hz@20μA，0.1-10Hz峰峰值噪声4μV，温度系数11ppm/℃
JSSC 2006第11期Analog CircuitsBandgap Reference
Patent Abstracts The Patent Abstracts and References cited are intended to provi
一种补偿开关电容电路中寄生电容的电路设计
未明确提及