mm-Wave

本文提出了一种采用8路合成器的53-68GHz功率放大器，在标准65nm CMOS工艺中实现了18dBm输出功率，解决了60GHz频段功率放大器的功率性能和晶体管可靠性问题。

本文提出了一款采用90nm CMOS工艺的60GHz功率放大器，通过优化输入输出匹配网络和采用短截线拓扑结构，实现了高增益和20dBm的输出功率。该设计解决了毫米波频段功率放大器在CMOS工艺中增益和效率低下的问题。

本文提出了一种基于标准65nm CMOS工艺的60GHz功率放大器，工作在1V电源电压下，实现了17.9dBm的输出功率。该设计解决了低电压下毫米波功率放大器输出功率不足的问题，适用于低功耗、高集成度的点对点多Gb/s无线通信应用。

该论文提出了一种基于注入锁定倍频器的115GHz频率发生器，采用65nm CMOS工艺实现，可覆盖13.1%的调谐范围。针对毫米波成像和光谱学等应用，解决了高频频率源在CMOS工艺中调谐范围窄的问题。

本文设计了一种90GHz载波、30GHz带宽的混合开关发射器，集成了天线，实现了35-376ps可调脉冲宽度，解决了毫米波脉冲雷达和医学成像中需要亚100ps脉冲宽度的问题。

该论文在65nm CMOS工艺中实现了一个W波段发射机前端芯片，支持8GHz中频带宽和20dB镜像抑制比，适用于通信、雷达和成像等应用。

本文设计并实现了工作在158-165GHz频段的正交发射机和接收机芯片组，采用先进的SiGe BiCMOS工艺（fT=260GHz, fMAX=380GHz），旨在支持宽带无线通信、测距和成像等新兴高频应用。

本文提出一种毫米波片内互连解决方案，采用注入锁定技术实现低功耗、宽锁定范围的无线互连。通过2GHz载波测试，展示了-141dBc/Hz的输入相位噪声和-123dBc/Hz的输出相位噪声，以及最大160MHz的注入锁定范围。

该论文提出了一种用于通信和定位的超宽带（UWB）脉冲无线电片上系统（SoC），实现了极低的能耗（0.92/5.3 nJ/b），适用于无线体域网等短距离低功耗应用。通过集成脉冲收发机和定位功能，解决了低数据率场景下能效与多功能兼顾的问题。

该论文提出了一款完全集成的符合802.15.4a标准的脉冲无线电超宽带（IR-UWB）收发器，采用0.13µm CMOS工艺实现，并集成了数字根升余弦（RRC）滤波器。该收发器解决了低功耗、高精度测距和通信范围优化等设计挑战，实现了符合标准的低功耗通信系统。

本文提出了一种采用自同步OOK调制的超低功耗抗干扰IR-UWB收发器芯片组，解决了传统方案中定时捕获复杂和窄带干扰抑制能力差的问题。

该论文提出了一种2.4GHz占空比循环唤醒接收器，通过非相干能量检测和宽带-IF超外差架构结合脉冲位置调制，实现了对低精度频率参考的鲁棒性，从而支持无晶振的无线传感器节点。该接收器在-82dBm灵敏度下仅消耗830pJ/bit能量。

该论文提出了一种用于无线传感器网络的超低功耗唤醒接收机，工作在2.4GHz和915MHz频段，总功耗仅51µW。通过引入偏移和噪声抑制技术，改善了包络检测器在低输入信号下的灵敏度瓶颈，实现了高灵敏度与低功耗的平衡。

该论文提出了一种采用级间耦合谐振器的宽带毫米波CMOS接收器，用于60GHz频段的Gb/s无线通信。通过级间耦合谐振器技术实现了宽带匹配和增益平坦度，解决了毫米波接收器带宽受限的问题。

本文提出了一种用于60GHz通信的16元件相控阵发射机，基于SiGe BiCMOS工艺。该发射机在片上进行全特性表征，实现了相移360度范围内输出功率变化控制在+/-1dB以内。通过两个相邻元件同时探测和外部合路，验证了相位扫描性能。

该论文实现了一个完全集成的77GHz调频连续波（FMCW）雷达系统，采用65nm CMOS工艺。解决了毫米波防撞雷达的集成度问题，实现了单芯片雷达收发系统。

该论文提出了一种工作于24-26GHz的4通道4波束时空RAKE雷达收发机，采用90nm CMOS工艺，用于车载雷达应用。通过多天线MIMO技术和时空RAKE处理，有效对抗多径反射干扰，提升雷达在复杂环境中的检测能力。

该论文提出了一种采用环路接地传输线结构的59GHz Push-Push VCO，实现了13.9GHz的宽调谐范围，用于覆盖57-66GHz全频段的60GHz无线通信收发器。解决了传统VCO调谐范围不足、无法支持多频段覆盖的问题。

该论文实现了一个完全集成的57-66GHz正交锁相环（PLL），采用45nm数字CMOS工艺，通过两种技术解决了毫米波PLL调谐范围不足的问题，覆盖了60GHz频段的世界联合频段。

该论文提出了一个工作在57-66GHz的紧凑型直接下变频前端，采用45nm数字CMOS工艺，实现了全数字控制、低功耗和低1/f噪声，适用于相控阵系统。

该论文提出了一种基于注入锁定技术的双模架构，用于相控阵接收机，解决了传统III-V工艺成本高、集成度低的问题。通过注入锁定实现相位控制，支持波束形成和波束转向两种模式，在0.13µm CMOS工艺中实现了低功耗、小面积的相控阵接收机。

该论文提出了一种基于Si/SiGe工艺的级联建构波放大器拓扑，实现了100GHz工作频率和26dB增益，解决了W波段硅集成电路的带宽和增益限制问题。

本文展示了在65nm基线CMOS工艺中设计W波段（75-110GHz）放大器的可行性，实现了+10dBm的饱和输出功率和7.5dB的噪声系数。通过优化无源器件性能，克服了深亚微米CMOS在毫米波频率下的性能损失，证明了低成本CMOS技术可应用于100GHz电路。

本文首次在标准数字65nm CMOS工艺中实现了150GHz放大器，通过使用dummy-prefill技术来应对金属密度规则对无源元件特性的影响，成功保留了晶体管的高频增益。该放大器在1.1V电源电压下实现了8dB增益和+6dBm饱和输出功率，为100GHz以上无线通信、医学成像和化学传感器等应用提供了CMOS解决方案。

该论文提出了一种工作在128.24至137.00GHz的注入锁定分频器（ILFD），采用65nm CMOS工艺，适用于D波段应用。通过分裂注入和分裂交叉耦合对技术，解决了高频分频器在毫米波频段锁定范围窄和功耗高的问题。

该论文提出了一种用于毫米波应用的多频段多模式注入锁定分频器（M-ILFD），能够支持38GHz和57GHz频段，通过单个锁相环生成多个频段信号，从而减小电路尺寸和功耗。

该论文在32nm SOI CMOS工艺中设计了一个由四个互补LC-VCO组成的阵列，通过选择性切换实现从83.20到104.28GHz的覆盖，占W波段（75-110GHz）的51.4%。解决了毫米波单VCO调谐范围有限的问题，提供了宽带频率生成方案。

该论文提出了一款在65nm CMOS工艺中实现的96GHz锁相环（PLL），旨在为W波段应用（如77GHz防撞系统、94GHz成像系统和100Gb/s以太网收发器）提供稳定的参考频率/时钟。通过设计，该PLL实现了低功耗（43.7mW）和高频操作，解决了毫米波频段频率合成中的功耗和性能挑战。

该论文提出了一种18Gb/s的duobinary接收器，采用CDR辅助的DFE技术来均衡信号。主要解决了duobinary信号中高频toggle pattern导致的DFE性能下降问题，通过CDR辅助机制改善了均衡效果。

该论文提出了一种采用内部反馈技术的宽带分布式放大器，在90nm CMOS工艺中实现了660GHz的增益带宽积。解决了传统分布式放大器增益与带宽折衷的问题，适用于高速链路、宽带无线电收发器和高分辨率雷达成像系统。

该论文在0.13µm CMOS工艺上设计了一款18GHz低噪声放大器，集成了2kV ESD保护，实现了4dB的噪声系数。解决了高频段无线通信中对ESD保护和低噪声性能的需求。

本文设计了一款60GHz低噪声放大器（LNA），采用65nm数字CMOS工艺，实现单端输入转差分输出。在59.3GHz频率下，达到22.3dB电压增益（19.3dB功率增益）和6.1dB噪声系数，适用于宽带高速无线通信系统。

该论文提出了一种采用30GHz本振(LO)的60GHz CMOS接收机，通过使用半输入频率的LO来简化LO和分频器设计，同时针对LO三次谐波引入的额外镜像问题提出了解决方案。

该论文提出一种基于天线反射器切换的近场调制技术，能够在近场区域产生空间上独立控制的信号，从而突破传统发射机信号在所有方向携带相同信息的限制。通过切换天线附近的反射器状态，实现不同角度的信号独立调制，为空间复用和方向图合成提供新思路。

该论文提出了一款可扩展的6-18GHz并发双频四波束相控阵接收机，采用CMOS工艺实现。主要解决了传统相控阵系统成本高、体积大的问题，通过硅基集成实现了尺寸和成本的大幅降低。

该论文提出了一种在90nm数字CMOS工艺中实现的52GHz相控阵接收机前端，通过在LO路径进行移相来减少高频信号在CMOS衬底上的长距离布线，从而解决损耗和匹配问题，并实现低面积和低功耗的波束赋形。

本文在90nm标准CMOS工艺中实现了60GHz接收机前端，功耗仅24mW，且仿真与实测结果高度吻合，解决了毫米波CMOS接收机设计中仿真不准确和量产难度大的问题。

该论文实现了工作在95GHz的全集成接收机，包括LNA、混频器、IF放大器、基频正交VCO和静态分频器，采用65nm数字CMOS工艺。解决了毫米波频段下CMOS接收机集成度和性能的挑战，展示了CMOS在95GHz高频应用的可行性。