ISSCC 2019Session 9mm-Wave
本文提出了一款工作在77/79GHz的192虚拟接收器GMSK码域MIMO雷达系统级芯片，通过码分多址技术实现高角度分辨率，解决了传统MIMO雷达虚拟接收器数量有限的问题。
▸实现了192个虚拟接收器，大幅提升MIMO雷达的角度分辨率。
▸采用GMSK码域调制，支持码分多址MIMO架构。
ISSCC 2019Session 9mm-Wave
该论文提出了一种面向汽车环视雷达的高频收发机方案，旨在解决传统雷达在近距离盲区和多目标检测中的局限性。通过集成多通道收发架构和先进信号处理技术，实现了高分辨率、宽覆盖范围的环视感知能力。
▸提出了一种多通道收发机架构，支持360度环视雷达应用，有效消除近距离盲区。
▸采用先进工艺和电路设计技术，实现了高线性度和低噪声性能，提升多目标检测精度。
ISSCC 2018Session 4mm-Wave
该论文提出了一种64GHz全双工收发机前端，采用片上多馈自干扰消除天线和全通网络，解决了毫米波全双工系统中宽带调制自干扰抑制的难题。通过天线域、射频域和数字域的分布式抵消，实现了约100dB的自干扰消除，显著降低了接收机线性度要求。
▸首次在64GHz毫米波频段实现片上多馈自干扰消除天线，提供天线域的高隔离度。
▸结合全通网络和分布式抵消架构，在宽带调制信号下实现约100dB的自干扰抑制。
ISSCC 2018Session 4mm-Wave
本文提出了一种全集成可扩展的W波段相控阵模块，集成了天线、自对准和自测试功能，旨在降低5G毫米波系统的成本并支持大规模部署。
▸实现了全集成可扩展的W波段相控阵模块，将天线、自对准和自测试功能集成在单一芯片上。
▸通过自对准和自测试技术简化了阵列校准和测试流程，降低了系统复杂度与成本。
ISSCC 2018Session 4mm-Wave
本文提出一种可重构的28/37GHz混合波束赋形MIMO接收机，支持单频段多流MIMO和双频段载波聚合模式，通过全连接架构最大化孔径利用率，并采用数字可编程RF波束赋形权重实现灵活控制。
▸提出三种可配置工作模式：28GHz单频段多流、37GHz单频段多流以及28/37GHz双频段单流载波聚合模式，实现多场景灵活应用。
▸实现从每个天线输入到每个输出流的全连接架构，最大化孔径利用率，提升MIMO性能。
ISSCC 2018Session 4mm-Wave28nm CMOS
该论文提出了一款采用28nm bulk CMOS工艺的28GHz双极化24通道相控阵收发器，用于5G用户设备和基站，解决了低成本、高输出功率和效率的问题。
▸首次在28nm bulk CMOS上实现24通道双极化相控阵收发器，降低了成本。
▸设计了高效的功率放大器（PA）和低噪声放大器（LNA），在紧凑面积内优化了输出功率和噪声性能。
ISSCC 2018Session 4mm-Wave
该论文提出了一款23-30GHz混合波束成形MIMO接收机阵列，采用闭环多级前端波束成形器，旨在解决未来5G及动态环境（如AR/VR、车联网）中毫米波窄波束的快速精确对准与跟踪问题。通过全视场动态波束成形，提升了链路可靠性与低延迟性能。
▸提出闭环多级前端波束成形架构，实现全视场动态波束跟踪，无需静态对准。
▸混合波束成形MIMO接收机阵列，兼顾大规模阵列增益与灵活波束控制。
ISSCC 2018Session 4mm-Wave
该论文介绍了一款60GHz 144单元相控阵收发器，实现了51dBm的最大EIRP和±60°的波束扫描范围，用于回程应用。它解决了毫米波通信中高增益、宽角度覆盖和高效能传输的挑战。
▸采用144个天线单元的大规模相控阵架构，实现了高EIRP和宽波束扫描能力。
▸集成了完整的收发器设计，包括射频前端和波束赋形网络，支持5G回程应用。
ISSCC 2016Session 25mm-Wave0.13μm SiGe BiCMOS
本文提出了一种320GHz亚谐波混频相干成像器，采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺，通过相干检测代替传统非相干直接检测，显著提升了灵敏度，解决了太赫兹成像中因输出功率衰减快导致的低灵敏度问题。
▸首次在硅基工艺中实现320GHz亚谐波混频相干成像架构，利用本地振荡器的谐波进行混频，降低了对高频本振的要求。
▸通过相干检测原理，使输出响应与输入电场幅度成正比（∝VRF），相比非相干检测（∝VRF²）大幅提高了灵敏度。
ISSCC 2016Session 25mm-Wave65nm CMOS
本文提出了一种基于65nm CMOS工艺的100GHz无Dicke开关辐射计，通过消除传统Dicke辐射计中参考负载切换的时间浪费，实现了100%的时间效率，同时达到0.43K的噪声等效温差（NEΔT）。该设计适用于地球科学遥感、被动成像等应用。
▸创新点1：采用Dicke-free架构，避免了传统Dicke辐射计中50%的时间浪费于参考负载，实现100%时间效率。
▸创新点2：在65nm CMOS工艺下，于100GHz频段实现了0.43K的超低噪声等效温差，性能优于此前硅基辐射计。
ISSCC 2016Session 25mm-Wave
该论文提出了一种40-330GHz的无合成器太赫兹片上光谱仪，利用电磁散射实现宽带频谱分析，避免了传统下变频架构中大量频率合成器和倍频器的需求。解决了太赫兹传感系统中高分辨率与宽带宽难以兼顾的问题。
▸提出基于电磁散射的无合成器太赫兹光谱仪架构，无需传统LO合成器即可实现宽带频谱分析。
▸在40-330GHz范围内实现片上集成，利用电磁散射特性进行频率选择与检测。
ISSCC 2016Session 25mm-WaveCMOS
该论文提出了一款210至305GHz的CMOS接收机前端，用于旋转光谱学中的气体分子检测。通过集成片上天线并采用相位补偿人工磁导体（PC-AMC）替代金属反射器，实现了13.9至19dB的单边带噪声系数。
▸采用相位补偿人工磁导体（PC-AMC）作为反射器，替代传统金属反射器，提升了天线性能并降低了噪声系数。
▸实现了210至305GHz的宽频带覆盖，适用于旋转光谱学中的快速扫描气体检测。
ISSCC 2016Session 25mm-Wave0.13µm SiGe BiCMOS
本文提出了一款全集成0.55THz近场传感器，采用0.13µm SiGe BiCMOS工艺实现。该传感器通过近场探测突破了传统太赫兹成像的衍射极限，实现了8µm的横向分辨率，并消除了外部照明带来的远场背景杂散干扰。
▸首次将0.55THz近场传感器完全集成在单一芯片上，无需外部光源或分立探测器组件。
▸通过近场探测机制将横向分辨率提升至8µm，远超传统太赫兹成像的毫米级衍射极限。
ISSCC 2014Session 14mm-Wave65nm CMOS
该论文提出了一款工作在247至263.5GHz的压控振荡器(VCO)，采用65nm体硅CMOS工艺，实现了2.6mW的峰值输出功率和1.14%的直流到射频效率。通过创新的电路设计克服了CMOS器件fmax不足的限制，为太赫兹频段信号生成提供了低成本、高集成度的解决方案。
▸采用谐波振荡器结构，利用晶体管非线性产生高频信号，突破了CMOS器件fmax的限制。
▸通过优化谐振网络和输出匹配网络，在247-263.5GHz频段实现了2.6mW的峰值输出功率和1.14%的直流到射频效率。
ISSCC 2014Session 14mm-Wave90nm SiGe BiCMOS
针对太赫兹开环信号源频率漂移问题，采用90nm SiGe BiCMOS工艺设计了一款300GHz频率合成器，实现了7.9%的锁定范围。该合成器通过锁相环或注入锁定技术提高了频率稳定性，适用于相干通信和雷达系统。
▸在300GHz频段实现了7.9%的宽锁定范围频率合成器。
▸采用90nm SiGe BiCMOS工艺，兼顾高频性能与集成度。
ISSCC 2014Session 14mm-Wave65nm bulk CMOS
该论文提出了一种可扩展的太赫兹二维相控阵架构，在65nm bulk CMOS工艺中实现了338GHz的相干功率合成，解决了太赫兹频段片上功率产生和传输的难题。最终实现了+17dBm的等效各向同性辐射功率（EIRP），为高分辨率成像和光谱学应用提供了CMOS集成方案。
▸提出可扩展的二维相控阵架构，在太赫兹频段实现多个源的相干功率合成，有效提升辐射功率。
▸在65nm bulk CMOS中实现338GHz的振荡和辐射，突破了器件fmax限制，展示了CMOS工艺在太赫兹频段的潜力。
ISSCC 2014Session 14mm-Wave0.13µm SiGe BiCMOS
本文提出了一种工作在0.53THz的可重构源阵列，用于太赫兹成像应用，在0.13µm SiGe BiCMOS工艺中实现了高达1mW的辐射功率。该阵列解决了被动成像灵敏度不足的问题，为太赫兹相机提供人工照明。
▸提出可重构的太赫兹源阵列架构，实现频率和相位调谐
▸在0.53THz频率下达到1mW辐射功率，为硅基太赫兹发射器最高水平之一
ISSCC 2014Session 14mm-Wave0.13µm SiGe BiCMOS
该论文提出了一种工作在24-31GHz的F-1/F类功率放大器，采用0.13µm SiGe BiCMOS工艺，通过优化谐波阻抗和功率合成技术，实现了40.7%的峰值PAE、15dBm的OP1dB和50mW的饱和输出功率，解决了毫米波PA阵列中热密度和可靠性问题。
▸采用F-1/F类拓扑结构，在毫米波频段实现高效率功率放大，通过谐波控制提升PAE。
▸针对PA阵列应用，优化单元PA设计以降低热密度，提高整体阵列的可靠性和效率。
ISSCC 2014Session 14mm-Wave40nm CMOS
本文提出一种采用推挽结构的毫米波功率放大器，在40nm CMOS工艺中实现了低于0.8°的AM-PM失真，解决了Class-AB和Class-B偏置下因高PAPR信号导致的线性度恶化问题。
▸采用推挽结构有效抑制AM-PM失真，无需额外的预失真或线性化技术
▸在40nm CMOS工艺中实现了<0.8°的极低AM-PM失真，同时保持较高的功率附加效率
ISSCC 2014Session 14mm-Wave28nm CMOS
该论文实现了一款79GHz相位调制连续波雷达发射机，带宽4GHz，采用28nm CMOS工艺。旨在解决毫米波雷达高分辨率运动检测中对高带宽和宽视场角分辨率的需求。
▸采用相位调制方式实现4GHz带宽的连续波雷达信号，提升距离分辨率。
▸在28nm CMOS工艺上集成79GHz发射机，兼顾低功耗与小面积。
ISSCC 2014Session 14mm-Wave
该论文提出了一种在40nm CMOS工艺上实现的E波段功率放大器，工作电压0.9V，输出功率20.9dBm，峰值PAE 22.3%。采用宽带并联-串联功率合成器，实现了在71-86GHz频段内均匀的增益和输出功率，解决了低电压下高输出功率和高效率的挑战。
▸提出宽带并联-串联功率合成器结构，实现了毫米波频段的高效功率合成和宽带匹配。
▸在0.9V低电源电压下实现了超过20dBm的输出功率和22.3%的PAE，突破了低电压毫米波功率放大器的性能限制。
ISSCC 2013Session 8mm-Wave
提出了一种基于电流重分布技术的BiCMOS LC-VCO，工作在37.8GHz，功耗仅10mW，平均FOMT达到-193.5dBc/Hz。通过6位粗调变容器阵列降低VCO增益，并结合温度计编码减少粗调位失配，有效抑制AM-PM转换噪声。
▸采用电流重分布技术，在低功耗下实现毫米波频段的高性能VCO。
▸设计了6位粗调变容器阵列，其中3个高位使用温度计编码、3个低位使用二进制编码，以降低VCO增益和失配影响。
ISSCC 2013Session 8mm-WaveSiGe BiCMOS
该论文提出了一种低成本、小型化的120GHz FMCW/CW雷达传感器系统级封装（SiP）方案，通过软件线性化技术解决了毫米波雷达系统中的非线性问题，实现了高精度测距和测速。
▸采用SiP技术将120GHz雷达收发器与天线集成在小型封装中，降低了系统成本和尺寸。
▸提出软件线性化方法，补偿FMCW信号的频率非线性，提高了雷达测距精度。
ISSCC 2013Session 8mm-Wave65nm CMOS
本文提出了一种94GHz 3D图像雷达引擎，采用4TX/4RX波束成形扫描技术，工作频率为88-96GHz且退化小于1dB。通过两步相位插值实现了7位相移器，解决了毫米波成像雷达的高精度波束控制问题。
▸提出了一种两步相位插值的7位相移器，通过粗调和细调两个步骤实现高分辨率相位合成。
▸实现了94GHz 3D图像雷达引擎，集成了4TX/4RX波束成形扫描，工作带宽覆盖88-96GHz且性能退化小于1dB。
ISSCC 2013Session 8mm-Wave
silicon technologies have recently shown the capability of implementing W-band imaging receivers with an image resolution of 1.5mm and temperature resolutions of less than 0.5K [1-4]. This paper exten
ISSCC 2013Session 8mm-Wave0.13µm SiGe BiCMOS
本文提出了一种全集成42GHz功率放大器架构，通过16路零度合成器组合16个片上PA，实现了0.7W输出功率和10%的功率附加效率，解决了硅基毫米波PA输出功率不足的问题。
▸采用16路零度合成器实现片上功率合成，显著提升输出功率至0.7W。
▸在0.13µm SiGe BiCMOS工艺中实现了全集成毫米波PA，达到接近1W的输出功率。
ISSCC 2013Session 8mm-Wave65nm CMOS
该论文在65nm CMOS工艺中设计并实现了一个工作于260GHz的放大器，获得了9.2dB的增益和-3.9dBm的饱和输出功率。主要解决了晶体管在接近最大振荡频率（fmax）时可用增益急剧下降的问题，为太赫兹和毫米波系统提供了有效的信号放大方案。
▸提出了一种适用于近fmax频率的增益提升技术，通过优化电路拓扑和匹配网络，在260GHz实现了超过晶体管本征增益的放大。
▸在65nm CMOS工艺中成功实现了260GHz放大器，展示了CMOS技术在太赫兹频段的潜力。
ISSCC 2013Session 8mm-Wave65nm CMOS
A 260GHz Broadband Source with 1.1mW Continuous-Wave Radiated Power and EIRP of 15.7dBm in 65nm CMOS
本文提出了一种在65nm CMOS工艺中实现的260GHz宽带辐射源，实现了1.1mW连续波辐射功率和15.7dBm等效全向辐射功率(EIRP)。解决了现有CMOS太赫兹源带宽不足的问题，适用于便携式太赫兹光谱系统。
▸采用宽带设计技术，在260GHz频段实现了比传统CMOS源更宽的调谐范围（具体带宽未在摘要中给出，但目标是宽带）。
▸实现了较高的辐射功率（1.1mW）和EIRP（15.7dBm），为CMOS太赫兹源在光谱成像等应用中提供足够输出。
ISSCC 2013Session 8mm-Wave32nm SOI CMOS
该论文提出了一款工作在210GHz的全集成差分收发机，采用32nm SOI CMOS工艺，通过基频VCO实现信号生成，解决了亚THz频段缺乏射频放大和高效信号生成的问题，为10Gb/s芯片间无线通信和成像/光谱学等应用提供了CMOS集成方案。
▸首次在32nm SOI CMOS中实现210GHz全集成差分收发机，采用基频VCO而非谐波方案，提高了输出功率和效率。
▸通过差分架构和片上天线设计，克服了亚THz频段缺乏射频放大器的限制，实现了收发机的高集成度。
ISSCC 2012Session 15mm-Wave40nm LP CMOS
该论文提出了一种在40nm LP CMOS工艺中实现的57-66GHz低功耗收发器，覆盖IEEE 802.15.3c和802.11ad标准的四个1.76GHz带宽信道，在7Gb/s速率下实现了-17dB的EVM，解决了此前收发器仅能覆盖1-2个信道的局限性。
▸首次在40nm LP CMOS中实现覆盖全频段（57-66GHz）的收发器，支持四个IEEE 802.11ad信道，相比之前仅支持1-2个信道有显著提升。
▸通过低功耗架构设计，在7Gb/s高速率下仍能保持-17dB的低EVM，适合QAM16等复杂调制。
ISSCC 2012Session 15mm-WaveCMOS
该论文提出了一种用于60GHz短距离无线通信的全集成CMOS收发器芯片组，包含带封装天线的RF芯片和集成PHY/MAC层的基带芯片，实现了2.62Gb/s的物理层吞吐量。解决了60GHz频段高速、高能效无线通信的集成度与性能问题。
▸采用带封装天线的RF芯片与基带芯片分离设计，实现全集成芯片组。
▸在60GHz频段实现2.62Gb/s的物理层吞吐量，支持短距离一对一无线通信。
ISSCC 2012Session 15mm-Wave65nm CMOS
本文提出了一种基于144GHz亚载波SAR相位雷达的3D成像系统，采用65nm CMOS工艺实现，分辨率达到0.76cm。该系统解决了毫米波雷达在短距离高分辨率3D成像中的应用问题，适用于安全筛查和生物医学领域。
▸首次在65nm CMOS中实现144GHz亚载波SAR相位雷达架构，通过相位检测实现高分辨率3D成像。
▸采用亚载波调制技术，在毫米波频段实现0.76cm的精细距离分辨率，优于传统雷达方案。
ISSCC 2012Session 15mm-Wave0.13µm SiGe BiCMOS
提出了一种基于相位控制的push-push四倍频器，在121-137GHz频段实现9%的功率效率，可用于高频信号源生成。解决了高数据率短距离通信和成像系统中对纯净稳定信号源的需求。
▸采用相位控制的push-push结构实现高效的频率四倍频，工作频率超过100GHz。
▸在0.13µm SiGe BiCMOS工艺上实现了9%的功率效率，覆盖121-137GHz宽带。
ISSCC 2012Session 15mm-Wave65nm CMOS
本文提出一款基于变压器功率合成技术的79GHz功率放大器，采用65nm CMOS工艺实现。在1V供电下达到19.3dBm输出功率，有效解决了毫米波频段高输出功率与低功耗之间的矛盾。
▸采用变压器功率合成技术，提高阻抗变换比并实现高效率功率合成
▸在65nm CMOS工艺中实现79GHz频段19.3dBm的高输出功率
ISSCC 2012Session 15mm-Wave
Sub-mm-Wave and terahertz frequencies have many applications such as medical imaging, spectroscopy and communication systems. CMOS signal generation at this frequency range is a major challenge due to
ISSCC 2012Session 15mm-Wave
该论文提出了一种基于CMOS工艺的0.28THz 4×4功率生成与波束控制阵列，解决了太赫兹频段低成本、室温工作的问题，实现了太赫兹信号的片上生成和波束扫描。
▸在CMOS平台上实现0.28THz的功率生成和波束控制阵列，突破传统III-V族工艺的限制。
▸采用4×4阵列架构，通过片上信号分配和相位控制实现波束方向可调，无需外部移相器。
ISSCC 2012Session 15mm-Wave0.13µm CMOS
该论文提出在0.13µm标准数字CMOS工艺中利用肖特基势垒二极管实现280GHz和860GHz图像传感器，无需外部透镜即可进行亚毫米波成像。解决了传统太赫兹成像系统成本高、集成度低的问题，给出了噪声等效功率等关键性能指标。
▸首次在标准数字CMOS工艺中实现无需外部透镜的280GHz和860GHz图像传感器。
▸利用肖特基势垒二极管实现宽带太赫兹探测，并给出了完整的噪声性能表征。
ISSCC 2012Session 15mm-Wave
该论文提出了一种用于60GHz相控阵接收机的4路42.8-49.5GHz本振生成器，并集成了自动相位调谐功能，以解决传统基带调谐算法耗时长的难题。通过自动相位调谐，实现了快速、精确的波束指向控制。
▸提出了一种4路本振生成架构，覆盖42.8-49.5GHz频率范围，适用于60GHz相控阵接收机。
▸集成了自动相位调谐技术，无需基带算法即可快速调整各通道相位，缩短调谐时间。
ISSCC 2012Session 15mm-Wave
该论文提出了一款1k像素CMOS太赫兹相机芯片，实现了25fps的实时成像。通过采用径向对称天线图案和硅片减薄技术，解决了太赫兹成像中的天线效率低和衬底损耗问题。
▸首次实现1k像素CMOS太赫兹相机芯片，支持25fps实时成像
▸采用宽频带径向对称天线图案和150µm减薄硅片，实现0.8-1THz范围内70-77%的辐射效率
ISSCC 2011Session 16mm-Wave
该论文提出了一种用于人体特征检测的短距离UWB脉冲无线电CMOS传感器，能够实现非接触式的人员检测、定位和监测，包括步态和心肺活动等特征。解决了在可见光、红外和超声波等传感方式无法工作的不同可见度条件下的环境感知问题。
▸采用UWB脉冲无线电技术实现非接触式人体特征检测，克服了传统传感方式在低可见度条件下的局限性。
▸传感器可嵌入环境并与现有无线基础设施组网，构建智能响应环境，用于儿童、患者和老年人的无侵入健康监测。
ISSCC 2011Session 16mm-Wave
is one of the promising candidates for realizing a CMOS radar IC [1-3]. Range and velocity resolutions of the FMCW radar are determined by the bandwidth and period of triangular modulation [4]. A shor
ISSCC 2011Session 16mm-Wave65nm LP CMOS
该论文提出了一款基于65nm LP CMOS工艺的120GHz全集成相位调制发射机，实现了超过10Gb/s的数据速率。通过采用高速相位调制架构，解决了在120GHz毫米波频段进行宽带调制的挑战，满足了无线通信对更高数据速率的迫切需求。
▸采用一种简洁且高速的相位调制架构，实现了120GHz频段的高数据速率通信。
▸在65nm低功耗CMOS工艺上实现了全集成120GHz发射机，达到10Gb/s以上的传输速率。
ISSCC 2011Session 16mm-Wave
提出了一种分布式有源辐射方法，用于在CMOS中生成太赫兹(THz)信号，解决了传统方法功率极低（纳瓦级）的问题，实现了高功率、高效率的THz信号产生与辐射。
▸提出分布式有源辐射架构，将多个有源辐射单元协同工作以提升THz输出功率
▸利用CMOS工艺实现THz频段的高效信号生成，突破了传统硅基器件的频率限制
ISSCC 2011Session 16mm-Wave65nm CMOS
该论文提出了一种工作在220-275GHz的行波倍频器，采用65nm CMOS工艺实现，在244GHz处输出功率为-6.6dBm。它通过分布式结构克服了传统CMOS倍频器在高频段输出功率低和调谐范围窄的问题，为太赫兹信号源提供了新的解决方案。
▸提出行波倍频器结构，利用分布式设计实现宽频带和高输出功率。
▸在65nm CMOS工艺中实现了220-275GHz的工作频率，突破了传统CMOS倍频器的高频限制。
ISSCC 2011Session 16mm-Wave0.13µm CMOS
该论文提出了一种60GHz天线参考频率锁定环（FLL），采用0.13µm CMOS工艺，旨在消除无线传感器网络节点中的外部晶体参考，实现全集成。通过利用天线作为频率参考，降低了成本和体积，适用于长期部署的无线传感器网络。
▸首次提出使用天线作为频率参考的FLL架构，替代传统PLL中的晶体振荡器，实现全集成。
▸在60GHz毫米波频段实现频率锁定，无需外部晶振，显著减小节点体积和成本。
ISSCC 2011Session 16mm-Wave65nm CMOS
该论文提出了一种无电感器的CMOS四分频器，工作频率高达70GHz，功耗仅为6.5mW。通过采用新型电路拓扑，解决了传统静态CML锁存器在毫米波频段功耗过大的问题。
▸提出了一种无电感器的四分频器结构，避免了电感的使用，降低了芯片面积和成本。
▸实现了高达70GHz的工作频率，同时功耗仅为6.5mW，显著优于传统CML分频器。
ISSCC 2011Session 16mm-Wave
本文提出了一种基于磁耦合谐振器的毫米波正交压控振荡器（VCO），工作在60GHz频段。该设计旨在为直接转换收发器和相控阵系统提供紧凑、低相位噪声的正交信号参考，同时保持中等功耗。通过磁耦合谐振器实现正交相位生成，有效抑制了相位噪声并减小了芯片面积。
▸提出采用磁耦合谐振器替代传统方法，在毫米波频段实现紧凑型正交VCO结构。
▸通过磁耦合机制优化相位噪声性能，同时降低功耗和面积开销。
ISSCC 2011Session 16mm-Wave
该论文提出了一种用于毫米波成像的183GHz CMOS再生接收机像素电路，通过低功耗设计解决了大型成像阵列中功耗随像素数量平方增长的问题。实现了13.5mW/像素的功耗，为构建大规模片上成像阵列提供了可行的像素方案。
▸提出一种183GHz再生接收机架构，在毫米波频段实现了低功耗像素设计，功耗仅为13.5mW/像素。
▸针对大阵列成像应用，通过电路优化显著降低了单个像素的功耗，从而缓解了阵列总功耗随像素数平方增长的瓶颈。
ISSCC 2011Session 16mm-Wave45nm CMOS
本文提出一款工作于21.7-27.8GHz的频率合成器，采用45nm CMOS工艺，实现了24.8%的调谐范围和2.57°rms的残余相位调制，功耗仅40mW。该合成器与倍频器和分频器结合，为IEEE 802.15.3c 60GHz通信标准提供所需的本振频率。
▸在45nm CMOS工艺中实现了覆盖21.7-27.8GHz的宽调谐范围（24.8%），同时保持低功耗（40mW）和低相位噪声（2.57°rms）。
▸采用滑动中频结构，结合倍频器和二分频器，从单个PLL直接生成60GHz通信所需的四个本振频率。
ISSCC 2010Session 23mm-WaveSiGe BiCMOS
该论文提出了一种基于SiGe BiCMOS工艺的650GHz接收机前端，用于太赫兹成像阵列。通过集成天线和低噪声检测器，解决了低成本、大规模太赫兹成像阵列的集成难题。
▸首次在硅基工艺中实现650GHz的接收机前端，用于太赫兹成像。
▸采用SiGe BiCMOS工艺集成天线和检测器，实现低成本、大规模阵列。