ISSCC 2016Session 22RF & WirelessCMOS SoC(未明确具体节点)
该论文提出了一种集成OLED/OPD与CMOS SoC的SpO2/ExG监测贴片,利用有机材料的光学特性和CMOS SoC的功能性能,实现了低功耗(141µW)的血氧和心电图监测。解决了传统分立器件在柔性、低成本生物医学监测中的集成难题。
▸首次将OLED/OPD与CMOS SoC集成在同一柔性基底上,实现SpO2和ExG双模监测。
▸利用OLED薄膜作为集成基板,降低制造成本并支持大面积发光。
ISSCC 2016Session 22RF & Wireless
该论文提出了一款176通道、体积仅0.5cm³、重量0.7g的无线植入式神经刺激器,用于脊髓损伤后运动功能恢复。通过硬膜外脊髓刺激调制腰骶神经网络,实现了对大鼠运动功能的恢复。
▸实现了176通道的高密度刺激,同时将植入体体积压缩至0.5cm³、重量仅0.7g,达到极小的尺寸和重量。
▸采用无线供电和通信技术,避免了经皮导线,提升了植入体的长期可靠性和患者舒适度。
ISSCC 2016Session 20RF & Wireless
该论文提出了一种用于射频电流无源混频器的滤波跨阻放大器(TIA),功耗仅为1.92mW。通过优化电路结构,在保持低输入阻抗的同时实现了滤波功能,有效降低了混频器输出端的电压摆幅,改善了接收机的噪声和线性度性能。
▸提出了一种低功耗滤波TIA架构,在传统TIA基础上集成滤波功能,无需额外有源滤波器。
▸通过电流反馈和电容分流技术,在低功耗下实现了宽带宽和低输入阻抗,适用于无源混频器后级。
ISSCC 2016Session 20RF & Wireless
该论文提出了一种用于电气平衡双工器的双频平衡网络,工作频率0.7-1GHz,旨在解决FDD移动系统中在TX和RX两个频率上同时平衡天线阻抗的挑战。通过片上可调阻抗实现双频段隔离,适用于4G/5G移动系统。
▸提出双频平衡网络结构,能在两个不同频率(TX和RX)上同时实现阻抗平衡,克服传统单频平衡网络的局限性。
▸工作频率覆盖0.7-1GHz,支持多个4G/5G频段,且采用片上可调阻抗实现,提高集成度和灵活性。
ISSCC 2016Session 20RF & Wireless
该论文提出了一种用于RF功率放大器的供电调制器,实现了83%的效率和-136dBm/Hz的噪声性能,适用于LTE-40MHz和GSM 35dBm应用。解决了在平均功率跟踪和包络跟踪方法中,如何设计高效低噪声的供电调制器集成电路的挑战。
▸实现了83%的高效率,同时保持极低的-136dBm/Hz噪声,优于现有方案。
▸支持LTE-40MHz和GSM 35dBm两种标准,具有宽频带和高输出功率能力。
ISSCC 2016Session 20RF & Wireless28nm CMOS
该论文提出了一种用于5G相控阵的28GHz高效线性功率放大器,采用28nm bulk CMOS工艺。通过优化电路结构,解决了毫米波功率放大器在功率回退下的效率与线性度折衷问题。
▸提出了一种新型的线性化技术,在8-10dB功率回退下保持高效率。
▸采用28nm bulk CMOS工艺实现了28GHz频段的高性能功率放大器,适用于5G用户设备。
ISSCC 2016Session 20RF & Wireless65nm CMOS
本文提出了一种在65nm CMOS工艺中实现的300GHz无线锁定2×3阵列,通过创新的锁相技术实现了5.4dBm的辐射功率和5.1%的直流到射频效率,解决了太赫兹频段CMOS阵列频率和相位锁定困难的问题。
▸提出了一种可扩展的辐射发射阵列结构,实现了2×3阵列的无线频率和相位锁定。
▸在65nm CMOS工艺中实现了300GHz频段的高效辐射,达到了5.4dBm的辐射功率和5.1%的直流到射频效率。
ISSCC 2016Session 20RF & Wireless65nm CMOS
本文设计了一种工作在86-94.3GHz W波段的CMOS发射机,采用65nm工艺实现了15.3dBm输出功率和9.6%的效率,解决了高频段功率与效率的权衡问题,适用于成像和雷达系统。
▸采用65nm CMOS工艺实现W波段高输出功率发射机,无需SiGe或III-V族材料。
▸通过优化功率放大器与匹配网络,在86-94.3GHz宽带内实现了15.3dBm输出功率和9.6%峰值效率。
ISSCC 2016Session 20RF & Wireless
该论文提出了一种频率可重构的毫米波功率放大器,采用主动阻抗合成和非对称非隔离组合器架构,能够在宽频率范围内实现近最优性能。解决了传统功率放大器因输出匹配或组合网络带宽限制而工作频率范围有限的问题。
▸提出主动阻抗合成技术,通过动态调整阻抗实现宽频带内的近最优匹配。
▸采用非对称非隔离组合器架构,在保持高输出功率和效率的同时扩展频率调谐范围。
ISSCC 2016Session 20RF & Wireless28nm CMOS
该论文在28nm CMOS工艺中设计了一款68.1至96.4GHz的可变增益低噪声放大器(LNA),以支持E-Band通信系统的高数据速率需求。通过实现超过20dB的增益和宽频带内平坦的噪声系数,解决了宽带低噪声接收前端的关键挑战。
▸实现了覆盖68.1至96.4GHz超宽频带的可变增益LNA,满足E-Band双频段(71-76GHz和81-86GHz)要求。
▸采用28nm CMOS工艺,在毫米波频段实现了低噪声和可变增益特性,兼顾带宽与性能。
ISSCC 2016Session 20RF & Wireless40nm CMOS
该论文提出了一款工作在300GHz的40nm CMOS发射机,支持6通道32-QAM调制,每通道数据率高达17.5Gb/s,解决了太赫兹频段多通道超高速无线通信的难题。
▸首次在40nm CMOS工艺上实现300GHz频段的多通道32-QAM发射机,每通道速率达17.5Gb/s。
▸利用未分配的275GHz以上频段,实现了6通道并行传输,总数据率超过100Gb/s。
ISSCC 2016Session 2RF & Wireless28nm CMOS
A 2GHz 244fs-Resolution 1.2ps-Peak-INL EdgeInterpolator-Based Digital-to-Time Converter in 28nm CMOS
该论文提出了一种基于边缘插值器的数字时间转换器(DTC),在28nm CMOS工艺下实现了2GHz工作频率、244fs分辨率和1.2ps峰值INL,解决了高速DTC在高分辨率与低非线性度之间的权衡问题。
▸采用边缘插值器架构实现高分辨率时间量化,避免了传统延迟链的累积误差。
▸通过多级分段设计结合数字校准,在2GHz高频下达到244fs分辨率与1.2ps峰值INL的优异性能。
ISSCC 2016Session 2RF & Wireless0.13μm CMOS
该论文提出了一种混合模式注入频率锁定环(MI-FLL),用于自校准注入锁定振荡器(ILO)的锁定范围和相位噪声,解决了传统ILO锁定范围窄且需要额外功耗的问题。通过闭环配置,无需增加注入电流即可拓宽锁定范围并降低相位噪声。
▸提出混合模式注入频率锁定环架构,结合模拟和数字控制实现自校准,无需额外功耗。
▸通过自校准技术同时优化注入锁定范围和相位噪声,克服了传统开环注入锁定的局限性。
ISSCC 2016Session 2RF & Wireless
本文提出了一种双模式时间交织环形压控振荡器(RVCO),在0.003mm²的小面积上实现了1.7-3.5GHz的调谐范围,并达到了90-150kHz的1/f³相位噪声转角。通过时间交织技术,突破了传统环形振荡器相位噪声性能的限制。
▸提出双模式时间交织环形VCO架构,通过时间交织技术有效降低相位噪声,同时保持小面积和宽调谐范围。
▸实现了90-150kHz的极低1/f³相位噪声转角,显著优于传统环形VCO,接近LC振荡器性能。
ISSCC 2016Session 2RF & Wireless0.13μm BiCMOS
该论文提出了一种工作在190.5GHz的模式切换VCO,采用0.13μm BiCMOS工艺,通过创新的模式切换技术实现了20.7%的连续调谐范围和-2.1dBm的最大输出功率,解决了毫米波/太赫兹频段VCO调谐范围受限的问题。
▸提出了一种模式切换技术,通过在不同谐振模式间切换来扩展VCO的调谐范围,克服了变容管低品质因数和寄生电容的限制。
▸在190.5GHz频段实现了20.7%的连续调谐范围,同时保持了-2.1dBm的高输出功率,性能优于同类设计。
ISSCC 2016Session 2RF & Wireless
该论文提出一种用于物联网(IoE)的互补LC压控振荡器(VCO),通过共模共振技术实现了195dBc/Hz的优值和200kHz的低闪烁噪声拐角。解决了传统VCO在高性能与低噪声之间的权衡问题。
▸采用互补结构(NMOS和PMOS)结合显式或隐式共模共振,提升振荡摆幅并降低相位噪声。
▸通过优化谐振腔设计,使差分模式频率为共模频率的一半,从而在不增加额外电感的情况下实现共模共振。
ISSCC 2016Session 2RF & Wireless
该论文提出了一款2-16GHz BiCMOS ΔΣ分数N PLL频率合成器,集成了VCO和倍频器,用于无线回程应用。解决了无线基础设施中高频宽带频率合成集成度低的问题。
▸采用BiCMOS工艺集成VCO和倍频器,实现2-16GHz宽频覆盖,提高了系统集成度。
▸使用ΔΣ分数N架构,实现精细频率分辨率和低相位噪声。
ISSCC 2016Session 2RF & Wireless
该论文提出了一种采用级联时间放大时钟偏移子采样技术的3阶2.1GHz锁相环(PLL),通过3阶反馈环路实现大低频环路增益以抑制相位噪声,同时利用级联时间放大技术解决了高阶环路导致的建立时间恶化问题,实现了4.2μs的快速建立时间。
▸提出了级联时间放大时钟偏移子采样技术,在子采样PLL中实现快速建立时间,克服传统子采样PLL建立时间慢的缺点。
▸采用3阶Type-III PLL架构,提供大低频环路增益,有效抑制VCO相位噪声和电源敏感性。
ISSCC 2016Session 2RF & Wireless65nm CMOS
本文提出了一种可扩展的28GHz耦合锁相环(PLL),采用65nm CMOS工艺,通过单线同步技术实现大规模5G毫米波阵列中不同单元之间的相位一致性。解决了瓦片式MIMO/相控阵中LO分布和相位噪声的挑战。
▸提出可扩展的28GHz耦合PLL架构,支持大规模毫米波阵列的瓦片式集成。
▸采用单线同步技术,实现不同单元IC/PCB之间的相位相干性,简化了LO分布。
ISSCC 2016Session 2RF & Wireless65nm CMOS
该论文在65nm CMOS工艺中实现了一个集成0.56THz频率合成器,解决了太赫兹频段本地振荡器源的需求。该合成器具有21GHz的锁定范围和-74dBc/Hz@1MHz偏移的相位噪声,适用于行星科学、天体物理和射电天文学等应用。
▸首次在65nm CMOS工艺中实现了0.56THz频率合成器,突破了传统硅基太赫兹频率源的限制。
▸实现了21GHz的锁定范围,在太赫兹频段提供了较宽的调谐能力。
ISSCC 2015Session 25RF & Wireless
本论文提出一种基于FBAR(薄膜体声波谐振器)的频率参考,输出750MHz,工作在750mV电源下,功耗仅1.1mW,精度达到±3ppm。该设计旨在替代传统石英晶体振荡器,以满足新兴无线应用(如可穿戴设备和物联网)对低成本、小尺寸和晶圆级制造的需求。
▸采用FBAR代替石英晶体作为频率参考源,实现晶圆级集成,大幅降低尺寸和成本。
▸在超低功耗(1.1mW)和低电源电压(750mV)下实现高频率精度(±3ppm),适合电池供电设备。
ISSCC 2015Session 25RF & Wireless0.13μm CMOS
本文提出了一种在0.13μm CMOS工艺中实现的2.4GHz VCO,通过使用ISF操纵技术显著改善了近端相位噪声,在10kHz至2MHz偏移频率范围内实现了190dBc/Hz的FOM。该技术有效抑制了闪烁噪声对相位噪声的影响,满足了IEEE 802.11a/b/g等通信标准对低近端相位噪声的要求。
▸提出了一种ISF(脉冲灵敏度函数)操纵技术,通过优化振荡器波形来降低闪烁噪声对近端相位噪声的贡献。
▸在2.4GHz VCO中实现了190dBc/Hz的FOM,覆盖10kHz至2MHz的宽偏移频率范围,显著优于传统结构。
ISSCC 2015Session 25RF & Wireless
提出了一种2.4GHz 4mW的无电感RF整数N合成器架构,解决了接收机中最后一个电感问题。采用环形振荡器替代LC-VCO,实现了与传统LC振荡器相当的相位噪声和FOM,同时显著减小面积、降低耦合、拓宽调谐范围并支持多相位输出。
▸提出无电感RF合成器架构,消除片上最后一个电感的困扰,实现完全无电感的接收机。
▸使用环形振荡器替代LC-VCO,在保持性能的前提下获得更小面积、更宽调谐范围和易于多相输出的优势。
ISSCC 2015Session 25RF & Wireless65nm CMOS
本文提出了一种采用被动缩放环路滤波器的65nm CMOS锁相环,工作频率范围为70.5至85.5GHz,有效解决了传统主动环路滤波器引入额外噪声的问题,实现了全集成且低相位噪声的毫米波频率合成器。
▸采用被动缩放技术替代主动环路滤波器,无需运算放大器,避免了主动噪声引入,同时实现了环路滤波器电容的片上集成。
▸在65nm CMOS工艺上实现了70.5-85.5GHz的宽频率调谐范围,适用于71-86GHz频段的应用需求。
ISSCC 2015Session 25RF & Wireless65nm CMOS
该论文提出了一种320GHz锁相发射机,用于外差太赫兹成像系统,解决了太赫兹成像中因缺乏低噪声放大器而导致的灵敏度不足和照明源功率需求过大的问题。通过集成锁相环和功率放大器,实现了3.3mW的辐射功率和22.5dBm的等效全向辐射功率。
▸首次在320GHz频段实现锁相发射机,结合锁相环和功率放大器,提高了频率稳定性和输出功率。
▸采用外差架构,降低了成像系统对像素灵敏度的要求,从而减少了照明源的功率需求。
ISSCC 2015Session 25RF & Wireless
该论文提出了一种降低1/f噪声上变频的技术,应用于Class-D和Class-F振荡器,以改善近载波相位噪声性能。该技术避免了现有方案需要额外可调电感或恶化20dB/dec区域相位噪声的缺点。
▸提出一种新的1/f噪声上变频降低技术,不需要额外电感且不恶化20dB/dec区域相位噪声。
▸该技术适用于Class-D和Class-F两种振荡器架构,具有通用性。
ISSCC 2015Session 25RF & Wireless
该论文提出了一种具有隐式共模谐振的VCO拓扑,通过巧妙的设计实现了共模谐振而无需额外的电感,解决了传统VCO中由于差分对晶体管进入三极管区导致的品质因数退化问题。该设计在不增加面积和功耗的前提下,提升了VCO的相位噪声性能。
▸提出隐式共模谐振技术,利用内部寄生参数实现共模谐振,避免额外电感,节约芯片面积。
▸通过提高共模阻抗在2倍LO频率处,防止差分对晶体管进入三极管区,保持高Q值。
ISSCC 2015Session 25RF & Wireless65nm CMOS
该论文提出了一种基于数字亚采样架构的ADC-PLL,利用电压域数字化实现低功耗低抖动频率合成。在65nm CMOS工艺中实现了2.2GHz振荡频率、4.2mW功耗和-242dB的FOM,解决了传统PLL功耗与噪声折中的问题。
▸采用数字亚采样架构结合ADC进行电压域数字化,避免了传统电荷泵和模拟环路滤波器的功耗与面积开销。
▸使用18位Class-C数字控制振荡器(DCO)和4位比较器,结合数字环路滤波器(DLF)与频率锁定环(FLL),实现低抖动和快速锁定。
ISSCC 2015Session 25RF & Wireless
本文提出了一种高度数字化的频率合成器,采用环形振荡器频率-数字转换和噪声消除技术,解决了数字分数N PLL中量化噪声和杂散性能较差的问题。
▸提出基于环形振荡器的频率-数字转换方法,替代传统数字PLL中的时间-数字转换器,降低量化噪声。
▸引入噪声消除技术,有效抑制分数N PLL中的量化噪声和杂散,提升相位噪声性能。
ISSCC 2015Session 13RF & Wireless
该论文提出了一种基于中频正交反向散射技术的5.8GHz射频供电收发器,实现了113μW的32-QAM发射机,解决了传统多级调制收发器功耗高的问题。
▸提出中频正交反向散射技术,实现高能效的32-QAM调制,无需高功耗的射频合成器。
▸采用5.8GHz射频供电,实现超低功耗(113μW)的发射机,适用于无线传感器网络。
ISSCC 2015Session 13RF & Wireless
该论文提出了一种用于极低占空比无线传感系统的2.4GHz发射机,通过超低泄漏设计实现了亚400pW的待机功耗,并在发射时达到+10dBm输出功率和43.7%的系统效率,解决了能量采集系统中待机功耗过高的问题。
▸采用超低泄漏电路架构,使发射机在待机状态下功耗低于400pW,适合极低占空比应用。
▸通过高效率功率放大器设计和系统级优化,在+10dBm输出功率下实现43.7%的系统效率。
ISSCC 2015Session 13RF & Wireless0.13μm CMOS
本文设计了一款600μW的蓝牙低功耗(BLE)前端接收机,采用0.13μm CMOS工艺,旨在满足能量采集供电的无线传感器和体域网应用。通过利用BLE标准中更宽的信道间隔和宽松的阻塞容差,实现了极低功耗的接收机架构。
▸实现了600μW的超低功耗BLE前端接收机,显著降低了射频接收机的功耗。
▸针对BLE标准放松的线性度和噪声指标进行优化,在0.13μm CMOS工艺中达到-70dBm灵敏度和约19dB噪声系数。
ISSCC 2015Session 13RF & Wireless65nm CMOS
本文提出了一种采用双IF多N路径架构的2.4GHz唤醒接收器,在65nm CMOS工艺中实现,解决了低功耗无线传感器网络中的高灵敏度与干扰抑制问题。该接收器在0.5V单电源下实现了-97dBm的灵敏度(10kb/s,10^-3 BER),具有低数据速率和强干扰耐受能力。
▸采用双IF多N路径架构,在实现高灵敏度(-97dBm)的同时增强了干扰抑制能力。
▸工作在0.5V低电压下,实现了超低功耗的唤醒接收器设计。
ISSCC 2015Session 13RF & Wireless
该论文提出一款功耗仅6.3mW的蓝牙低功耗(BLE)收发器,通过重用片上匹配网络同时实现接收端的镜像抑制滤波和发射端的谐波抑制滤波,从而减少面积和功耗,适用于物联网可穿戴设备。
▸提出一种RX镜像抑制滤波器和TX谐波抑制滤波器复用片上匹配网络的结构,有效降低面积和功耗。
▸实现了6.3mW超低功耗的BLE全集成收发器,满足可穿戴设备对极低功耗的需求。
ISSCC 2015Session 13RF & Wireless
本文提出一款功耗仅10mW的蓝牙低功耗收发器,集成了片上匹配网络,解决了无线传感器节点在低功耗、抗干扰和小尺寸之间的权衡问题。通过采用LO运行在接收频率以下或等于接收频率的架构,降低了LO生成和分布的功耗。
▸实现10mW超低功耗的蓝牙低功耗收发器,显著降低系统功耗。
▸集成片上匹配网络,减少外部元件,缩小应用尺寸并简化设计。
ISSCC 2015Session 13RF & Wireless
该论文提出了一款面向物联网应用的超低功耗全集成蓝牙低功耗(BLE)/IEEE802.15.4/私有协议射频SoC。其接收功耗仅3.7mW,发射功耗4.4mW,并采用基于ADPLL的快速频率跳变技术实现高效频率合成。
▸实现了超低功耗(RX 3.7mW,TX 4.4mW)且全集成的多协议(BLE/IEEE802.15.4/私有)射频SoC。
▸采用基于ADPLL的快速频率跳变技术,在保证低功耗的同时支持多种无线标准。
ISSCC 2015Session 13RF & Wireless
本文提出一种基于接收器基FLL(RBFLL)的2.4GHz多通道OOK接收器,通过AFC初始调谐后关闭以降低功耗,并由RBFLL补偿频率误差,实现了227pJ/b的能效和-83dBm的灵敏度,适用于物联网应用。
▸提出接收器基FLL(RBFLL)架构,在AFC初始调谐后关闭AFC,由RBFLL持续补偿频率误差,降低功耗。
▸实现多通道OOK接收,支持2.4GHz频段,兼顾低功耗与高灵敏度。
ISSCC 2014Session 3RF & Wireless
该论文提出了一种RF-to-BB电流复用宽带接收机,通过并行N-path有源/无源混频器和单MOS管极点-零点低通滤波器,解决了传统无源混频器优先接收机中噪声系数差和线性度下降的问题,实现了功耗与性能的更好权衡。
▸采用RF-to-BB电流复用拓扑,同时实现RF增益和低功耗。
▸并行N-path有源/无源混频器结构,结合了有源混频器的增益和无源混频器的线性度优势。
ISSCC 2014Session 3RF & Wireless65nm CMOS
该论文提出了一种全集成的高度可重构离散时间超外差接收机,通过采用离散时间信号处理技术解决了传统超外差架构中高质量因子带通滤波器难以集成的问题,从而避免了零中频或低中频接收机中的闪烁噪声、时变直流偏移、带内本振泄漏和对二阶互调敏感等问题。
▸提出了一种基于离散时间技术的超外差接收机架构,实现了高IF下的图像抑制,无需高质量因子带通滤波器。
▸实现了高度可重构性,支持多种工作模式和带宽配置,提高了接收机的灵活性和适应性。
ISSCC 2014Session 3RF & Wireless
该论文提出了一种增强对谐波阻塞器鲁棒性的噪声消除接收机,通过采用两个基于无源混频器的下变频路径,在保持低噪声系数的同时,提高了对位于LO频率整数倍附近的阻塞器的容忍度。
▸采用双无源混频器路径实现频率转换噪声消除,同时增强对谐波阻塞的抑制能力。
▸通过优化混频器时序和阻抗匹配,在不显著增加功耗和面积的前提下提升谐波阻塞容忍度。
ISSCC 2014Session 3RF & Wireless65nm CMOS
该论文提出了一种工作在1.0至2.5GHz的波束赋形接收机,采用恒定跨导矢量调制器,每个天线单元功耗低于9mW,解决了多天线系统中低功耗和高线性度的权衡问题。
▸采用自偏置反相器跨导器,在低电源电压下实现更好的跨导/电流比,同时通过偏置电阻实现阻抗匹配而不增加静态功耗。
▸利用无源混频器将基带低通滤波上变频为带通滤波,简化了射频滤波结构。
ISSCC 2014Session 3RF & WirelessCMOS
该论文提出了一种全集成包络消除与恢复(EER)CMOS功率放大器,工作于1.95GHz,通过集成包络/相位生成器解决了传统线性PA效率低的问题,实现了高功率效率与低失真。
▸提出了一种全集成EER架构的CMOS功率放大器,将包络和相位路径集成在同一芯片上。
▸通过包络/相位生成器优化了调制精度,降低了失真并提高了效率。
ISSCC 2014Session 3RF & Wireless
该论文提出了一种极坐标天线阻抗检测与调谐技术,用于改善3G/4G CMOS功率放大器的效率,解决因天线阻抗失配导致的效率下降问题。通过实时检测和调谐,提升了功率放大器在失配条件下的整体性能。
▸提出极坐标天线阻抗检测方法,能够同时获取阻抗的幅度和相位信息,提高检测精度。
▸集成天线阻抗调谐电路,实现动态匹配,显著降低失配带来的效率损失。
ISSCC 2013Session 5RF & Wireless0.18μm CMOS
该论文提出了一种全集成、11阶、4记忆项、温度补偿的复杂模拟多项式预失真器,用于无线基础设施射频功率放大器的线性化。它采用0.18μm CMOS工艺,无需校准,在100MHz至4GHz频率范围内功耗仅200mW,可提供高达25dB的线性度改善,解决了小基站中数字预失真功耗高、成本高的问题。
▸首次实现全集成11阶4记忆项复杂模拟多项式预失真器,无需数字校准。
▸集成温度补偿电路,确保宽温度范围内性能稳定。
ISSCC 2013Session 5RF & Wireless
针对RFID接收机中TX泄漏导致灵敏度下降的问题,提出了一种基于死区放大器的新TX泄漏抑制技术。该技术有效减少了来自发射机的连续波泄漏,提高了接收机灵敏度。
▸提出使用死区放大器电路结构来抑制TX泄漏,无需外部隔离器件。
▸通过死区放大器的非线性特性,在泄漏信号较小时提供高增益,泄漏信号较大时自动降低增益,实现泄漏抑制。
ISSCC 2013Session 5RF & Wireless
该论文提出了一种用于WCDMA/LTE应用的1.8GHz线性CMOS功率放大器,通过采用供应路径切换方案来提高平均功率效率,解决了线性CMOS PA在移动终端中效率低下的问题。
▸提出供应路径切换方案,在低输出功率时切换到低电压路径以提升回退效率,避免传统Doherty或包络跟踪技术的复杂性问题。
▸实现了1.8GHz频段下的线性CMOS PA,适用于WCDMA/LTE调制信号,无需外部线性化电路。
ISSCC 2013Session 5RF & Wireless
本文提出了一种采用串并联变压器、晶体管堆叠和放大器堆叠三种技术的阵列RF功率放大器,在低电压CMOS工艺下实现了高输出功率和大带宽。该PA工作在5.3GHz,提供30.3dBm输出功率和1.9GHz带宽。
▸采用串并联变压器组合实现宽带阻抗变换和功率合成。
▸通过晶体管堆叠和放大器堆叠技术,允许在低电压CMOS中使用较大的电源电压,提高输出功率。
ISSCC 2013Session 5RF & Wireless
该论文提出了一种利用互混消除的相位噪声和杂散滤波技术,解决了在存在大功率阻塞信号时,接收机因互混导致的噪声系数恶化问题。通过该技术,可以在不依赖外部射频滤波的情况下,有效抑制阻塞信号引起的相位噪声和杂散干扰。
▸提出了一种基于互混消除的相位噪声和杂散滤波技术,通过电路设计实现阻塞信号引起的噪声抵消。
▸该技术无需额外的射频滤波,即可在接收机中实现高阻塞容限,降低了系统复杂度和成本。
ISSCC 2013Session 5RF & Wireless
该论文提出了一种在天线输入端同时实现空间和频域滤波的技术,旨在提高多天线收发器的线性度。通过全无源开关电容网络,实现了高达+10dBm的带外/波束外输入参考1dB压缩点(P1dB),显著改善了传统方案的线性度与噪声折中。
▸首次将空间滤波和频域滤波结合在天线输入端,同时实现波束选择和频率选择,提高带外/波束外线性度。
▸采用全无源开关电容网络,避免了有源器件的非线性,使P1dB达到+10dBm,同时保持较低的噪声系数。
ISSCC 2013Session 5RF & Wireless
该论文提出了一种无SAW滤波器的模拟前端接收器设计,适用于TDD和FDD系统。通过去除SAW滤波器和外部balun,降低了成本和插入损耗,同时提高了接收器对带外大干扰的处理能力。
▸提出了一种无SAW的接收器架构,通过优化LNA和混频器设计,能够处理高达0dBm的带外干扰(如GSM场景)。
▸实现了差分到单端的转换功能集成在接收器中,从而省去了外部balun,进一步降低了系统成本和损耗。