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mm-Wave

54 篇期刊论文

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Radar
1 篇
JSSC 2024第3期mm-Wave
A Low-Power, Wide-Bandwidth, Three-Axis MEMS Accelerometer ASIC Using Beyond-Resonant-Frequency Sensing
首款采用超谐振频率传感技术的三轴MEMS加速度计ASIC，扩展带宽至4kHz和8kHz。
4kHz, 25µg/√Hz, ±8g, 375µA; 8kHz, 59µg/√Hz, ±30g, 550µA
JSSC 2024第5期mm-Wave
New Associate Editor I
Jane Gu教授成为IEEE JSSC期刊的新副编辑，专注于高速集成电路和系统研究。
无
JSSC 2024第6期mm-Wave
Enabling Online GaN Power Device Self-Health Monitoring With Analog SGD Supervised Learning and TJ-Independent Precursor Measurement
利用模拟SGD监督学习实现GaN功率器件在线自健康监测
180nm BCD工艺, 2.9mm²芯片面积, 3.3MHz工作频率, 5-40V输入, 9W输出功率
JSSC 2023第2期mm-Wave
A 211-to-263-GHz Dual- LC -Tank-Based Broadband Power Amplifier With 14.7-dBm PSA T and 16.4-dB Peak Gain in 130-nm SiGe BiCMOS Jiayang Y u, Student Member , IEEE,J i x i nC h e n , Member , IEEE, Peigen Zhou , Student Member , IEEE, Huanbo Li , Zuojun Wang
本文提出了一种基于双LC谐振腔的宽带功率放大器，采用低损耗四路功率合成器，实现了211至263 GHz的高效功率放大。
峰值功率增益16.4 dB，饱和输出功率14.7 dBm，峰值效率3.13%
JSSC 2023第2期mm-Wave
A mm-Wave Signal Generation and Background Phase Alignment Technique for
提出一种毫米波信号生成与相位自对准技术，用于可扩展相控阵系统。
65nm CMOS, 258mW, 35GHz, 140°调谐范围, 20ns切换时间, 86fs抖动
JSSC 2023第5期mm-Wave
A 28-GHz, Multi-Beam, Decentralized
28GHz模块化多波束中继阵列解决毫米波通信非视距问题
28GHz, 625Mb/s总吞吐量, 四元件阵列独立三波束
JSSC 2023第6期mm-Wave
Broadband mm-Wave Current/V oltage Sensing-Based VSWR-Resilient True Power/Impedance Sensor Supporting Single-Ended Antenna Interfaces David Munzer , Student Member , IEEE, Naga Sasikanth Mannem , Student Member , IEEE, Jeongseok Lee , Student Member , IEEE,a n dH u aW a n g, Senior Member , IEEE
提出一种宽带毫米波电流电压传感器，支持单端接口，抗VSWR干扰，用于高性能射频前端。
34 GHz时功率传感误差≤±1 dB（3:1 VSWR），22–41 GHz时≤±3.4 dB（3:1 VSWR），动态范围>21.46 dB（27–41 GHz）。
JSSC 2022第1期mm-Wave
Analysis and Design of High-Harmonic-Rejection Multi-Ratio mm-Wave
提出一种高谐波抑制的多比率毫米波频率倍增器设计
22.4-40.6 GHz, 57.7 dBc@28 GHz, 51.7 dBc@39 GHz
JSSC 2022第2期mm-Wave
A 0.45-THz 2-D Scalable Radiator Array With 28.2-dBm EIRP Using an Elliptical Teflon Lens
提出一种新型2D可扩展辐射器阵列，通过优化设计和集成方法，在硅基THz源中实现了最高EIRP和效率。
28.2-dBm EIRP at 452.3 GHz, 0.16% dc-to-THz efficiency, 4.6% frequency tuning range
JSSC 2022第2期mm-Wave
A High-Efficiency 142–182-GHz SiGe BiCMOS Power Amplifier With Broadband Slotline-Based Power
提出一种基于槽线的高效宽带毫米波功率放大器，采用新型功率合成技术实现高输出功率和低损耗。
峰值功率增益30.7dB，饱和输出功率18.1dBm，峰值效率12.4% @161GHz
JSSC 2022第5期mm-Wave
Highly Efficient Terahertz Beam-Steerable Integrated Radiator Based on Tunable Boundary Conditions Y
基于可调边界条件的高效太赫兹波束可调集成辐射器
等效全向辐射功率(EIRP) 21.66 dBm, DC-THz效率2.22%, 调谐范围10.8%
JSSC 2022第9期mm-Wave
Analysis and Design of Tuning-Less mm-Wave Injection-Locked Frequency Dividers With Wide Locking Range Using 8th-Order Transformer-Based Resonator in 40 nm CMOS
提出三种无调谐毫米波注入锁定频率分频器，采用八阶变压器谐振器实现超宽锁定范围。
104.5%锁定范围, 5.8mW功耗, 0.9V电源
JSSC 2021第2期mm-WaveRadar
A 220-to-320-GHz FMCW Radar in 65-nm CMOS Using a Frequency-Comb Architecture
本文介绍了一种基于CMOS的超宽带FMCW雷达，采用太赫兹频率梳架构，实现了220至320 GHz的无缝扫描。
65nm CMOS, 220-to-320 GHz, 0.6 dBm EIRP, 22.8 dB SSB NF
JSSC 2021第3期mm-Wave
A 9.6-mW/Ch 10-MHz Wide-Bandwidth Electrical Impedance Tomography IC With Accurate Phase Compensation for Early Breast
一款用于早期乳腺癌检测的10MHz宽频带电阻抗断层成像IC，具有高精度和小尺寸特点。
65nm CMOS, 10MHz带宽, 4.32°相位误差, 1.6mΩ/√Hz阻抗分辨率
JSSC 2021第11期mm-Wave
A 200-GHz Power Amplifier With a Wideband Balanced Slot Power Combiner and 9.4-dBm Psat in 65-nm CMOS: Embedded Power Amplification
研究高频毫米波功率放大器的增益与嵌入放大单元对输出功率的影响，提出匹配级联单元和差分槽功率合成器，实现200 GHz高功率输出。
65nm CMOS, 2.4V, 732mW, PAE 1.03%, Psat 9.4 dBm, OP1dB 6.3 dBm, 最大增益 19.5 dB
JSSC 2020第11期mm-Wave
A Millimeter-Scale Single Charged Particle Dosimeter for
一种用于癌症放射治疗的毫米级单带电粒子剂量计
无
JSSC 2019第8期mm-Wave
High-Efficiency SiGe-BiCMOS E-Band Power Amplifiers Exploiting Current Clamping in the Common-Base Stage
提出基于SiGe-BiCMOS的高效E波段功率放大器，采用共基极输出级设计，显著提升输出功率和效率。
80 GHz下输出功率18-21.5 dBm，PAE在1dB压缩点达22%
JSSC 2019第9期mm-WavePhased Array
Gabriel M. Rebeiz (S’86–M’88–SM’93–F’97))
Gabriel M Rebeiz教授团队在毫米波和太赫兹频段的射频集成电路、相控阵和RF MEMS技术方面取得多项突破。
6-110GHz多频段覆盖，8/16单元相控阵，85-105GHz无源成像
JSSC 2018第8期mm-Wave
A High Fractional Bandwidth Millimeter Wave Bidirectional Image
一篇关于毫米波双向图像选择架构的高分数带宽研究
无
JSSC 2018第8期mm-Wave
High Efficiency Millimeter Wave Single Ended and Differential
毫米波高效率单端与差分基频振荡器设计
无
JSSC 2018第12期mm-WavePower Amplifier
A Linear High Efficiency Millimeter Wave CMOS Doherty Radiator
一篇关于毫米波CMOS Doherty辐射器的线性高效率研究
无
JSSC 2017第6期mm-Wave
Design and Self Calibration Techniques for Inductor Less Millimeter
设计并自校准无电感毫米波频率技术
无
JSSC 2017第12期mm-Wave
A Millimeter Wave Non Magnetic Passive SOI CMOS Circulator Based on
基于时空调制的毫米波非磁性SOI CMOS环形器设计
毫米波频段
JSSC 2017第12期mm-Wave
Analysis and Design of a Millimeter Wave Cavity Backed Circularly
毫米波腔体背衬圆极化天线的分析与设计
无
JSSC 2017第12期mm-Wave
Dual Terahertz Comb Spectrometer on CMOS for Rapid Wide Range Gas
基于CMOS的双太赫兹梳光谱仪，用于快速广谱气体检测
无
JSSC 2016第9期mm-Wave
Multigate Cell Stacked FET Design for Millimeter Wave CMOS
毫米波CMOS功率放大器的多栅极堆叠FET设计
无
JSSC 2015第2期mm-WavePhased Array
A High-Power and Scalable 2-D Phased Array for Terahertz CMOS Integrated Systems Y
本文介绍了一种适用于毫米波和太赫兹频率的高功率辐射的二维相控阵架构。
峰值等效全向辐射功率（EIRP）为+17.1 dBm，相位噪声在1 MHz偏移频率下为-93 dBc/Hz
JSSC 2015第5期mm-Wave
A Compact 77% Fractional Bandwidth CMOS Band-Pass Distributed Amplifier With Mirror-Symmetric Norton Transforms V enumadhav Bhagavatula , Mazhareddin Taghivand , Student Member , IEEE ,a n d Jacques
本文提出了一种在40纳米CMOS工艺中实现的高分数带宽毫米波带通分布式放大器设计。
34 mW功耗，7 dB功率增益，24-to-54 GHz频率范围，77%分数带宽
JSSC 2015第7期mm-Wave
A 40–67 GHz Power Amplifier With 13 dBm and 16% PAE in 28 nm CMOS LP
提出一种针对毫米波宽带功率放大器的设计方法，实现高效率和宽带宽。
28nm CMOS, 13 dBm, 16% PAE, 40–67 GHz
JSSC 2015第10期mm-Wave
Introduction to the Special Section on the 2014 Compound Semiconductor Integrated
2014年IEEE JSSC特刊介绍化合物半导体集成电路的最新进展。
130 nm SiGe, 57-66 GHz, 8 dBi增益, 接收NF > 5.5 dB, 发射OP 1dB > +13.5 dBm
JSSC 2014第9期mm-WaveESD
Concurrent Design Analysis of High-Linearity SP10T Switch With 8.5 kV ESD Protection X. Shawn Wang , Student Member , IEEE, Xin Wang, Fei Lu, Chen Zhang, Zongyu Dong ,L i W a n g
本文提出了一种8.5 kV ESD保护的SP10T开关设计，适用于多频段智能手机。
0.18μm CMOS, 36.4/34.2 dBm, 0.48/0.81 dB, 43/40 dB
JSSC 2014第10期mm-Wave
Millimeter-Wave Series Power Combining Using Sub-Quarter-Wavelength Baluns Hyun-chul Park, Student Member , IEEE, Saeid Daneshgar, Zach Grif fith, Senior Member , IEEE,M i g u e l U r t e a g a
提出一种毫米波功率合成技术，使用短于四分之一波长的巴伦实现晶体管输出串联和电感调谐。
86 GHz, 30.4% PAE, 20.37 dBm, 23 GHz 3-dB带宽
JSSC 2014第10期mm-Wave
Performance Limits, Design and Implementation of m m - W a v eS i G eH B TC l a s s - Ea n dS t a c k e d Class-E Power Ampli fiers Kunal Datta, Student Member , IEEE
提出毫米波SiGe HBT超额定击穿电压Class-E功率放大器设计方法，实现高输出功率与高效率。
45 GHz输出20 dBm/31.5% PAE，41 GHz输出23.4 dBm/34.9% PAE
JSSC 2013第3期mm-Wave
A Millimeter-Scale Energy-Autonomous Sensor System With Stacked Battery and Solar Cells Matthew Fojtik, Daeyeon Kim , Student Member , IEEE, Gregory Chen ,M e m b e r ,IEEE, Y u-Shiang Lin
毫米级能量自给传感器系统，通过太阳能和薄膜锂电池实现零净能耗运行。
200 nW传感器，-1.6°C/+3°C精度，10 samples/sec，28 pJ/cycle，0.4 V，72 kHz ARM Cortex-M3
JSSC 2013第7期mm-Wave
A 15-bit 140- W Scalable-Bandwidth Inverter-Based Modulator for a MEMS Microphone With
一款基于数字反相器的15位140μW MEMS麦克风调制器，支持可调带宽至超声波频率。
15-bit, 140μW, 1.5V, 20kHz带宽下DR 92.6dB/SNDR 87.9dB
JSSC 2013第9期mm-Wave
Introduction to the Special Section on the 26th Bipolar/BiCMOS Circuits and
介绍2012年第26届Bipolar/BiCMOS电路与技术会议的特刊内容
无
JSSC 2013第9期mm-Wave
SEPTEMBER 2013 VOLUME 48 NUM BER 9 IJSCBC ISSN 0018-9200 Ne w A s s o c i a te E
2013年IEEE JSSC期刊聚焦双极/BiCMOS电路与技术，涵盖太赫兹探测器、毫米波LNA等前沿研究。
无具体指标
JSSC 2012第1期mm-Wave
A7 5 W Real-Time Scalable Body Area Network Controller and a 25 W ExG Sensor IC for Compact Sleep Monitoring Applications Seulki Lee, Student Member , IEEE,L o n g Y a n, Member , IEEE, Taehwan Roh , Student Member , IEEE
提出一种轻量化体域网方案，包含网络控制器和传感器芯片，用于睡眠监测系统。
0.18μm CMOS, 1.5V, 20Mbps, 0.33pJ/b
JSSC 2012第9期mm-Wave
A Wideband, Dual-Path, Millimeter-Wave Power Amplifier With 20 dBm Output Power and PAE Above 15% in 130 nm SiGe-BiCMOS Yi Zhao, Student Member , IEEE, and John R. Long , Member , IEEE
一款130 nm SiGe-BiCMOS工艺的毫米波功率放大器，具有20 dBm输出功率和18%的峰值功率附加效率。
20 dBm输出功率, 18% PAE, 10 GHz带宽
JSSC 2012第10期mm-Wave
Common-Gate Load-Pull With Q-Band Application Simon J. Mahon, Senior Member , IEEE, Alan C. Y oung, Member , IEEE, and Anthony E. Parker , Senior Member , IEEE
提出一种毫米波线性功率放大器设计新方法，通过小晶体管负载牵引数据生成大晶体管的本征特性曲线。
1W功耗，21dB增益，OIP3 35dBm，PAE 19%
JSSC 2012第10期mm-Wave
Compact, High Impedance and Wide Bandwidth Detectors for Characterization of Millimeter
45nm SOI CMOS工艺下实现紧凑、高阻抗、宽带宽的RMS Schottky二极管探测器。
45nm SOI CMOS, 30–50 GHz, >20 GHz带宽, 36μm²面积, 0.1 dB插入损耗
JSSC 2011第11期mm-Wave
A 90 nm CMOS V-Band Low-Noise Active Balun With Broadband Phase-Correction Technique
90纳米CMOS工艺下采用宽带相位校正技术的V波段低噪声有源巴伦设计
63GHz下电压增益17.6dB，噪声系数8.6dB，功耗19mW@1.4V
JSSC 2011第12期mm-Wave
A Broadband mm-Wave and Terahertz Traveling-Wave Frequency Multiplier on CMOS Omeed Momeni, Student Member , IEEE
提出一种基于CMOS工艺的宽带毫米波和太赫兹行波倍频器，实现高谐波功率输出。
220 GHz至275 GHz工作频率，244 GHz时输出功率-6.6 dBm (0.22 mW)，转换损耗11.4 dB
JSSC 2010第8期mm-Wave
A mm-Wave Power-Harvesting RFID Tag in 90 nm CMOS
90纳米CMOS工艺实现的毫米波能量收集RFID标签，无需电池和外接组件。
2 dBm输入功率下达到5 kb/s传输速率
JSSC 2009第2期mm-Wave
Systematic Transistor and Inductor Modeling for Millimeter-Wave Design
提出毫米波CMOS电路的仿真建模方法，提高设计和布局灵活性。
40 GHz至130 GHz振荡器设计验证
JSSC 2009第9期mm-Wave
0.13 /22m SiGe BiCMOS Technology Fully Dedicated to mm-Wave Applications Grégory Avenier, Malick Diop, Pascal Chevalier, Germaine Troillard, Nicolas Loubet, Julien Bouvier, Linda Depoyan, Nicolas Derrier, Michel Buczko, Cédric Leyris, Samuel Boret, Sébastien Montusclat, Alain Margain, Sébastien Pruvost , Member , IEEE, Sean T. Nicolson , Student Member , IEEE, Kenneth H. K. Yau, Student Member , IEEE, Nathalie Revil, Daniel Gloria, Didier Dutartre, Sorin P. V oinigescu, Senior Member , IEEE
介绍了一种专为毫米波应用设计的0.13微米SiGe BiCMOS技术
230/280 GHz
JSSC 2009第9期mm-Wave
Design of Low-Loss Transmission Lines in Scaled CMOS by Accurate Electromagnetic Simulations Federico Vecchi, Student Member , IEEE, Matteo Repossi, Wissam Eyssa
提出一种基于周期性和Floquet定理的精确电磁仿真方法，优化65nm CMOS中的低损耗传输线设计。
0.65 dB/mm @ 60 GHz
JSSC 2009第12期mm-Wave
W-Band CMOS Amplifiers Achieving /4310 dBm Saturated Output Power and 7.5 dB NF Dan Sandström, Mikko V aronen, Mikko Kärkkäinen, and Kari A. I. Halonen , Member , IEEE
本文介绍了两种W波段CMOS放大器，分别采用传统共面波导和慢波屏蔽波导，展示了慢波屏蔽在高频高性能中的优势。
65nm CMOS, 1.2V, 100GHz, 4310 dBm输出功率, 7.5 dB噪声系数, 13 dB增益
JSSC 2008第9期mm-Wave
Millimeter-Wave Integrated Circuits in 65-nm CMOS
65纳米CMOS工艺下毫米波集成电路的设计与测量
40GHz放大器增益14.3dB, 60GHz放大器噪声系数5.6dB, 混频器转换损耗12.5dB
JSSC 2008第10期mm-Wave
Metamorphic HEMT MMICs and Modules for Use in a High-Bandwidth 210 GHz Radar Axel Tessmann, Ingmar Kallfass, Arnulf Leuther, Hermann Massler, Michael Kuri, Markus Riessle, Martin Zink, Rainer Sommer, Alfred Wahlen, Helmut Essen, V olker Hurm, Michael Schlechtweg, and
开发用于210 GHz雷达系统的W波段和G波段毫米波单片集成电路及模块。
210 GHz雷达系统，8 GHz瞬时带宽，1.8 cm空间分辨率
JSSC 2008第12期mm-Wave
Terahertz CMOS Frequency Generator Using Linear
采用线性叠加技术的太赫兹CMOS频率发生器
324 GHz, 46 dBm, 1 V, 12 mA, 4 GHz调谐范围, 91 dBc/Hz @10 MHz
JSSC 2007第7期mm-Wave
22–29 GHz Ultra-Wideband CMOS Pulse Generator for Short-Range
提出一种用于短程雷达的2229 GHz超宽带CMOS脉冲发生器，采用新型延迟单元和边缘组合器设计。
1 Gb/s/bit脉冲，71 mV峰峰值，39.2 ps单脉冲宽度，552 ps包络宽度，1.4 mW功耗
JSSC 2007第12期mm-Wave
Millimeter-Wave Devices and Circuit Blocks up to 104 GHz in 90 nm CMOS
提出毫米波器件和电路块的系统优化方法，实现高频低功耗设计
90nm CMOS, 104GHz, 10.5mW, 12.2dB增益
JSSC 2006第5期mm-Wave
Shielded Passive Devices for Silicon-Based Monolithic Microwave and Millimeter-Wave
介绍了一种用于硅基单片微波和毫米波的无源器件屏蔽技术，显著提升性能。
Q-factor 25-35 (15-40 GHz), 7.4-nH电感峰值Q 32, 21-26 GHz PA 23-dBm输出