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mm-Wave

64 篇期刊论文

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mm-Wave PA
1 篇
JSSC 2025第12期mm-Wave
A D-Band 120-GHz 2-D Scalable 4 × 4 Relay Array With Orthogonally Polarized On-Chip Antennas and In-Front-End Fast 2-D Angle-of-Arrival
D波段120GHz 4×4可重构反射中继阵列，支持非视距通信。
22nm FD-SOI, 5×5mm, 23.6dB增益, 110-125GHz带宽, 360°相位调节
JSSC 2024第3期mm-Wave
A Low-Power, Wide-Bandwidth, Three-Axis MEMS Accelerometer ASIC Using Beyond-Resonant-Frequency Sensing
首款采用超谐振频率传感技术的三轴MEMS加速度计ASIC，扩展带宽至4kHz和8kHz。
4kHz, 25µg/√Hz, ±8g, 375µA; 8kHz, 59µg/√Hz, ±30g, 550µA
JSSC 2024第5期mm-Wave
A Low-Loss Passive D-Band Phase Shifter for Calibration-Free, Precise
提出一种用于D波段的低损耗无源移相器，实现无需校准的精确相位控制。
140 GHz, 5-bit, 11.25° steps, 360° tuning range, 11.5 ± 0.8 dB insertion loss, 1.2° rms phase error, >12.9 dBm IP1dB
JSSC 2024第5期mm-WaveNeural Network Accelerator
Compact mm-Wave Ultra-Wideband and Low-Noise Phase Alternately Distributed Quasi-Circulators
28nm CMOS工艺下的超宽带低噪声准循环器设计
28nm CMOS, 20.5−35.5 GHz带宽, 4.5 dB TX-to-ANT增益, 3.6 dB ANT-to-RX插入损耗, >21 dB TX-to-RX隔离
JSSC 2024第9期mm-WavePhased Array
Physical Layer Security Through Directional Modulation With Spatio-Temporal Millimeter-Wave
提出一种时空调制阵列技术，通过CMOS集成电路和封装天线实现物理层安全通信。
71-76 GHz, CMOS ICs, packaged antennas
JSSC 2023第2期mm-Wave
A mm-Wave Signal Generation and Background Phase Alignment Technique for
提出一种毫米波信号生成与相位自对准技术，用于可扩展相控阵系统。
65nm CMOS, 258mW, 35GHz, 140°调谐范围, 20ns切换时间, 86fs抖动
JSSC 2023第6期mm-Wave
Broadband mm-Wave Current/V oltage Sensing-Based VSWR-Resilient True Power/Impedance Sensor Supporting Single-Ended Antenna Interfaces David Munzer , Student Member , IEEE, Naga Sasikanth Mannem , Student Member , IEEE, Jeongseok Lee , Student Member , IEEE,a n dH u aW a n g, Senior Member , IEEE
提出一种宽带毫米波电流电压传感器，支持单端接口，抗VSWR干扰，用于高性能射频前端。
34 GHz时功率传感误差≤±1 dB（3:1 VSWR），22–41 GHz时≤±3.4 dB（3:1 VSWR），动态范围>21.46 dB（27–41 GHz）。
JSSC 2023第9期mm-Wave
A Highly Accurate and Sensitive mmWave Displacement-Sensing Doppler Radar With a Quadrature-Less Edge-Driven
一种高精度毫米波多普勒雷达，用于位移和振动传感，消除检测零点。
65nm CMOS, 39GHz, 110mW, 4µm静态精度, 39nm振动灵敏度(10kHz)
JSSC 2023第11期mm-Wavemm-Wave PA
Deep-Learning-Based Inverse-Designed Millimeter-Wave Passives and Power
基于深度学习的毫米波无源器件和功率放大器逆向设计方法
无具体性能指标
JSSC 2022第1期mm-Wave
Analysis and Design of High-Harmonic-Rejection Multi-Ratio mm-Wave
提出一种高谐波抑制的多比率毫米波频率倍增器设计
22.4-40.6 GHz, 57.7 dBc@28 GHz, 51.7 dBc@39 GHz
JSSC 2022第5期mm-Wave
High-Efficiency Class-E Power Amplifiers for mmWave Radar Sensors: Design and Implementation
提出基于双调谐变压器的新型Class-E输出网络，实现毫米波雷达传感器的高效功率放大器设计。
峰值功率附加效率(PAE) 30.5%/34.7%/32.6%，输出功率17/18.1/17 dBm
JSSC 2022第5期mm-Wave
High Efficiency D-Band Multiway Power Combined Amplifiers With 17.5–19-dBm Psat and 14.2–12.1% Peak PAE in 45-nm CMOS RFSOI
采用八路低损耗功率合成的D波段高效功率放大器，在CMOS工艺中实现高饱和输出功率。
45nm CMOS, 1.2V, 16.8-19dBm Psat, 11.7%-14.2% PAE
JSSC 2022第5期mm-Wave
Highly Efficient Terahertz Beam-Steerable Integrated Radiator Based on Tunable Boundary Conditions Y
基于可调边界条件的高效太赫兹波束可调集成辐射器
等效全向辐射功率(EIRP) 21.66 dBm, DC-THz效率2.22%, 调谐范围10.8%
JSSC 2022第9期mm-Wave
Analysis and Design of Tuning-Less mm-Wave Injection-Locked Frequency Dividers W
提出三种无调谐毫米波注入锁定频率分频器，采用八阶变压器谐振器实现超宽锁定范围。
104.5%锁定范围, 5.8mW功耗, 0.9V电源
JSSC 2021第3期mm-Wave
A 9.6-mW/Ch 10-MHz Wide-Bandwidth Electrical Impedance Tomography IC With Accurate Phase Compensation for Early Breast
一款用于早期乳腺癌检测的10MHz宽频带电阻抗断层成像IC，具有高精度和小尺寸特点。
65nm CMOS, 10MHz带宽, 4.32°相位误差, 1.6mΩ/√Hz阻抗分辨率
JSSC 2020第11期mm-Wave
A Millimeter-Scale Single Charged Particle Dosimeter for
一种用于癌症放射治疗的毫米级单带电粒子剂量计
无
JSSC 2019第8期mm-Wave
High-Efficiency SiGe-BiCMOS E-Band Power Amplifiers Exploiting Current Clamping in the Common-Base Stage
提出基于SiGe-BiCMOS的高效E波段功率放大器，采用共基极输出级设计，显著提升输出功率和效率。
80 GHz下输出功率18-21.5 dBm，PAE在1dB压缩点达22%
JSSC 2018第2期mm-Wave
A 450 fs 65 nm CMOS Millimeter Wave Time to
一篇关于采用统计方法的65纳米CMOS毫米波时间数字转换器的论文，精度达450飞秒。
450 fs, 65 nm CMOS
JSSC 2018第8期mm-Wave
A High Fractional Bandwidth Millimeter Wave
一篇关于毫米波双向图像选择架构的高分数带宽研究
无
JSSC 2018第8期mm-Wave
High Efficiency Millimeter Wave Single Ended and Differential
毫米波高效率单端与差分基频振荡器设计
无
JSSC 2018第12期mm-Wave
A Linear High Efficiency Millimeter Wave CMOS
一篇关于毫米波CMOS Doherty辐射器的线性高效率研究
无
JSSC 2017第12期mm-Wave
A Millimeter Wave Non Magnetic Passive SOI CMOS Circulator Based on
基于时空调制的毫米波非磁性SOI CMOS环形器设计
毫米波频段
JSSC 2017第12期mm-Wave
Analysis and Design of a Millimeter Wave Cavity
毫米波腔体背衬圆极化天线的分析与设计
无
JSSC 2017第12期mm-Wave
Dual Terahertz Comb Spectrometer on CMOS for Rapid Wide
基于CMOS的双太赫兹梳光谱仪，用于快速广谱气体检测
无
JSSC 2016第9期mm-Wave
Multigate Cell Stacked FET Design for Millimeter Wave CMOS
毫米波CMOS功率放大器的多栅极堆叠FET设计
无
JSSC 2015第2期mm-WavePhased Array
A High-Power and Scalable 2-D Phased Array for Terahertz CMOS Integrated Systems Y
本文介绍了一种适用于毫米波和太赫兹频率的高功率辐射的二维相控阵架构。
峰值等效全向辐射功率（EIRP）为+17.1 dBm，相位噪声在1 MHz偏移频率下为-93 dBc/Hz
JSSC 2015第7期mm-WaveVCONeural Network Accelerator
A Programmable Frequency Multiplier-by-29 Architecture for Millimeter Wave Applications Clément Jany, Alexandre Siligaris, Jose
提出一种毫米波频率29倍频器，用于生成IEEE 802.15.3c标准的60 GHz频段信号。
40nm CMOS, 32mW, 0.07mm², 104dBc/Hz@1MHz offset
JSSC 2014第10期mm-Wave
An EDGE/GSM Quad-Band CMOS Power Ampli fier
提出一种用于EDGE应用的线性功率放大器，采用0.18µm CMOS工艺，自适应偏置改善AM-AM特性。
22%和23%功率附加效率，28.5 dBm和27.5 dBm输出功率
JSSC 2014第10期mm-Wave
Millimeter-Wave Series Power Combining Using Sub-Quarter-Wavelength Baluns Hyun-
提出一种毫米波功率合成技术，使用短于四分之一波长的巴伦实现晶体管输出串联和电感调谐。
86 GHz, 30.4% PAE, 20.37 dBm, 23 GHz 3-dB带宽
JSSC 2014第12期mm-Wave
A 16TX/16RX 60 GHz 802.11ad Chipset With Single Coaxial Interface and
一款支持802.11ad标准的60GHz射频芯片组，采用16发射16接收波束成形和极化多样性天线阵列，通过单同轴电缆接口实现低成本集成。
4.6 Gbps (PHY rate) at 10 m
JSSC 2013第3期mm-Wave
A Millimeter-Scale Energy-Autonomous Sensor System With Stacked Battery and Solar Cells Matthew Fojtik, Daeyeon Kim , Student Member , IEEE, Gregory Chen ,M e m b e r ,IEEE, Y u-Shiang Lin
毫米级能量自给传感器系统，通过太阳能和薄膜锂电池实现零净能耗运行。
200 nW传感器，-1.6°C/+3°C精度，10 samples/sec，28 pJ/cycle，0.4 V，72 kHz ARM Cortex-M3
JSSC 2013第7期mm-Wave
A 15-bit 140- W Scalable-Bandwidth Inverter-Based Modulator for a MEMS Microphone With
一款基于数字反相器的15位140μW MEMS麦克风调制器，支持可调带宽至超声波频率。
15-bit, 140μW, 1.5V, 20kHz带宽下DR 92.6dB/SNDR 87.9dB
JSSC 2013第8期mm-Wave
Analysis and Design of mm-Wave Frequency Dividers Based on Dynamic
基于动态锁存器的毫米波分频器分析与设计，实现宽频带低功耗操作
32nm CMOS, 14-70GHz工作频率, 60%分数带宽, 4.8mW功耗, 55×18μm面积
JSSC 2013第9期mm-Wave
A Terahertz Detector Array in a SiGe HBT Technology Richard Al Hadi ,S t u d e n tM e m b e r ,I E E E, Janusz Grzyb, Bernd Heinemann, and Ullrich R. Pfeiffer , Senior Member , IEEE
基于SiGe HBT技术的太赫兹探测器阵列，实现0.7 THz下的高响应率和低噪声等效功率。
1 A/W光学电流响应率, 50 pW噪声等效功率(NEP), 0.65-1 THz工作频段
JSSC 2013第10期mm-WaveNeural Network Accelerator
A 60-GHz Dual-Mode Class AB Power Ampli fier in 40-nm CMOS Dixian Zhao, Student Member , IEEE, and Patrick Reynaert ,S e n i o rM e m b e r ,I E EE
40纳米CMOS工艺下实现的60GHz双模AB类功率放大器，通过新型晶体管布局和中和放大器级优化提升性能。
饱和输出功率17.0dBm（高功率模式），效率30.3%
JSSC 2013第10期mm-WavePower AmplifierNeural Network Accelerator
Active Millimeter-Wave Phase-Shift Doherty Power Amplifier in 45-nm SOI CMOS Amir Agah, Student Member , IEEE, Hayg-Taniel Dabag , Student Member , IEEE, Bassel Hana fi
45纳米SOI CMOS中实现的45 GHz主动相移Doherty功率放大器，提高了增益和效率。
45 GHz, 8 dB增益, 20% PAE, 0.45 mm²面积
JSSC 2012第9期mm-Wave
A Wideband, Dual-Path, Millimeter-Wave Power Amplifier With 20 dBm Output Power and PAE Above 15% in 130 nm SiGe-BiCMOS Yi Zhao, Student Member , IEEE, and John R. Long , Member , IEEE
一款130 nm SiGe-BiCMOS工艺的毫米波功率放大器，具有20 dBm输出功率和18%的峰值功率附加效率。
20 dBm输出功率, 18% PAE, 10 GHz带宽
JSSC 2012第10期mm-Wave
A BiCMOS W-Band 2×2 Focal-Plane Array With On-Chip Antenna Zhiming Chen, Chun-Cheng Wang , Student Member , IEEE , Hsin-Cheng Y ao
采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺的W波段2×2焦平面阵列，集成片上天线，用于被动毫米波成像。
285 MV/W平均响应度, 8.1 pW/√Hz噪声等效功率, 0.48 K NETD
JSSC 2012第10期mm-WaveLNA
An 8-W 250-MHz to 3-GHz Decade-Bandwidth Low-Noise GaN MMIC Feedback Ampli fier W
一款8W输出功率、250MHz至3GHz带宽的GaN MMIC反馈放大器，具有高线性度和低噪声。
0.25µm GaN HEMT, 40V 750mA, OIP3 51.9dBm, NF ~3dB
JSSC 2012第10期mm-Wave
Compact, High Impedance and Wide Bandwidth Detectors for Characterization of Millimeter
45nm SOI CMOS工艺下实现紧凑、高阻抗、宽带宽的RMS Schottky二极管探测器。
45nm SOI CMOS, 30–50 GHz, >20 GHz带宽, 36μm²面积, 0.1 dB插入损耗
JSSC 2011第5期mm-Wave
A Quad-Band GSM/GPRS/EDGE SoC in 65 nm CMOS
一款65nm CMOS工艺的四频段GSM/GPRS/EDGE SoC，集成射频、DSP、ARM及基带处理功能。
65nm CMOS, 接收模式49mA, 发射模式86/77mA, 灵敏度-110dBm
JSSC 2011第6期mm-Wave
A Wideband Millimeter-Wave Frequency Synthesis Architecture Using Multi-Order Harmonic-Synthesis and V ariable -Push Frequency Multiplication Mohammed M. Abdul-Latif , Student Member , IEEE, Mohamed M. Elsayed , Student Member , IEEE,a n d
提出一种基于多阶谐波生成的毫米波频率合成架构，实现宽频带覆盖。
5–32 GHz, 146% tuning range, -116 dBc/Hz @5GHz, -99 dBc/Hz @32GHz
JSSC 2011第6期mm-WaveNeural Network Accelerator
Analysis and Design of D-Band Injection-Locked
本文介绍了采用分布式LC技术的D波段（110-170 GHz）注入锁定分频器的分析与设计。
65nm CMOS, 1.1V, 6.27mW
JSSC 2011第12期mm-Wave
A Broadband mm-Wave and Terahertz Traveling-Wave Frequency Multiplier on CMOS Omeed Momeni, Student Member , IEEE
提出一种基于CMOS工艺的宽带毫米波和太赫兹行波倍频器，实现高谐波功率输出。
220 GHz至275 GHz工作频率，244 GHz时输出功率-6.6 dBm (0.22 mW)，转换损耗11.4 dB
JSSC 2010第2期mm-WaveLNANeural Network Accelerator
A Millimeter-Wave 2332 GHz Wideband BiCMOS Low-Noise Amplifier
一款采用BiCMOS技术的23-32 GHz宽带低噪声放大器，具有低功耗和宽带宽特性。
0.18μm BiCMOS, 1.5V, 13mW, 12dB增益, 9GHz带宽, 4.5–6.3dB噪声系数
JSSC 2010第3期mm-WaveNeural Network Accelerator
A 5865 GHz Neutralized CMOS Power Amplifier With PAE Above 10 at 1-V Supply
一款在1V电源下效率超过10%的60GHz CMOS功率放大器
16dB增益, 11.5dBm输出功率, 15.2%峰值PAE
JSSC 2010第8期mm-Wave
A mm-Wave Power-Harvesting RFID Tag in 90 nm CMOS
90纳米CMOS工艺实现的毫米波能量收集RFID标签，无需电池和外接组件。
2 dBm输入功率下达到5 kb/s传输速率
JSSC 2010第8期mm-Wave
Injection-Locked CMOS Frequency Doublers for /22-Wave and mm-Wave Applications Enrico Monaco, Student Member , IEEE, Massimo Pozzoni
本文提出两种基于注入锁定技术的CMOS倍频器，分别适用于Ku波段和F波段应用。
Ku波段: 5.2mW功耗, 470mV输出电压; F波段: 6mW功耗, 330mV输出电压, 13.1%调谐范围
JSSC 2010第8期mm-WaveVCO
Progress and Challenges Towards Terahertz CMOS
探讨CMOS集成电路在太赫兹频段的进展与挑战
140GHz VCO, 410GHz VCO, 125GHz doubler, 180GHz detector, 700GHz detector
JSSC 2010第12期mm-Wave
A Millimeter-Wave Intra-Connect Solution
一种基于40nm CMOS工艺的毫米波内部互连解决方案，实现11Gb/s高速数据传输。
40nm CMOS, 11Gb/s, 14mm传输距离, BER<10^-12, 6.4pJ/bit能效
JSSC 2009第2期mm-Wave
Systematic Transistor and Inductor Modeling for Millimeter-Wave Design
提出毫米波CMOS电路的仿真建模方法，提高设计和布局灵活性。
40 GHz至130 GHz振荡器设计验证
JSSC 2009第3期mm-Wave
MARCH 2009 VOLUME 44 NUMBER 3 IJSCBC ISSN 0018-9200 Multi-Standard
该期刊包含多篇关于移动广播、低噪声放大器、WLAN接收器、跳频收发器、WCDMA/HSDPA接收器、DVB-H调谐器和60GHz收发器架构的论文。
如：1.2V, 114mW, 60kb/s-10Mb/s, 90dBm IIP2
JSSC 2009第9期mm-Wave
013 22m SiGe BiCMOS Technology Fully Dedicated to mm-Wave Applications Grégory A
介绍了一种专为毫米波应用设计的0.13微米SiGe BiCMOS技术
230/280 GHz
JSSC 2009第11期mm-Wave
A World-Band Triple-Mode 802.11a/b/g SOC in 130-nm CMOS
130nm CMOS工艺下全集成802.11a/b/g三模世界频段SOC芯片
1.8V供电,接收模式144/168mA,发射模式114/150mA,灵敏度-77.5/-74dBm@54Mb/s
JSSC 2009第12期mm-Wave
W-Band CMOS Amplifiers Achieving /4310 dBm Saturated Output Power and 7.5 dB NF Dan Sandström, Mikko V aronen, Mikko Kärkkäinen, and Kari A. I. Halonen , Member , IEEE
本文介绍了两种W波段CMOS放大器，分别采用传统共面波导和慢波屏蔽波导，展示了慢波屏蔽在高频高性能中的优势。
65nm CMOS, 1.2V, 100GHz, 4310 dBm输出功率, 7.5 dB噪声系数, 13 dB增益
JSSC 2008第7期mm-WaveNeural Network Accelerator
A Wideband Millimeter-Wave Power Amplifier With 20 dB Linear Power Gain and +8 dBm Maximum Saturated Output Power Y anyu Jin, Student Member , IEEE, Mihai A. T. Sanduleanu , Member , IEEE, and John R. Long , Member , IEEE
一款90纳米CMOS工艺的毫米波功率放大器，具有20 dB线性增益和8 dBm输出功率。
52.4 GHz时19.7 dB增益，60 GHz时10.3 dB增益，最大饱和输出功率3.1 dBm，峰值PAE 4.2%
JSSC 2008第9期mm-Wave
A Millimeter-Wave
一种毫米波电路技术通过电感反馈提升谐振电路速度62%，实现128GHz振荡器。
128 GHz, 9 mW, 105 dBc/Hz at 10-MHz offset, 125 GHz, 10.5 mW
JSSC 2008第9期mm-Wave
A Quad-Band GSMEDGE-Compliant SiGe-Bipolar Power Amplifier
一款符合GSM/EDGE标准的四频段SiGe双极功率放大器芯片
3.3V下830MHz输出35.9dBm，1710MHz输出32.3dBm，峰值功率附加效率分别为56%和44%
JSSC 2008第9期mm-Wave
Millimeter-Wave Integrated Circuits in 65-nm CMOS
65纳米CMOS工艺下毫米波集成电路的设计与测量
40GHz放大器增益14.3dB, 60GHz放大器噪声系数5.6dB, 混频器转换损耗12.5dB
JSSC 2008第12期mm-WaveNeural Network Accelerator
A Fully-Integrated Quad-Band GSMGPRS CMOS Power Amplifier Ichiro Aoki Member IEE
采用同心分布式有源变压器(DAT)在130nm CMOS工艺中实现全集成四频段GSM/GPRS功率放大器。
2.9V-5.5V供电, 6V耐压, 51%功率附加效率, 4335dBm RF功率
JSSC 2008第12期mm-Wave
Terahertz CMOS Frequency Generator
采用线性叠加技术的太赫兹CMOS频率发生器
324 GHz, 46 dBm, 1 V, 12 mA, 4 GHz调谐范围, 91 dBc/Hz @10 MHz
JSSC 2007第12期mm-Wave
Millimeter-Wave Devices and Circuit Blocks up to 104 GHz in 90 nm CMOS
提出毫米波器件和电路块的系统优化方法，实现高频低功耗设计
90nm CMOS, 104GHz, 10.5mW, 12.2dB增益
JSSC 2006第5期mm-Wave
A Quad-Band 8PSKGMSK
提出一种支持四频段的8PSK/GMSK极性收发器，满足GSM标准性能要求。
满足或超越GMSK和8PSK在850/900/1800/1900四个频段的规格
JSSC 2006第5期mm-Wave
Shielded Passive Devices for Silicon-Based Monolithic Microwave and Millimeter-W
介绍了一种用于硅基单片微波和毫米波的无源器件屏蔽技术，显著提升性能。
Q-factor 25-35 (15-40 GHz), 7.4-nH电感峰值Q 32, 21-26 GHz PA 23-dBm输出