ISSCC 2014Session 26Other22nm CMOS
该论文实现了一个32Gb/s的双向串行链路，采用3抽头前馈均衡（FFE）和6抽头判决反馈均衡（DFE），功耗仅205mW，解决了高带宽外设接口对高速率、低功耗通信的需求。
▸首次在22nm CMOS工艺中实现32Gb/s双向串行链路，结合3抽头FFE和6抽头DFE均衡技术。
▸通过电路架构优化实现205mW的低功耗，满足移动平台对能效的严格要求。
ISSCC 2014Session 26Other28nm CMOS
该论文提出了一种在28nm CMOS工艺下实现的20Gb/s半双工串行链路，旨在解决CPU/GPU间高带宽、低功耗的芯片间通信需求。通过优化均衡技术，在20Gb/s速率下实现了130mW的低功耗，有效应对了高频信道损耗和阻抗不连续问题。
▸采用半双工双向链路架构，在20Gb/s速率下实现130mW的低功耗，能效比优异。
▸针对高频信道损耗和阻抗不连续，设计了高效的均衡方案，确保可靠传输。
ISSCC 2012Session 23Other
本文首次实现了基于RRAM配置存储器的单片堆叠式非易失3D-FPGA，通过将配置存储器垂直集成在FPGA逻辑和路由层之上，有效减小了芯片面积并降低了功耗。
▸首次采用RRAM作为配置存储器的单片堆叠3D-FPGA架构，实现了非易失性存储。
▸利用3D集成技术将配置存储器与逻辑层垂直堆叠，相比2D-FPGA显著减小芯片面积。
ISSCC 2012Session 23Other
该论文提出了一种采用微波驱动技术的直流隔离栅极驱动集成电路，用于功率开关器件。它解决了传统隔离驱动方案中需要额外隔离电源或复杂电路的问题，实现了无接触的直流隔离信号传输。
▸首次将微波驱动技术应用于栅极驱动IC，实现直流隔离。
▸通过微波无线能量传输和信号调制，无需隔离变压器或光耦。
ISSCC 2012Session 23Other
本文提出一种体积仅为1mm³的模块化堆叠传感平台，通过光学通信实现无线数据传输和编程，并集成多模态能量收集技术，解决了现有微传感器节点体积大、寿命短且无法远程编程的问题。
▸采用芯片堆叠技术实现1mm³超小体积的模块化传感平台，突破传统传感器节点尺寸限制。
▸利用光学通信替代射频通信，在微尺度下实现低功耗无线数据传输和远程重编程能力。
ISSCC 2012Session 23Other
本文提出了一种基于硅中介层的2.5D集成电压调节器，采用耦合磁芯电感器实现高功率密度，解决了传统片上电源管理效率低的问题，并展示了10.8A/mm²的电流密度。
▸首次将耦合磁芯电感器集成到2.5D硅中介层上，实现紧凑高效的电压调节。
▸利用硅中介层实现异构集成，提升了功率传输密度和系统性能。
ISSCC 2012Session 18OtherFDSOI-CMOS
该论文提出了一种基于FDSOI-CMOS有源像素的超密集甚高频NEMS阵列，用于传感应用。通过将NEMS与CMOS集成，解决了高密度阵列中信号读取和噪声抑制的难题，实现了快速响应和高灵敏度检测。
▸首次将FDSOI-CMOS有源像素与NEMS谐振器集成，形成超密集阵列，提升了传感密度和信号处理能力。
▸利用CMOS工艺兼容的NEMS制造技术，实现了亚微米尺寸的谐振器，降低了功耗并提高了检测灵敏度。
ISSCC 2012Session 18Other
该论文提出了一种用于微型电子鼻的低功耗读出电路，通过应用特定聚合物涂层的谐振器实现了对挥发性有机化合物（VOC）的检测，适用于个性化健康和空气质量监测等应用，从而推动节能建筑的发展。
▸提出了一种超低功耗读出电路架构，适用于微型电子鼻系统，显著降低了功耗和体积。
▸利用应用特定聚合物涂层的谐振器，实现了对VOC混合物的高灵敏度检测，增强了可调谐性。
ISSCC 2012Session 18Other
该论文提出了一种低开销的自修复嵌入式系统，用于60GHz 4Gb/s无线收发器，旨在提高芯片良率和长期可靠性。通过片上自修复机制，系统能够在生产后和运行中自动调整电路参数，补偿工艺偏差和老化效应。
▸提出一种低开销的自修复架构，集成于60GHz毫米波收发器中，无需额外测试设备即可实现性能校准。
▸设计针对60GHz射频前端的关键电路（如压控振荡器、功率放大器）的自修复算法，显著提升良率和长期稳定性。
ISSCC 2012Session 18OtherIGZO TFT
本文提出并实现了一种采用非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜晶体管(TFT)制造的6位10MS/s电流导引数模转换器(DAC)。该DAC在10MHz带宽内实现了超过30dB的无杂散动态范围(SFDR)，解决了大面积柔性电子中高性能数据转换器设计的挑战。
▸首次在IGZO TFT工艺中实现电流导引DAC架构，利用IGZO高迁移率(~20cm²/Vs)优于传统a-Si和有机半导体。
▸通过电路设计补偿TFT阈值电压漂移和工艺变化，在10MS/s采样率下达到>30dB SFDR。
ISSCC 2012Session 18Other
该论文提出了一种基于混合有机/溶液处理金属氧化物半导体的HF RFID标签，实现了双向通信。通过集成p型有机和n型金属氧化物晶体管，解决了印刷电子中RFID标签的功耗和性能瓶颈。
▸首次在HF RFID标签中结合有机p型半导体和溶液处理金属氧化物n型半导体，实现互补逻辑电路。
▸采用混合工艺集成两种不同材料体系，降低了制造成本并提升了标签的通信距离和可靠性。
ISSCC 2012Session 18Other
该论文首次在塑料箔上实现了空气稳定的有机电容触摸传感器，设计了1D和2D模拟触摸检测结构，工作频率达1.5kHz，解决了柔性电子中传感器空气稳定性与模拟触摸交互的问题。
▸首次在塑料箔上制备出空气稳定的有机电容触摸传感器，突破了有机电子器件在大气环境下的稳定性限制。
▸提出了1D和2D模拟触摸传感器架构，实现了连续位置检测，区别于传统数字扫描方式。
ISSCC 2012Session 18Other
本文提出了一种基于有机晶体管（Pseudo-CMOS）的鞋垫计步器，集成了压电能量收集器和2V数字与模拟电路。解决了有机电路在低电压下实现能量收集和计步功能的问题。
▸采用Pseudo-CMOS有机晶体管和MIM电容实现负电压发生器，用于压电能量收集。
▸在2V低电压下集成有机数字和模拟电路，实现计步器功能。
ISSCC 2011Session 24Other65nm CMOS
该论文提出了一种在65nm CMOS工艺下实现的紧凑型60GHz功率放大器，能够在1V电源电压下输出18.6dBm的功率，解决了毫米波频段高路径损耗和低电源电压下功率合成效率的挑战。通过采用空间功率合成技术，满足了IEEE 802.15.3c标准中OFDM模式对峰值功率和可靠性的要求。
▸采用紧凑的空间功率合成技术，在65nm CMOS工艺下实现了60GHz频段的高效功率放大。
▸在1V低电源电压下实现了18.6dBm的输出功率，同时保持了良好的线性度和可靠性。
ISSCC 2011Session 24Other
该论文实现了一款用于EDGE/GSM四频段应用的CMOS功率放大器，克服了传统CMOS在功率能力、效率和击穿电压方面的劣势。通过电路设计和工艺优化，达到了与GaAs/SiGe方案相当的性能，推动了CMOS PA在蜂窝通信中的商用化。
▸采用CMOS工艺实现多频段（GSM850/900/1800/1900）功率放大器，支持恒包络调制（GSM）和线性调制（EDGE）。
▸通过创新的电路架构（如自适应偏置或片上匹配网络）提升线性度和功率附加效率（PAE），克服CMOS衬底损耗和低击穿电压的局限。
ISSCC 2011Session 24Other
该论文提出了一种用于EER/极性发射机的开关电容功率放大器，解决了传统线性PA在非恒包络调制下效率低的问题。通过开关电容结构实现高效率放大，同时保持线性度。
▸采用开关电容架构替代传统线性PA，在EER/极性发射机中实现高效率功率放大。
▸通过数字辅助或电容阵列切换实现幅度调制，避免了传统PA的线性度-效率折衷。
ISSCC 2011Session 24Other40nm CMOS
该论文提出了一种采用40nm CMOS工艺的宽带直接变频发射机，通过基于子采样的校准技术解决了输出功率、本振泄漏和I/Q不平衡问题，适用于MoCA等家庭网络宽带应用。
▸提出基于子采样的输出功率、本振泄漏和I/Q不平衡校准方法，无需额外模拟电路即可实现高精度校准。
▸在40nm工艺下实现了宽带直接变频架构，克服了先进工艺带来的模拟电路设计挑战。
ISSCC 2011Session 18Other
该论文展示了在塑料基板上通过完全印刷工艺制造的有机互补金属氧化物半导体（CMOS）技术，用于数字和模拟电路。通过屏幕印刷等低成本方法实现了N型和P型有机器件，解决了有机电子领域实现低成本、柔性电子产品的关键问题。
▸首次实现完全印刷的有机CMOS技术，无需光刻等昂贵工艺。
▸在柔性塑料基板上成功集成互补型有机电路，适用于数字和模拟应用。
ISSCC 2011Session 18Other
本文提出了一种基于离子凝胶门控晶体管的印刷有机DRAM单元，实现了1V低电压工作，刷新功耗低于10nW每单元，解决了有机晶体管在存储应用中功耗高的问题。
▸首次采用离子凝胶作为栅介质，实现了低电压（1V）工作的印刷有机DRAM单元。
▸通过优化器件结构和材料，将每单元刷新功耗降低至10nW以下，显著优于传统有机存储方案。
ISSCC 2011Session 18Other
该论文提出了一种采用有机薄膜晶体管（OTFT）在玻璃衬底上实现的3.3V、6位、100kS/s电流舵数模转换器（DAC）。利用低温工艺制备的OTFT，实现了低电压操作，适用于柔性、大面积及生物医学电子应用。这是首次将OTFT应用于电流舵DAC架构，展示了有机半导体在混合信号集成电路中的潜力。
▸首次使用有机薄膜晶体管实现电流舵DAC，验证了OTFT在混合信号电路中的可行性。
▸在玻璃衬底上构建DAC，兼容低成本大面积制造工艺，且工作电压仅3.3V，适合电池供电场景。
ISSCC 2011Session 18Other
该论文介绍了一款直接在塑料箔上使用有机薄膜晶体管制造的8位微处理器，无需转移工艺。它展示了在柔性基底上实现低成本计算能力的可行性，并成功执行了数字信号处理任务，即通过时间平均提高重复数字输入的精度。
▸首次在塑料箔上直接使用有机薄膜晶体管实现微处理器，无需转移工艺。
▸展示了有机晶体管在柔性基底上执行数字信号处理任务的能力，如时间平均提高精度。
ISSCC 2011Session 12Other
该论文提出了一种基于连续时间数字信号处理（CT DSP）的可编程数字FIR滤波器，采用电平交叉采样替代传统时钟采样，实现了与信号活动相关的自适应功耗，并避免了混叠问题。该设计适用于GHz范围的多标准应用，无需复杂的抗混叠滤波器。
▸采用连续时间数字信号处理架构，利用电平交叉采样实现无时钟操作，从根本上消除混叠问题。
▸功耗随信号活动自动调整，在低信号活动时显著降低功耗，适用于多种信号场景。
ISSCC 2011Session 12Other
该论文提出了一种用于非接触式晶圆级测试的感应功率传输方案，实现了6W功率传输和25mm2的面积。解决了传统探针卡接触测试中损坏低k介质层、变形焊盘/凸点以及薄晶圆处理困难等问题。
▸首次将感应功率传输技术应用于晶圆级非接触测试，避免了机械接触带来的损伤。
▸在25mm2的小面积内实现了6W的功率传输，适用于高密度晶圆测试。
ISSCC 2011Session 12Other90nm CMOS
该论文提出了一种使用可重写固态电解质开关的可编程单元阵列，并将其集成在90nm CMOS工艺中，旨在解决基于SRAM的FPGA因待机漏电流和阈值电压变化导致的功耗和面积挑战。通过后道工序器件集成，缩小了FPGA与基于单元ASIC之间的性能差距。
▸采用可重写固态电解质开关替代传统SRAM存储单元，降低了待机漏电流和电路面积。
▸将固态电解质开关作为后道工序器件集成在90nm CMOS互连层中，实现了高密度可编程互连。
ISSCC 2011Session 12Other0.13μm CMOS
该论文提出了一款采用0.13μm CMOS工艺的130µA唤醒接收器SoC，用于降低由红外遥控器控制的家电待机功耗。解决了传统红外遥控器无法实现唤醒功能的问题，通过集成唤醒电路显著减少了AC-DC转换器造成的待机功率损失。
▸首次将唤醒电路与红外遥控接收器集成在单个SoC中，实现低待机功耗的遥控方案。
▸实现了超低功耗（130µA）的唤醒接收器，适用于电池或能量采集供电的应用场景。
ISSCC 2011Session 12Other
该论文提出了一款工作在820GHz的SiGe芯片组，用于太赫兹主动成像系统。通过采用SiGe BiCMOS工艺，实现了太赫兹频段的信号源和接收器，替代了传统的III-V族半导体和波导封装技术，提升了成像系统的集成度和性能。
▸首次利用SiGe BiCMOS工艺实现820GHz太赫兹频段的芯片组，包括太赫兹源和接收器。
▸在875GHz频率下实现了1.4mW的输出功率，证明了SiGe技术在太赫兹主动成像中的可行性。
ISSCC 2011Session 12Other
该论文提出了一种混合集成CMOS驱动器的4×4硅光子开关，实现了3.9ns的开关时间和8.9mW的低功耗，解决了传统电-光转换带来的延迟、带宽和功耗开销问题。
▸首次实现了CMOS驱动器与硅光子开关的混合集成，降低了系统功耗和复杂度。
▸通过优化光路和电路设计，在3.9ns内完成开关切换，同时功耗仅8.9mW，性能优于同类方案。
ISSCC 2011Session 12Other
该论文提出了一种无电池、实时电流波形传感器，可从交流电源线进行无插头能量采集，并集成了发射器用于无线通信，解决了现有能源管理传感器体积大、无法贴在每个设备上且需要电池的问题。
▸提出从交流电源线无插头采集能量的技术，实现传感器自供电，无需电池。
▸实现实时电流波形传感，能够连续监测能耗，相比传统间歇监测更精确。
ISSCC 2011Session 12Other
该论文提出了一种基于有机CMOS技术的100V交流功率计系统，集成在柔性薄膜上（SoF），实现了低成本、小尺寸的功率监测，适用于智能电网的细粒度能量管理。通过集成20V有机CMOS数字和模拟电路以及浮栅技术，解决了现有功率计成本高、体积大的问题。
▸首次在柔性薄膜上实现100V交流功率计系统，采用有机CMOS技术。
▸集成20V有机CMOS数字和模拟电路，并利用浮栅技术实现非易失性存储或校准功能。
ISSCC 2011Session 12Other
本论文提出一种可在95mV极低电压下启动的升压转换器，用于能量收集系统。通过采用阈值电压调谐振荡器、固定电荷编程和电容传递方案，无需机械辅助即可实现低电压启动。
▸采用固定电荷编程技术调整振荡器的阈值电压，实现低电压振荡启动。
▸提出电容传递方案，有效提升转换器的启动和升压效率。
ISSCC 2010Session 7Other
该论文展示了集成微机电开关电路在VLSI应用中的可行性，通过构建环形振荡器验证了机械开关的延迟特性，解决了传统CMOS在极端环境下功耗和可靠性的问题。
▸首次在VLSI中集成微机电开关并实现功能电路
▸通过测量机械延迟和开关电阻，验证了MEMS开关在亚100ns边缘速度下的性能
ISSCC 2010Session 7Other
本文分析了低成本3D TSV（硅通孔）集成电路的设计问题和考虑因素，探讨了TSV技术中的热管理、机械应力、电性能等关键挑战，并提出了相应的解决方案。
▸系统性地总结了低成本3D TSV IC设计中的主要问题，如热效应、应力与可靠性
▸提出了针对TSV集成工艺优化的设计考虑，包括信号完整性、功耗和成本权衡
ISSCC 2010Session 7Other
本文提出一种晶圆级异构技术集成方法，用于实现灵活的伪系统级芯片（Pseudo-SoC），解决了MEMS与标准CMOS工艺不兼容时难以实现高密度集成的问题。该方法通过晶圆级工艺整合不同技术，达到与单片集成SoC相当的集成密度。
▸提出晶圆级异构集成方法，实现MEMS与CMOS LSI的兼容集成
▸引入伪SoC（Pseudo-SoC）架构，在工艺不兼容时仍能实现高密度系统集成
ISSCC 2010Session 7Other
本文提出了一种基于电容耦合的非接触探测电路，用于膜基晶圆级同时测试（WLST），解决了传统探针卡需要数十万根探针导致接触力过大的问题。通过非接触方式实现晶圆上所有芯片的同时测试和老化，降低了已知良好芯片（KGD）的获取成本。
▸提出电容耦合非接触探测电路，避免物理接触，大幅减小测试所需的机械力。
▸结合膜基结构实现晶圆级同时测试，支持所有芯片并行测试和老化。
ISSCC 2010Session 7Other
该论文提出了一种基于有机薄膜晶体管（OTFT）的集成电路阵列，用于柔性大面积温度传感。利用OTFT的柔性和可大面积制备特性，解决了传统硅基温度传感器无法弯曲和覆盖大面积的局限。
▸首次将有机薄膜晶体管阵列用于温度传感，实现了柔性衬底上的大面积温度分布测量。
▸设计了集成的有机电路，包括传感器和读出电路，提高了系统集成度。
ISSCC 2010Session 7Other
该论文提出使用双栅技术实现有机电子中的稳健数字电路设计，通过优化二极管负载拓扑实现了2.27µs的级延迟，解决了有机电子中寄生电容导致的性能下降问题。
▸提出双栅技术用于有机电子数字电路，提高电路稳健性。
▸优化二极管负载拓扑，实现2.27µs的级延迟，比零Vgs负载拓扑快一个数量级。
ISSCC 2010Session 7Other
提出了一种用户可定制逻辑纸（UCLP），采用有机Sea-of-Transmission-Gates（SOTG）架构和喷墨打印互连技术，旨在实现可印刷的大面积有机集成电路，用户可轻松定制电路功能，适用于教育等场景。
▸首次提出有机Sea-of-Transmission-Gates（SOTG）架构，实现可编程逻辑功能。
▸采用喷墨打印技术制造互连，实现用户可定制的有机逻辑电路。
ISSCC 2010Session 7Other
该论文提出了一种在柔性塑料基底上实现的有机一阶连续时间ΔΣ模数转换器（ADC），解决了有机电子技术在模拟电路中的应用难题，展示了低成本、柔性电子系统的可行性。
▸首次在柔性塑料基底上实现有机一阶连续时间ΔΣ ADC，验证了有机薄膜晶体管在模拟电路中的潜力。
▸采用全有机工艺，无需传统硅基CMOS，实现了低成本和柔性可弯曲的ADC设计。
ISSCC 2010Session 7Other20nm低功耗技术
提出一种全耗尽极薄SOI (ETSOI) MOSFET技术，用于20nm及以下低功耗工艺。通过控制沟道厚度来抑制短沟道效应，无需传统缩放方法，同时降低泄漏电流并提高抗随机掺杂波动能力。
▸采用极薄SOI沟道实现全耗尽，有效控制短沟道效应，无需激进缩放。
▸显著降低泄漏电流并提高抗随机掺杂波动能力，适用于低功耗应用。
ISSCC 2010Session 7Other
该论文首次在玻璃衬底上使用互补有机薄膜晶体管实现了3V供电的6位逐次逼近ADC，解决了有机电子领域缺乏数据转换器的问题，并应对了OTFT工艺变化大的挑战。
▸首次在有机电子中实现逐次逼近ADC架构，使用互补有机薄膜晶体管（p型和n型）
▸在玻璃衬底上集成，展示了有机电子在柔性显示和传感器等应用中的潜力
ISSCC 2009Session 28Other90nm CMOS（处理器）/65nm CMOS（SRAM）
本文提出一种基于电感耦合的3D集成技术，将90nm CMOS八核处理器和65nm CMOS 1MB SRAM堆叠集成，通过磁耦合实现无导线通信，解决了传统3D集成中垂直互连的高寄生和工艺复杂度问题。
▸采用电感耦合代替物理引脚实现芯片间通信，降低寄生效应并提高能效
▸将处理器和SRAM分别减薄至50µm并采用面对面/背对背堆叠方式，实现紧凑3D封装
ISSCC 2009Session 28Other
该论文提出了一种用于视觉系统的主观轮廓生成LSI系统，采用可扩展的像素并行架构，旨在解决低级视觉处理任务计算密集且固定、传统媒体处理器在可编程性和性能之间权衡的问题，通过专用硬件实现高效、低成本的视觉处理。
▸提出可扩展的像素并行架构，支持大规模并行处理，适合实时视觉任务。
▸针对主观轮廓生成这一特定视觉功能设计专用LSI，相比通用处理器在性能和功耗上更优。
ISSCC 2009Session 28Other
该论文提出了一种基于硅通孔（TSV）技术的芯片级相机模块（CSCM），应用于手机摄像头。通过TSV三维集成技术，成功实现了相机模块体积缩小55%、占用面积缩小36%，解决了传统相机模块尺寸过大的问题。
▸将TSV技术应用于CMOS图像传感器相机模块，实现三维异构集成。
▸显著减小相机模块的体积和占用面积，分别降低55%和36%。
ISSCC 2009Session 28Other
该论文提出了一种基于场耦合单畴纳米磁体的无互连非易失计算架构，通过磁体间的相互作用实现逻辑运算，无需电流流动，大幅降低功耗。实验中展示了电学输入输出、磁信号分支和放大功能，为室温下运行的完整计算系统奠定了基础。
▸实现了无电流流动的磁耦合逻辑运算，仅通过磁体间交互传递信息，显著降低能耗并克服金属互连的局限性。
▸集成了电学输入输出接口、磁信号分支和类似放大器的结构，使得完整数字计算系统在室温下可操作。
ISSCC 2009Session 28Other0.18µm CMOS
该论文提出了一种可拉伸的EMI测量片，集成了8×8线圈阵列、2V有机CMOS解码器和-70dBm EMI检测电路，用于解决电子设备中电磁干扰的可靠性问题。
▸首次实现了可拉伸的EMI测量片，能够灵活贴合复杂表面进行电磁干扰检测。
▸集成了有机CMOS解码器和-70dBm高灵敏度检测电路，在0.18µm CMOS工艺中实现低功耗高性能。
ISSCC 2009Session 28Other
本文提出一种基于电感耦合的无线直流电压传输通道，用于实现高并行度的晶圆级测试，解决了传统探针卡因探针数量限制而无法同时测试大量芯片的问题，从而降低测试成本。
▸利用电感耦合实现无线直流电压传输，避免物理探针接触，提高测试并行度。
▸设计专门的电感耦合通道架构，适用于晶圆级测试场景，支持多芯片同时供电与信号传输。
ISSCC 2009Session 28Other
该论文探讨了未来多核处理器对芯片间I/O带宽的巨大需求（200GB/s至1.0TB/s），指出传统电互联技术在带宽、成本和信号完整性方面的局限，提出利用光学I/O技术实现太赫兹级计算。
▸提出以光学互联替代电互联，解决传统芯片间通信的带宽瓶颈问题。
▸针对未来多核处理器和存储器接口的高带宽需求，设计光I/O架构以实现低损耗、长距离传输。
ISSCC 2009Session 26Other
本文提出了一种460W的Class-D输出级，采用自适应栅极驱动技术，以应对消费电子市场对更高输出功率的需求。该设计解决了在高电压和电流下保持高效率与可靠性的问题。
▸提出自适应栅极驱动技术，根据负载和开关条件动态调整栅极驱动强度，优化开关损耗和EMI。
▸采用两个n型功率MOSFET的图腾柱配置，实现高电压和大电流下的高效开关操作。
ISSCC 2009Session 26Other
本文提出了两种Class-D音频放大器，实现了89%和90%的高效率，以及0.02%和0.03%的极低总谐波失真加噪声（THD+N），同时静态功耗低于1mW。通过创新的调制方案取代传统PWM中的高精度载波生成，解决了低功耗下实现低失真的难题。
▸提出新型低功耗调制器架构，省去高精度载波发生器，显著降低静态功耗。
▸在保持高效率的同时，通过优化调制策略将THD+N降至0.02%/0.03%，实现了效率与失真的良好平衡。
ISSCC 2009Session 26Other
该论文提出了一种20W/通道的Class-D音频放大器，通过改进调制技术显著降低了共模辐射发射，解决了传统Class-D放大器因轨到轨开关特性产生的电磁干扰问题。
▸提出了一种降低共模辐射的调制方案，减少了共模输出信号的轨到轨摆幅。
▸在保持高效率的同时，使放大器满足FCC Class-B等EMI标准。