ISSCC 2017Session 15Other
本文提出一种基于4F2交叉点多层金属纳米点结构的永久数字存档系统，利用金属纳米点的存在与否存储数据，实现超过1000年的数据保持能力。通过检测互电容变化读取数据，并采用0/1位平衡编码增强长期可靠性，在0.18μm CMOS原型中验证了加速老化后的功能，28nm CMOS下6层存储堆栈可实现0.4Tb/inch²的容量。
▸提出无晶体管的被动存储单元，仅由金属纳米点位于互连交叉点构成，实现永久数据保存。
▸采用多层存储堆栈结构，无需晶体管即可垂直堆叠，大幅提升存储密度。
ISSCC 2017Session 15Other
该论文提出了一种异质集成的CMOS-石墨烯传感器阵列，用于多巴胺检测。它解决了现有碳微纤维电极体积大、空间分辨率低的问题，实现了高空间分辨率的实时监测。
▸首次将CMOS电路与石墨烯传感器阵列异质集成，用于神经递质检测
▸通过阵列化设计替代传统单点电极，大幅提高空间分辨率
ISSCC 2017Session 15Other
该论文提出了一种30-80MHz同时双模式外差振荡器，面向NEMS阵列重力传感应用。通过同时跟踪多个NEMS谐振器的频率偏移，解决了大规模并行传感读出电路的限制问题。
▸提出同时双模式外差振荡器架构，可在30-80MHz频率范围内同时检测两种模式。
▸针对NEMS阵列传感应用，实现了高密度并行读出，有助于提升传感面积和空间映射能力。
ISSCC 2017Session 15Other
本文针对可扩展量子计算的需求，提出了低温CMOS（Cryo-CMOS）电路与系统设计方案。通过将CMOS电路与量子比特在低温环境下集成，解决了量子计算系统在可扩展性和功耗方面的关键挑战。
▸提出将CMOS电路与量子比特共同集成在低温环境中，实现紧密耦合的量子-经典系统。
▸设计了适用于低温（如4K）的专用Cryo-CMOS电路，可同时支持量子比特的控制和读出。
ISSCC 2017Session 15Other0.18µm SOI CMOS
本文实现了一个1024单元的可扩展光学相控阵，采用0.18µm SOI CMOS工艺，用于激光雷达（Lidar）系统中的光学波束控制。该设计解决了传统机械式激光雷达体积大、成本高、易出故障的问题，提供了一种低成本、高可靠性的固态光束扫描方案。
▸首次在0.18µm SOI CMOS工艺上实现1024单元的大规模光学相控阵，展示了高集成度与可扩展性。
▸采用可扩展架构，支持单元数量的灵活增加，适用于不同应用场景的激光雷达系统。
ISSCC 2017Session 15Other
本文报道了一种在柔性聚酰亚胺衬底上使用非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜晶体管实现的异步Delta-Sigma调制器(ADSM)。该调制器在300Hz带宽和3.4kHz采样率下，实现了43dB的信噪比(SNR)和40dB的信噪失真比(SNDR)，展示了氧化物半导体在柔性电子产品中的应用潜力。
▸首次在柔性箔片上实现基于a-IGZO TFT的异步Delta-Sigma调制器，克服了氧化物半导体迁移率较低和阈值电压漂移等挑战。
▸采用异步脉冲宽度调制(PWM)架构，无需时钟，降低了电路复杂度并适合柔性衬底的低速特性。
ISSCC 2017Session 15Other
本文提出了一种基于金属氧化物柔性工艺的NFC条形码标签，完全符合ISO14443-A标准，并通过直接时钟分频电路从13.56MHz载波获取时钟，实现了7.5mW的低功耗和128位存储，解决了柔性RFID标签与标准NFC读卡器兼容的挑战。
▸首次实现金属氧化物柔性NFC标签完全兼容ISO14443-A标准，支持与智能手机等标准NFC设备通信。
▸提出直接时钟分频电路，从13.56MHz载波直接分频产生内部时钟，无需额外振荡器或时钟源，降低了复杂度和功耗。
ISSCC 2017Session 15Other
本文提出一种基于频率跳变ZnO薄膜晶体管振荡器阵列的大面积传感器采集系统，通过减少大面积电子（LAE）与硅CMOS之间的接口数量，实现了大规模压力传感器的高效读取。该系统克服了传统有源矩阵仅能平方根减少接口的限制，显著提升了传感器集成密度。
▸采用频率跳变技术实现传感器阵列的时分复用，大幅减少LAE与CMOS之间的接口数量，突破传统有源矩阵的平方根限制。
▸利用ZnO薄膜晶体管振荡器实现大面积传感器集成，兼容柔性基底，适用于低成本、大面积的传感应用。
ISSCC 2016Session 16Other
该论文提出了一款用于汽车电子的3-40V宽输入电压、10-30MHz开关频率的GaN驱动器。通过主动自举（BST）平衡电路和VSW双沿死区时间调制技术，解决了高压波动下GaN驱动器的可靠性和效率问题。
▸提出了主动自举（BST）平衡技术，在宽输入电压范围（3-40V）内维持自举电容电压的稳定，避免过压损坏。
▸设计了基于VSW的双沿死区时间调制方法，通过检测开关节点电压动态调整死区时间，降低死区损耗并防止直通。
ISSCC 2016Session 16Other
论文提出了一种全集成半双工数据/功率传输系统，实现了高达40Mb/s的数据速率和23mW的输出功率，并集成了5kV的片上隔离电压，解决了传统分离元件或后处理工艺带来的集成度低和成本高的问题。
▸首次实现了全集成半双工数据与功率同时传输，无需外部变压器或后处理工艺。
▸在标准CMOS工艺中实现了5kV的高压隔离能力，适用于医疗和传感器接口等低功耗应用。
ISSCC 2016Session 16Other柔性薄膜晶体管（TFT）工艺
该论文展示了一款基于柔性薄膜晶体管（TFT）的NFC转发器芯片，实现了与ISO NFC标准兼容的数据速率。通过自对准金属氧化物工艺，在柔性基底上实现了高速逻辑电路，解决了柔性电子在NFC应用中速度不足的问题。
▸采用自对准金属氧化物TFT工艺，在柔性基底上实现了高速逻辑电路，环形振荡器在10V VDD和20V Vbias下频率达910kHz。
▸实现了与ISO NFC标准兼容的数据速率，为柔性NFC转发器芯片的实际应用奠定了基础。
ISSCC 2016Session 16Othera-IGZO薄膜技术
该论文提出了一种基于a-IGZO薄膜技术的柔性像素阵列，实现了电荷到电流的增益为59μA/pC和0.33%的非线性度，用于低成本、高动态范围的X射线成像背板，支持低剂量和视频速率成像。
▸采用a-IGZO薄膜晶体管技术，实现了柔性、高分辨率的X射线成像背板。
▸提出了一种改进噪声性能的像素拓扑结构，允许使用低成本的外部读出电路。
ISSCC 2016Session 16Other
该论文提出了一种基于薄膜电子技术的柔性EEG采集与生物标志物提取系统，解决了传统EEG系统中电极设置复杂、患者不适以及信号采集易受干扰等问题。通过采用低成本、一次性、柔性预凝胶电极阵列，实现了多通道低幅度EEG信号的稳健采集。
▸采用薄膜电子技术实现柔性EEG电极阵列，降低电极设置难度并提升患者舒适度。
▸集成生物标志物提取功能，在采集端直接进行信号处理，减少外部干扰。
ISSCC 2016Session 16Other
该论文提出了一种基于SPAD（单光子雪崩二极管）的16×16像素量子随机数发生器，实现了128 Mb/s的生成速率，并具有-74dB的光抑制比和-6.7ppm/°C的偏置稳定性，解决了传统随机数发生器在安全通信中易受攻击的问题。
▸采用SPAD阵列实现量子随机数生成，利用光子到达时间的随机性提高随机数质量。
▸通过像素级电路设计实现高光抑制比和温度稳定性，增强系统鲁棒性。
ISSCC 2016Session 16Other
本文设计了一种基于Keccak的无线认证标签，通过每次查询更新密钥来提升安全性，并采用FeRAM非易失性触发器实现状态备份，以抵御电源毛刺攻击。解决了低成本标签在供应链管理中的安全漏洞。
▸提出基于Keccak的认证标签，每次查询更新密钥，增强抗攻击能力。
▸利用FeRAM非易失性触发器进行状态备份，有效防御电源毛刺攻击。
ISSCC 2016Session 16Other32nm CMOS
该论文提出了一种基于32nm CMOS的纳米间隙换能器阵列，用于电化学DNA测序。芯片集成了8个32×32像素阵列，共8192个感测点，通过行译码器和列并行ADC实现高效读出，解决了高密度传感器读出和生物检测的集成问题。
▸在32nm CMOS工艺上集成了纳米间隙换能器阵列，实现了高密度电化学DNA测序感测。
▸采用类似图像传感器的架构，利用行译码器和列并行ADC进行高效读出，并集成了带隙基准和可编程电流源等偏置电路。
ISSCC 2016Session 14Other
该论文提出了一款用于8K超高清应用的4Gpixel/s H.265/HEVC视频解码器芯片，支持8/10bit像素精度。解决了超高清视频解码中的高吞吐量和低复杂度需求，实现了7680×4320分辨率、120fps的实时解码。
▸通过优化视频解码架构，实现了4Gpixel/s的超高吞吐量，满足8K120fps实时解码需求。
▸该芯片支持8/10bit像素深度，兼容H.265/HEVC标准，提高了编码效率与画质。
ISSCC 2016Session 14Other14nm
该论文提出了一种在14nm工艺上实现的可重构k近邻加速器，通过自适应精度技术消除大部分向量的全精度计算，显著提升能效。实现了21.5M查询向量/秒的吞吐率和3.37nJ/向量的能耗。
▸采用自适应精度策略，根据匹配程度逐步增加计算精度，避免不必要的全精度运算，降低能耗。
▸支持可重构架构，可灵活配置以适应不同k近邻计算需求。
ISSCC 2016Session 14Other
提出了一种用于微机器人的0.55V、1.1mW人工智能处理器，通过PVT补偿技术在低电压下实现稳定工作。该处理器集成了感知和认知功能，解决了微机器人中AI处理的高功耗和电压波动问题。
▸采用PVT补偿技术，使处理器在0.55V低电压下仍能可靠运行，功耗仅1.1mW。
▸首次将认知功能（决策）集成到面向微机器人的SoC中，实现了完整的AI处理能力。
ISSCC 2016Session 14Other
该论文提出了一款功耗仅为126.1mW的实时自然用户界面处理器，专为低功耗智能眼镜设计。处理器集成了深度学习核心，以解决现有头戴显示设备用户界面不丰富、电池续航短和重量重的问题。
▸首次将深度学习核心嵌入低功耗处理器中，实现实时自然UI/UX交互。
▸通过专用硬件架构优化，将整体功耗控制在126.1mW，满足智能眼镜的电池续航要求。
ISSCC 2015Session 24Other
该论文提出了一种使用电磁连接器的共享总线，用于卫星处理器系统，实现了6.5Gb/s的数据传输速率，并将系统尺寸和重量减少60%。解决了传统背板连接器难以超过2.5Gb/s信号传输的瓶颈问题。
▸采用电磁连接器替代传统背板连接器，实现高速信号传输并大幅减小体积和重量。
▸设计共享总线架构，通过电磁耦合方式减少连接器数量，提升系统集成度。
ISSCC 2015Session 24Other
该论文提出了一款基于CMOS退火技术的20k自旋Ising芯片，用于解决组合优化问题。通过将问题映射到Ising模型并执行基态搜索，实现了高效的近似求解。
▸首次在CMOS工艺上实现20k自旋规模的Ising芯片，支持组合优化问题的硬件加速。
▸提出基于CMOS退火的电路架构，通过模拟自旋行为和退火过程实现能量最小化。
ISSCC 2015Session 24Other90nm CMOS
该论文提出了一种上下文感知的分层信息感知架构，用于实现超低功耗的语音活动检测（VAD）。通过根据语音活动状态动态调整处理层次，并在早期进行模拟特征提取和简单分类，显著减少了能量密集型的数字化和FFT计算，在90nm CMOS工艺下实现了6µW的总功耗。
▸提出了上下文感知的分层信息感知方法，根据语音活动状态动态调整处理层次，仅在有语音时启用高精度处理，节省功耗。
▸在模拟域进行早期特征提取和简单分类，减少了后续数字处理的数据量，避免了全数字化和FFT等高能耗计算。
ISSCC 2015Session 24Other
该论文讨论了密码学对集成电路设计带来的新挑战，包括在面积、功耗、吞吐量等传统优化目标与安全性之间的权衡，以及量子计算和后量子密码算法带来的计算需求，同时强调实现必须抵抗物理攻击，而防护措施会增加成本。
▸指出了密码电路设计中传统优化目标与安全性之间的冲突与权衡
▸前瞻性地提出了后量子密码算法对硬件实现的重大计算需求挑战
ISSCC 2015Session 16Other
该论文提出了一种基于结晶In-Ga-Zn氧化物FET的128kb 4b/cell非易失性存储器，通过Vt取消写入方法解决了多值存储中的阈值电压波动问题，适用于低功耗、高速度的工作存储器需求。
▸采用结晶IGZO FET实现4b/cell的多值非易失性存储，显著提升存储密度。
▸提出Vt Cancel Write方法，有效补偿晶体管阈值电压变化，确保多值写入的准确性。
ISSCC 2015Session 16Other
本文提出了一种在GaN MMIC技术中单片集成GaN MEMS谐振器的1GHz振荡器，解决了将高Q MEMS谐振器与标准电路技术集成的问题，实现了低相位噪声的振荡器。
▸首次在GaN MMIC技术中单片集成GaN MEMS谐振器，实现1GHz振荡器。
▸利用GaN MEMS谐振器的高Q特性，降低相位噪声。
ISSCC 2015Session 16Other
该论文提出了一种20V、8.4W、20MHz的四相GaN DC-DC转换器，采用了全片上双SR自举GaN FET驱动器，实现了4ns的快速导通时间，解决了传统高压栅极驱动器传播延迟大的问题。
▸提出全片上双SR自举GaN FET驱动器，减少寄生参数并实现高速驱动。
▸采用四相架构在20MHz高频下实现8.4W功率输出和高效率。
ISSCC 2015Session 16Other
该论文提出了一种双面CMOS-CNT生物传感器阵列，采用无焊盘结构，便于在医疗环境中进行裸片测量。解决了传统CMOS-CNT传感器中键合焊盘间电短路问题，简化了CNT涂层工艺。
▸提出双面CMOS-CNT生物传感器阵列，将传感器和电路分布在芯片两侧，避免焊盘干扰。
▸采用无焊盘结构，实现简单裸片测量，无需复杂封装，适合医疗环境。
ISSCC 2015Session 16Other28nm CMOS
本文提出了一种采用28nm CMOS工艺的NEMS阵列控制集成电路，用于亚阿克级质量传感应用。该芯片解决了NEMS传感器在高频（10MHz-1GHz）和高驱动电压（1V-10V）下的驱动电子挑战，通过NEMS/CMOS共集成实现高灵敏度质量检测。
▸提出了一种针对NEMS阵列的专用控制IC，能够在10MHz-1GHz频率范围和1V-10V驱动电压下稳定工作。
▸采用28nm CMOS工艺实现NEMS与驱动电路的单片集成，降低了寄生效应并提升系统性能。
ISSCC 2015Session 16Other
该论文提出了一款能量自给自足的发热警报臂带，集成了柔性太阳能电池、压电能量采集器、有机FET电路、温度传感器和扬声器，实现了无需电池或定期充电的连续体温监测与警报功能。解决了可穿戴医疗设备对机械柔性、无线接口和能量自主性的关键需求。
▸首次实现了完全集成的能量自给自足可穿戴发热警报系统，无需外部电源或电池。
▸利用柔性有机互补FET电路（12V工作电压）和两种能量采集方式（太阳能、压电），提高了系统在多种光照和运动条件下的可靠性。
ISSCC 2015Session 16Othera-IGZO薄膜晶体管（低温<250°C）
该论文提出了一种基于非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管工艺的柔性NFC标签，可在低于250°C的温度下直接加工在聚酯基底上，旨在实现低成本、低功耗的物联网通信。通过商用USB阅读器设备在13.56MHz频率下为标签供电，解决了传统硅基NFC标签在柔性应用中的成本和工艺兼容性问题。
▸采用a-IGZO薄膜晶体管在柔性聚酯基底上低温加工，实现NFC标签的柔性化和低成本制造。
▸利用商用USB阅读器设备直接为标签供电，无需额外电源，简化系统设计。
ISSCC 2015Session 16Other
本文提出了一种基于嵌入式薄膜分类器的大型面积图像传感与检测系统，解决了大型面积电子（LAE）中因器件性能低和可变性高而无法实现复杂功能的问题，从而避免将数千个传感器信号全部连接到传统CMOS IC。
▸首次在大型面积电子中嵌入薄膜分类器，实现局部信号处理，减少与外部CMOS芯片的接口数量。
▸利用薄膜晶体管（TFT）的低性能器件构建分类功能，克服了LAE中器件变异性对电路可靠性的影响。
ISSCC 2015Session 16Other
提出了一种超薄柔性CMOS应力传感器，并演示于自适应机器人抓手上，解决了机械应力对信号处理电路压阻效应的影响问题。
▸首次将超薄CMOS芯片技术用于柔性应力传感器，实现与机器人抓手的集成
▸在HySiF混合系统框架下，通过设计补偿应力对模拟和数字电路的影响
ISSCC 2014Session 6Other28nm CMOS
本文提出一种异构3D-IC，将两个28nm FPGA芯片与32个可重构高性能数据转换器集成在一起，解决了传统分立数据转换器接口带宽瓶颈问题，实现了高带宽、高集成度的数据转换与处理。
▸首次在28nm工艺上实现包含两个FPGA芯片和32个数据转换器的异构3D-IC，通过垂直堆叠减少IO接口功耗和延迟。
▸数据转换器可重构，支持多种采样率和分辨率，适应不同应用场景，提升系统灵活性。
ISSCC 2014Session 6Other
本文分析了未来光传输网络面临的容量极限问题，指出传统单模光纤在约100 Tb/s时将因光纤非线性达到容量瓶颈。论文探讨了高容量可扩展光通信技术，以应对长期演进移动服务和云服务带来的流量增长。
▸提出未来光传输网络需突破传统单模光纤的非线性容量极限，实现更高容量扩展。
▸基于NTT网络30年容量演进数据，预测了100 Tb/s容量瓶颈的到来时间。
ISSCC 2014Session 6Other
本文针对下一代400Gb/s及以上网络线卡的内存系统瓶颈，提出专门架构和设计以提升随机事务速率(RTR)。分析了网络线卡速率翻倍对内存系统的要求，并给出了系统级解决方案。
▸提出针对400Gb/s网络线卡的内存系统架构，突破传统SRAM/SDRAM的RTR限制
▸分析网络线卡速率翻倍与功能扩展对内存系统的比例要求，并给出架构优化方向
ISSCC 2014Session 30Other
该论文提出一种基于c-axis aligned crystal In-Ga-Zn oxide (CAAC-IGZO) FET的FPGA，利用非易失性配置存储器实现常关计算，无需重配置，并采用传输门的升压效应提高路由开关速度。解决了传统FPGA在断电后需重新配置的问题，实现了低功耗和高性能。
▸使用CAAC-IGZO FET的配置存储器实现非易失性，使得FPGA在断电后无需重配置，支持常关计算。
▸通过传输门的升压效应提升路由开关的速度，同时保持低功耗。
ISSCC 2014Session 30OtherInP BiCMOS
本文提出了一种采用InP BiCMOS技术的双开关跟踪保持放大器（THA），实现了30GS/s的采样率和19dBm的IIP3，解决了高速CMOS ADC在高频下线性度快速退化的问题，适用于100Gb/s光通信系统。
▸提出双开关结构，在InP BiCMOS工艺中实现30GS/s的超高采样率。
▸通过优化电路设计，在30GS/s下达到19dBm的IIP3，显著提升高频线性度。
ISSCC 2014Session 30Other
本文提出了一种用于新兴可穿戴应用的宽带人体通信（BCC）收发器，实现了60Mb/s的数据传输速率，接收功耗为150pJ/b，发送功耗为31pJ/b，解决了可穿戴设备中高能效宽带宽通信的需求。
▸采用高效收发器架构，在保持低功耗的同时实现60Mb/s宽带BCC通信
▸接收机实现150pJ/b的能耗，发射机仅31pJ/b，显著提升能效
ISSCC 2014Session 30Other
Masao Taguchi, Hiroki Ishikuro, Tadahiro Kuroda and negative pulses are received for each bit due to Manchester encoding, error propagation can be limited within two bits. Therefore, FEC techniques ca
ISSCC 2014Session 30Other
这篇论文提出了一种基于GaN的3×3矩阵变换器芯片组，采用驱动微波技术，解决了传统AC-AC变换器中双向开关难以单片集成以及隔离栅极驱动问题，实现了高效率、无电容的功率转换。
▸首次实现了具有高阻断电压和电流处理能力的单片GaN双向开关。
▸提出了一种紧凑的隔离栅极驱动器，能够提供正负电压的栅极信号，并采用驱动微波技术集成芯片组。
ISSCC 2014Session 30Other有机互补TFT技术
该论文提出了一种基于有机互补TFT技术的13.56MHz RFID标签，采用有源包络检测方案，解决了有机电子在RFID应用中读取距离短和通信可靠性低的问题。通过互补有机技术实现了标签的整流、解调和数据编码功能。
▸首次在有机互补TFT技术中集成有源包络检测电路，提高了RFID标签的解调灵敏度和读取距离。
▸采用全有机互补工艺实现13.56MHz RFID标签，避免了混合工艺的复杂性，降低了成本。
ISSCC 2014Session 30Other
该论文提出了一种基于有机晶体管的柔性湿传感器片，能够承受2kV ESD，用于生物医学应用（如尿湿检测），并支持无线供电。通过RC振荡器频率变化检测干/湿状态，实现了多传感器复用和无线数据传输。
▸首次实现有机晶体管柔性传感器片具有2kV ESD耐受性，适用于生物医学环境。
▸采用伪CMOS反相器构成的RC振荡器，通过频率变化检测湿状态，并支持无线供电和复用。
ISSCC 2014Session 30Other
该论文提出了一种数字PWM驱动的AMOLED显示技术，旨在降低柔性基板上的静态功耗。通过创新的驱动方案，解决了传统AMOLED显示器在柔性基底上功耗过高的问题。
▸采用数字PWM驱动方式替代传统模拟驱动，有效降低静态功耗。
▸在柔性基板上实现AMOLED显示，兼顾低功耗与柔性特性。
ISSCC 2014Session 30Other0.13µm CMOS
提出一种采用浮栅存储的模拟深度机器学习引擎，在0.13µm CMOS工艺中实现了1TOPS/W的能效，解决了高维数据处理的功耗和维度灾难问题。
▸采用模拟电路实现深度机器学习，利用浮栅存储非易失性权重，大幅降低功耗。
▸在0.13µm CMOS工艺中实现1TOPS/W的能效，远超数字实现。
ISSCC 2014Session 30Other
该论文提出了一种采用混合氧化物-有机互补薄膜技术实现的8位通用微处理器，并集成了喷墨打印的P2ROM存储器。该工作解决了在柔性基底上实现低成本、低功耗微处理器的挑战，展示了薄膜晶体管技术在逻辑和存储应用中的可行性。
▸首次在混合氧化物-有机互补薄膜技术中实现8位通用微处理器，结合了n型氧化物和p型有机晶体管。
▸集成了喷墨打印的P2ROM存储器，实现了低成本、非易失性存储功能。
ISSCC 2014Session 26Other
本文提出了一种采用非对称片上端接（Asymmetric ODT）技术的DDR3内存接口，在引线键合封装和单面安装PCB上实现了2.667Gb/s的数据速率。通过放宽对电源完整性和外部环境的要求，降低了封装和PCB的设计成本。
▸提出非对称ODT技术，优化了引线键合封装和单面PCB的信号完整性，支持高速DDR3操作。
▸通过放宽系统设计约束，降低了封装尺寸和PCB面积，从而降低系统成本。
ISSCC 2014Session 26Other
该论文提出了一种8至16Gb/s、0.65至1.05pJ/b的2抽头阻抗调制电压模式发射机，通过模拟控制均衡器抽头实现阻抗调制，解决了高速串行链路中低功耗均衡和快速功率状态转换的问题。
▸采用阻抗调制的2抽头均衡器，通过模拟控制抽头权重，避免了输出驱动器的分段设计，降低了功耗和面积。
▸实现了快速功率状态转换，支持动态功率缩放，提高了能效。
ISSCC 2014Session 26Other22nm CMOS
本文提出了一种25.6Gb/s的差分与DDR4/GDDR5双模式发射器，采用数字时钟校准技术，在22nm CMOS工艺中实现。解决了高速内存接口中不同标准（DDR4和GDDR5）的兼容性问题，并提升了信号完整性。
▸首次在同一发射器中同时支持差分高速串行和DDR4/GDDR5并行内存模式，实现双模式操作。
▸采用数字时钟校准技术，有效补偿工艺、电压和温度变化，提高时钟精度和信号质量。
ISSCC 2014Session 26Other40nm CMOS
该论文提出了一种采用8b8w编码的SerDes链路，在40nm工艺下实现8-12Gb/s/wire的数据速率，旨在解决高损耗信道下带宽需求增加的问题，同时降低引脚数和功耗，并实现低延迟。
▸提出8b8w编码方案，通过8线传输8比特数据，相比传统差分对减少了引脚数，提升了引脚效率。
▸实现了低延迟设计，适用于对延迟敏感的互连场景，同时保持高能效和低功耗。