技术领域

RF & Wireless

362 篇

ISSCC 2026Session 34RF & Wireless
A 0.0523mm2 11.4mW IEEE 802.15.4a/z/ab Compatible Aliasing-Suppressing All-Digital IR-UWB Transmitter Featuring Comb-Notched Maximally Flat Amplitude Spectral Shaping
Jihun Son, Minsu Park, Chansoo Park, Kyoungtae Lee, Jong-Hyeok Yoon, Junghyup Lee, Minyoung Song
本文提出了一种兼容IEEE 802.15.4a/z/ab的全数字IR-UWB发射机，采用反相延迟双高斯脉冲与自延迟脉冲梳状陷波技术最大化频谱利用率，同时满足全球掩模。通过斜率感知非均匀插值抑制采样混叠11dB，并利用双电平开关电容功率放大器削减旁瓣发射高达12dB，实现了小面积（0.0523mm²）和低功耗（11.4mW）。
▸提出反相延迟双高斯脉冲与自延迟脉冲梳状陷波技术，有效提升频谱利用率至83.4%并满足全球掩模。
▸采用斜率感知非均匀插值方法，抑制采样混叠达11dB。
Daegu Gyeongbuk Institute of Science and Technology, Daegu,
ISSCC 2026Session 34RF & Wireless40nm CMOS
A 1.6-to-3.8GHz Reconfigurable FMCW Radar SoC with 81.5% Relative-Bandwidth PLL for Real-Time Life Detection in Disaster Response
Renjie Fu*1, Linxu Shi*1, Fanxun Cai1, Yunqi Yang1, Hao Lei1, Zhigang Fu1, Yilin Xu1, Pengcheng Wang1, Ziyang Li1, Shixu
本文提出了一款1.6至3.8GHz可重构FMCW雷达SoC，用于灾后实时非视距生命探测。通过采用81.5%相对带宽的环形VCO PLL与DTC，实现了29.6kHz频率误差和0.78至400MHz/μs的啁啾斜率，解决了宽带线性调频与高精度生命探测的难题。
▸提出81.5%相对带宽的环形VCO PLL与DTC，实现宽频带内低频率误差和高啁啾斜率。
▸集成13.43dBm功率放大器与8.1dB噪声系数的接收射频前端，以及100dB抑制的基带链，实现高灵敏度非视距生命探测。
29.6kHz频率误差，0.78-to-400MHz/µs chirp slopes，13.43dBm PA输出功率，8.1dB NF
ISSCC 2026Session 34RF & WirelessIntel16 CMOS
A 234-to-252GHz Dual-Polarized Transceiver Using Antenna-in-Package Technologies for Cross-Polarimetric Sensing
Xibi Chen1, Georgios C. Dogiamis2,3, Ruonan Han1
本文提出了一款工作于234-252GHz的双极化单站CMOS收发器，采用天线封装(AiP)技术实现交叉极化感知。通过低成本标准有机封装实现了>200GHz的无源天线与互连，辐射效率达69%，相比传统全片上方案节省了硅面积，验证了在亚毫米波频段使用封装集成的可行性。
▸首次在234-252GHz频段采用天线封装(AiP)技术，实现了双极化单站收发器，支持交叉极化感知功能。
▸利用低成本标准有机封装实现了>200GHz的无源天线与互连，辐射效率高达69%，显著节省了芯片面积。
Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, 2Intel
ISSCC 2026Session 34RF & Wireless22nm CMOS
A 128mW 2×4 Radar-on-Chip with Forward-ΔΣ DPLL-Locked Multi-Injection RTWO in 22nm CMOS Enabling ADC-Free Digitization and PS-Free Beamforming Demonstrated in In-Cabin Vital-Sign Monitoring
Liheng Lou1, Zeyu Zhou1, Luyao Yuan1, Yucheng Long1, Gong Chen2, Xiaoyu Li3, Shaoqi Yang1, Han Cui1, Ji Peng1, Weichen T
本文提出了一款基于22nm CMOS工艺的2×4相控阵雷达芯片，采用前向ΔΣ DPLL锁定多注入RTWO架构，同时实现调制解调、波束赋形和数据转换功能，用于车内生命体征监测。该芯片通过0dBm CW/PMCW信号消除呼吸干扰，将心脏信号提取的无杂散动态范围提升9dB，在1.42mm²面积内功耗仅128mW，呼吸率和心率误差小于±6bpm。
▸提出前向ΔΣ DPLL锁定多注入RTWO架构，使单个振荡器同时承担调制解调、波束赋形和模数转换功能，实现无ADC数字化。
▸利用0dBm CW/PMCW信号进行呼吸干扰消除，将心脏信号提取的SFDR提升9dB，显著提高生命体征监测精度。
University of Science and Technology of China, Hefei, China, 128mW功耗，1.42mm²芯片面积，RR/HR误差<±6bpm，SFDR提升9dB
ISSCC 2026Session 33RF & Wireless
A 4.5-to-7.2GHz Beyond Rail-to-Rail Output SCPA with 27.9dBm Pout and 46.2% DE at 5.1GHz Using Periodic Voltage-Pacing Network
Bingzheng Yang1,2, Jie Zhou1, Junfa Mao1, Xun Luo1
Abstract This work presents a switched-capacitor power amplifier (SCPA) using periodic voltagepacing network, capable of generating output voltage beyond conventional rail-to-rail limit, which enhance
Shenzhen University, Shenzhen, China, 2University of Electro
ISSCC 2026Session 33RF & Wireless28nm CMOS
A 6GHz Quadrature Digital Transmitter Supporting a 1GHz Signal Bandwidth with <-40dB EVM Floor and >55dB Dynamic Range in 28nm CMOS
Yicheng Li*, Feng Xie*, Yun Yin, Lixuan Cao, Tianze Yang, Jiaxiang Li, Hongtao Xu
本文提出了一款6GHz正交数字发射机（DTX），支持1GHz信号带宽，在28nm CMOS工艺中实现。通过优化静态和动态非线性，该发射机实现了23.1dBm峰值输出功率、30.3%峰值PAE，以及-40.8dB的EVM底噪和>55dB的动态范围，解决了宽带数字发射机中线性度与效率的权衡问题。
▸提出了一种针对静态和动态非线性的联合优化方法，显著提升了宽带信号的线性度。
▸实现了1GHz信号带宽下-40.8dB的EVM底噪和>55dB的动态范围，性能优于现有方案。
Fudan University, Shanghai, China 23.1dBm峰值输出功率，30.3%峰值PAE，-40.8dB EVM底噪，>55dB动态范围
ISSCC 2026Session 33RF & Wireless22nm CMOS SOI
An Infinite-Loop CMOS-Compatible Isolator Enabled True VSWR-Resilient Power Amplifier for 6G FR3 in Massive MIMO and Phased-Array Systems
Mohsen Ghorbanpoor1,2, Mohamed Eleraky2, Konstantinos Manetakis1, Pascal Nussbaum1, Hua Wang2
该论文提出一种基于无限环路CMOS兼容隔离器的平衡功率放大器，通过时变输出匹配网络和有损非互易移相器，有效抑制大规模MIMO和相控阵系统中的反射与耦合，实现VSWR鲁棒性。采用22nm CMOS SOI工艺，在3:1/2:1 VSWR轮廓下IP1dB变化仅±0.43dB。
▸利用有损非互易移相器构建间接无限环路，在最小化传输损耗的同时实现完美隔离。
▸提出时变输出匹配网络，动态抑制反射和耦合，增强VSWR鲁棒性。
CSEM, Neuchatel, Switzerland, 2ETH Zurich, Zurich, Switzerla IP1dB变化±0.43dB（3:1/2:1 VSWR）
ISSCC 2026Session 33RF & Wireless
A 22-to-25GHz CMOS Non-Magnetic Balanced Circulator Achieving at Least 20dB TX-RX Isolation for an Antenna VSWR of 2
Heqi Deng, Ehsan Shokrolahzade, Niels Fakkel, Marco Spirito, Fabio Sebastiano, Masoud Babaie
本文提出了一种22-25GHz CMOS非磁性平衡循环器，通过正交耦合器、平衡网络和（非）互易支路，解决了电平衡双工器插入损耗高和传统循环器在天线VSWR变化时隔离度下降的问题。实现了<5.2dB TX-ANT插入损耗、<4.2dB RX-ANT插入损耗和>20dB TX-RX隔离度，带宽>2.2GHz，支持全双工操作。
▸提出非磁性平衡循环器结构，结合正交耦合器和平衡网络，在毫米波频段实现高隔离度同时保持低插入损耗。
TU Delft, Delft, The Netherlands
ISSCC 2026Session 21RF & Wireless0.18µm BCD
A -82.3dB THD+N 60V Fully Integrated Shunt-Resistor-Based In-Line Current Sensor with DLL-Assisted Dynamic Body-Biasing Technique
Heng Ma, Huajun Zhang, Qinwen Fan
本文提出了一种基于DLL辅助动态体偏置的电流传感器，解决了浮栅Gm电流传感器在高电压下因LDMOS体效应导致的线性度下降问题。通过动态偏置技术，实现了31dB的HD2改善和14dB的THD+N改善，峰值THD+N达到-82.3dB，支持60V共模电压和2MHz PWM抑制。该传感器适用于高功率音频和电机驱动系统。
▸提出DLL辅助的动态体偏置技术，有效抑制LDMOS器件在高电压下的衬底电流体效应，提升线性度。
▸实现全集成基于分流电阻的内联电流传感器，支持60V共模和2MHz PWM共模电压抑制。
TU Delft, Delft, The Netherlands 峰值THD+N -82.3dB，HD2改善31dB，THD+N改善14dB，支持60V共模、2MHz PWM抑制
ISSCC 2026Session 21RF & Wireless
A CMOS Hybrid Common-Gate Current-Integrating Sampler with >37dB SNDR Across 51GHz BW in a 128GS/s Front-End
Jun Dai1, Yi Zhong1, Yunsong Tao1, Aodong Zhang1, Mingtao Zhan1, Hao Zhang2, Lu Jie1, Nan Sun1
本文提出了一种CMOS混合共栅电流积分采样器，用于解决宽带ADC前端中的线性度、带宽和抖动限制。该前端采用混合共栅V-I转换器、变压器耦合电感峰化和自动功率门控保持缓冲器，在51GHz带宽内实现了超过37dB的SNDR，并在128GS/s前端中展示了优越的SNDRBW-性能。
▸提出混合共栅V-I转换器，结合变压器耦合电感峰化技术，显著提升带宽和线性度。
▸采用自动功率门控保持缓冲器，降低功耗并改善采样保持性能。
Tsinghua University, Beijing, China, 2Magnichip, Nanjing, Ch 38.6dB SNDR near 52GHz BW-3dB, 48.1dB SFDR, 128GS/s
ISSCC 2026Session 21RF & Wireless
A Battery-Free Wireless Electrochemical-Interface SoC Featuring 143dB Dynamic Range for Multimodal Wearables
Weixiao Wang, Yili Shen, Tianyi Cai, Qijing Xiao, Yuxuan Luo, Bo Zhao
本文提出了一款无电池无线电化学接口SoC，采用自适应性逐步下沉技术和频率-数字混合结构，实现了143dB的动态范围和0.99997的高线性度，功耗仅23.3μW，适用于多模态可穿戴生理监测。
▸提出自适应性逐步下沉技术，用于无OTA恒电位仪，在23.3μW功耗下实现143dB动态范围
▸采用频率-数字混合结构，确保在143dB范围内线性度达到R2=0.99997
Zhejiang University, Hangzhou, China
ISSCC 2026Session 21RF & Wireless
A ±60mA-Inaccuracy Low-Side Average Current Sensor with Operating-Conditions-Insensitive Control Supporting 0.1-to-3A Load Range and Sub-100ns Sample Time for Automotive USB Charge Application
Jian-Jun Kuang1,2, Xin Ming1, Xin-Ce Gong1, Tian-Chen Lang2, Xiang Geng2, Bo Zhang1
该论文提出一种用于汽车USB充电的低侧平均电流传感器，支持0.1-3A负载范围和亚100ns采样时间，实现了±60mA的高精度。通过自适应稳定助手、直流电平移位偏置和抗占空比电阻三种技术，分别解决了稳定延迟、轻载精度和带宽漂移问题。
▸自适应稳定助手：通过辅助电路减少电流传感器的稳定延迟，提高响应速度。
▸直流电平移位偏置：改善轻载条件下的电流检测精度，降低误差。
University of Electronic Science and Technology of China, Ch ±60mA inaccuracy, 0.1-3A load range, <100ns sample time
ISSCC 2026Session 21RF & Wireless2nm gate-all-around (GAA)
A 0.6V 625um2 Fully Stacked RC-Based Temperature Sensor Using Low TCR Metal Resistor Achieving 0.017nJ·%2-Accuracy FoM in 2nm Gate-All-Around Process
Haejung Choi, Jooseong Kim, Woojoong Jung, Sungmin Yoo, Jun-Hyeok Yang, Sunghyuck Lee, Jihye Park, Michael Choi, Ben Rhe
本文提出一种基于RC的温度传感器，采用2nm gate-all-around工艺，通过完全堆叠低TCR金属电阻和环形振荡器时间数字转换器（TDC）来最小化硅面积（625μm²）。采用时间偏移压缩技术克服低TCR金属电阻的缺点，在-40~125°C范围内实现±0.5°C（3σ）的精度和12μs的转换时间，精度FoM达到0.017nJ·%²。
▸完全堆叠低TCR金属电阻与环形振荡器TDC，实现625μm²的超小面积。
▸提出时间偏移压缩技术，在12μs转换时间内保持高精度，克服低TCR金属电阻的响应速度限制。
Samsung Electronics, Yongin, Korea 0.6V供电，625μm²面积，±0.5°C（3σ）精度，12μs转换时间，0.017nJ·%²精度FoM
ISSCC 2026Session 21RF & Wireless
A Background-Calibrated NPN-Based Temperature Sensor with 0.05°C (3σ) Inaccuracy from -70°C to 125°C
Nandor G. Toth, Kofi A. A. Makinwa
本文提出了一种基于NPN晶体管的温度传感器，通过背景校准方案校正前端所有电流域误差，实现了-70°C至125°C范围内0.05°C（3σ）的高精度，解决了传统BJT温度传感器难以达到亚0.1°C精度的问题。
▸提出背景校准方案，实时校正电流域误差，无需中断测量。
▸实现0.05°C（3σ）的高精度，同时达到100fJ·K²的能效和0.004°C/V的电源抑制比。
TU Delft, Delft, The Netherlands 0.05°C (3σ) inaccuracy from -70°C to 125°C, 100fJ·K² energy efficiency, 0.004°C/V PSS
ISSCC 2026Session 21RF & Wireless
A Temperature- and Aging-Compensated TMR Current Sensor with ±0.13% Sensitivity Variation from -40°C to 120°C
Tianxiang Qu, Nan Wang, Kaiwen Zhou, Jiayao Liu, Longxi Xiang, Mingqian Sun, Zhiliang Hong, Xiaoyang Zeng, Jiawei Xu
该论文提出了一种基于TMR的接触式电流传感器，通过灵敏度稳定环路和内置应力传感器分别补偿温度和老化引起的灵敏度漂移。实验结果表明，在-40°C至120°C范围内灵敏度变化仅为±0.13%，老化漂移降低至0.1%。
▸提出灵敏度稳定环路，连续调整TMR灵敏度，使残余漂移仅依赖于片上曲率校正电流参考。
▸内置应力传感器，用于进一步补偿电流参考源因老化引起的漂移。
Fudan University, Shanghai, China
ISSCC 2026Session 21RF & Wireless
A Fully Integrated GMR Biosensor with On-Chip Coils and Sensors Achieving 605 Resolution FoM for Multiplexed PoC Diagnostics
Mengze Wu1, Remy Lassalle-Balier2, Pablo Aguirre3, Florencia Ferrer3, Sina Haji Alizad4, Shekher Kummari1, Alex Latham4,
本文提出一种全集成GMR生物传感器芯片，集成片上传感器、励磁线圈和数字后端，实现高灵敏度、低噪声和快速读取，用于多路复用即时诊断，解决了传统GMR传感器外部线圈大、读取慢、集成度低的问题。
▸首次实现全集成片上励磁线圈与GMR传感器，无需外部线圈，大幅缩小系统体积
▸采用数字后端实现21倍更快的读出速度和10倍更低的基线噪声，分辨率FoM达605，优于先前设计
University of California, San Diego, CA, 2Allegro MicroSyste 120nTrms噪声, 0.38ppm灵敏度, <0.2%失配, 分辨率FoM 605
ISSCC 2026Session 20RF & Wireless
A 16-to-256QAM G-Band Subharmonic Phase-Modulating Transmitter for Beyond-5G Communications
Jia Zhou1, Jieqiong Du1, Chao-Jen Tien1, Jhih-Wei Chen1, Ruei-Chen Soong1, Francisco Cardenas Beltran1, Lachlan Cuskelly
本文提出了一种面向超5G通信的G波段次谐波相位调制发射机，采用时不变相位三倍频架构和分段9位数字-相位转换器（DTPC），实现直接QAM合成。该发射机在G波段支持16/64/256QAM调制，峰值数据速率达51.2 Gbps，有效解决了高频段高数据速率传输的挑战。
▸提出次谐波相位调制架构，通过时不变相位三倍频实现高频载波生成，降低本振频率要求。
▸设计GS/s分段9位数字-相位转换器（DTPC），实现亚度均方根相位误差，支持高精度QAM调制。
Adrian Tang1,2, Sai-Wang Tam3, Mau-Chung Frank Chang1 Univer
ISSCC 2026Session 20RF & Wireless45nm RFSOI
An Ultra-Compact D-Band Transceiver Front-End Based on a Common-Gate Bidirectional Amplifier Achieving 11.2dBm TX Psat and 8.2dB RX Average NF for an Area-Constrained 2D Beamformer AiP
Syed Mohammad Ashab Uddin1,2, Wooram Lee1
本文提出一种基于共栅双向放大器的超紧凑D波段收发前端，采用45nm RFSOI工艺，面向面积受限的二维波束成形天线封装。通过开关无对称级间匹配网络和可重配置输入/输出网络，实现了TX峰值饱和功率11.2dBm@135GHz，接收平均噪声系数8.2dB@129-145GHz，有源面积仅0.08mm²。
▸采用共栅双向放大器架构，实现收发前端的高度集成和面积缩减。
▸提出开关无对称级间匹配网络和紧凑低损耗可重配置输入/输出网络，替代传统开关式收发切换。
Pennsylvania State University, University Park, PA, 2Texas I TX Psat=11.2dBm@135GHz, RX NF=8.2dB@129-145GHz
ISSCC 2026Session 20RF & Wireless35nm GaN HEMT
A 330-to-344GHz GaN Power Amplifier with Maximum-Available-Gain-Boosting Technique and Compact Tandem Coupler Achieving 86mW Output Power at 340GHz
Weibo Wang*1,2, Wenhua Chen*3, Kenan Xie*4, Chenjie Luo2, Yibin Zhang2, Dechun Shang2, Ziwei Jiang2, Guodong Yu2, Yan Ch
该论文展示了一款采用35nm GaN HEMT工艺的330-344 GHz功率放大器，通过最大可用增益提升技术和紧凑型Tandem耦合器，解决了太赫兹频段增益低、合路损耗大的问题。最终实现了超过21dB增益和18dBm饱和输出功率，峰值功率密度达0.925W/mm。
▸提出最大可用增益提升技术，在THz频段有效增强级联放大器的增益性能。
▸设计小型化Tandem耦合器，降低端口反射和合路损耗，提升功率合成效率。
National Key Laboratory of Solid-State Microwave Devices and 增益>21dB, 饱和输出功率>18dBm (峰值19.3dBm), 功率附加效率>0.6%, 功率密度>0.925W/mm
ISSCC 2026Session 20RF & Wireless
OP1dB Deviation (dB) 14.0 13.5 12.5 PAE (%) PAE (%) Power Gain (dB) Pout (dBm) VSWR @ 13GHz Pout (dBm) PG Deviation (dB) VSWR Angle (o) RIMD7U VSWR @ 13GHz VSWR Angle (o) VSWR Angle (o) PAEOP1dB -PAEOP1dB@50Ω 48.25dBc RIMD5U Main Tone RIMD7L RIMD5L RIMD3L 27.5dBc Coupled Tone RIMD3U PG Deviation (dB) Pout (dBm) PG Deviation (dB) VSWR @ 13GHz PAEOP1dB -PAEOP1dB@50Ω Large Signal Performance PAEOP1dB -PAEOP1dB@50Ω OP1dB Deviation (dB) S12 S22 VSWR 4:1 OP1dB Deviation (dB) Power Gain (dB) S11 VSWR 3:1 PAE (%) Power Gain (dB) VSWR 2:1 CW @ 12.25GHz S21
Figure 20.4.3: Measured PA S-parameters, stability factors, and large-signal, VSWR Angle (o)
该论文研究了一款工作于12.5-14.5GHz的功率放大器(PA)，重点分析了其在2:1、3:1和4:1三种电压驻波比(VSWR)条件下的性能退化情况，包括功率增益、PAE和线性度等指标。通过实验测量和RIMD分析，该PA在负载失配下仍能保持较好的性能，适用于射频收发机子系统。
▸系统性地评估了PA在多种VSWR角度和比值下的大信号性能，给出了PAEavg、Pavg等关键参数的详细变化规律。
▸引入了RIMD（可能是负载失配下的互调失真）指标来量化PA在失配条件下的线性度退化。
PAEavg=20.25% @ 50Ω, PAEavg=18.593% @ VSWR 3:1 225°, PAEavg=22.97% @ VSWR 3:1 90°
ISSCC 2026Session 20RF & Wireless
A mm-Wave Doherty Power Amplifier in a Single-Path Footprint Using Compact Reciprocal Doherty Networks
Lianbo Liu1, Yidong Fang1, Qiang Zhou2, Taiyun Chi2, Sensen Li1
本文提出了一种紧凑的单路径足迹Doherty功率放大器，通过提出的互易Doherty网络理论，利用单个变压器实现了最小化的无源网络面积。该设计仅使用三个变压器足迹和一个驱动器，核心面积为0.12mm²，与线性PA相当，同时支持宽带、高阶QAM OFDM信号，具有高平均效率。
▸提出了互易Doherty网络理论，实现了基于单个变压器的紧凑Doherty PA设计。
▸通过单路径足迹和最小化无源网络面积，使核心面积与线性PA相当，显著减小了芯片尺寸。
University of Texas, Austin, TX, 2Rice University, Houston,
ISSCC 2026Session 20RF & Wireless22nm FDSOI CMOS
A High Back-off Efficiency Unequal-Stacked Doherty Power Amplifier Achieving 16.7dBm Pavg in a 22nm FDSOI CMOS Technology for 5G FR2 Applications
Seungwon Park, Jooseok Lee, Seungjae Baek, Taewan Kim, Yifei Chen, Sehyug Jeon, Sung-gi Yang
提出一种非均衡堆叠的Doherty功率放大器，载波放大器采用共源拓扑，峰值放大器采用N堆叠拓扑，通过理论确定的四分之一波长线提高回退效率。在24-28GHz频段实现5G NR 64-QAM OFDM 100MHz信号下平均功率超过15.8dBm，平均PAE超过16.9%。
▸提出载波放大器为共源、峰值放大器为N堆叠的非均衡堆叠Doherty结构
▸通过理论分析确定四分之一波长线参数以优化回退效率
Samsung Electronics, Seoul, Korea Pavg 16.7dBm，PAEavg 16.9%，EVM -25dB
ISSCC 2026Session 20RF & Wireless
A 215GHz 8×8 Radiator-Oscillator Array with Robust Coupling Achieving 25.5dBm EIRP and 12.9% FTR
Ahmed Elmenshawi1, Sriram Muralidharan2, Mona M. Hella1
本文提出了一种215GHz的8×8辐射器-振荡器阵列，采用基于分布式耦合的多功能网络实现鲁棒耦合，在宽频率范围内实现亚纳秒同步，并利用高方向性喇叭天线封装和玻璃超表面提高EIRP和辐射效率。该阵列实现了25.5dBm的平均EIRP和12.9%的连续频率调谐范围，为太赫兹传感与成像提供了高功率、宽带宽的解决方案。
▸提出基于分布式耦合的多功能网络，实现二维可扩展的鲁棒耦合，支持宽频率范围和亚纳秒同步。
▸采用高方向性喇叭天线封装结合玻璃超表面，显著提升EIRP和辐射效率。
Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY, 2Oso Semiconduct 25.5dBm EIRP, 12.9% FTR @ 215GHz
ISSCC 2026Session 20RF & Wireless0.13μm SiGe
A 214-to-242GHz Miniaturized Co-Packaged PA-Antenna Array with 29dBm Lens-less EIRP in a 0.13μm SiGe Process
Qianqi Meng, Zhihua Wang, Peigen Zhou, Dawei Tang, Siyuan Tang, Junyue Xiao, Rui Zhou, Jinben Li, Zhe Chen, Jixin Chen,
本文提出一种小型化、高功率、宽带的太赫兹PA-天线阵列，采用0.13μm SiGe工艺，实现214-242GHz频段29dBm无透镜峰值EIRP。通过折叠10阶功率分配/合成和交错匹配方法，PA在160-248GHz达到17.4dB增益和16.5dBm饱和功率；集成共封装超低损耗缝隙贴片天线，辐射效率达66.7%，带宽36GHz。
▸提出折叠10阶功率分配/合成和交错匹配方法，显著提升PA的带宽和饱和功率，实现160-248GHz宽频带工作。
▸集成共封装超低损耗缝隙贴片天线，解决天线效率与带宽限制，实现66.7%辐射效率和36GHz带宽。
Southeast University, Nanjing, China
ISSCC 2026Session 20RF & Wireless22nm FDSOI CMOS
An Ultra-Compact Asymmetrically Load-Pulled Series Doherty Power Amplifier in 22nm FDSOI CMOS with 25.3dBm Psat and 29.7% PAE6dB for Ku-Band 6G FR3
Jinglong Xu1, Tzu-Yuan Huang1,2, Mohamed Eleraky1, Islam Tolaib1, Hua Wang1
本文提出了一种超紧凑不对称负载牵引串联Doherty功率放大器，采用22nm FDSOI CMOS工艺和单足迹输出组合器，通过定量分析变压器作为阻抗反相器实现紧凑设计，并引入不对称负载牵引概念来提升回退效率。该PA针对6G FR3频谱（7-20GHz），实现了25.3dBm饱和功率、1.56W/mm²功率密度和30%的6dB回退效率，并支持宽带调制。
▸提出单足迹输出组合器，通过对单个变压器作为阻抗反相器的定量分析，将无源网络转换为紧凑的单足迹电磁结构，大幅减小芯片面积。
▸引入不对称负载牵引概念，优化Doherty PA的负载调制行为，提升回退效率。
ETH Zurich, Zurich, Switzerland, 2ARGUS SPACE AG, Zurich, Sw 25.3dBm Psat, 1.56W/mm²功率密度, 30% PAE@6dB回退
ISSCC 2025Session 5RF & Wireless
A 21-to-31GHz DPD-less Quadrature RFDAC with Invariant Impedance and Scalable LO Leakage
Huizhen Jenny Qian, Wubo Qin, Chenxi Qiu, Yintang Yang
本文提出了一种21-31GHz无数字预失真（DPD-less）正交射频数模转换器（RFDAC），通过不变阻抗和可缩放LO泄漏技术解决毫米波频率下RFDAC非线性问题，提升发射机线性度。
▸提出不变输出阻抗技术，使单元阵列阻抗不随基带码变化，改善毫米波线性度。
▸实现可缩放LO泄漏，支持灵活配置以优化发射机性能。
Xidian University, Xi’an, China
ISSCC 2025Session 5RF & WirelessCMOS/LDMOS
A 20W CMOS/LDMOS All-Digital Transmitter with Dynamic
Retiming and Glitch-Free Phase Mapper, Achieving 68%/62%, Peak Drain/System Efficiency
该论文提出了一种20W CMOS/LDMOS全数字发射机，采用动态重定时和无毛刺相位映射器技术，解决了模拟PA发射机能耗高的问题，实现了68%的峰值漏极效率和62%的系统效率。
▸采用动态重定时技术优化数字发射机时序，减少失真。
▸提出无毛刺相位映射器，避免相位切换时的毛刺干扰。
峰值漏极效率68%，系统效率62%
ISSCC 2025Session 5RF & Wireless
A Power-Efficient CORDIC-less Digital Polar Transmitter Using 1b DSM-Based PA Supporting 256-QAM
Yuncheng Zhang, Zezheng Liu, Duo Li, Minzhe Tang, Yi Zhang, Hongye Huang,
本文提出了一种低功耗、无CORDIC的数字极性发射机，采用1比特Delta-Sigma调制（DSM）的功率放大器（PA），支持256-QAM调制。该设计避免了传统数字正交发射机中的IQ失配和占空比误差问题，同时通过无CORDIC架构降低了功耗和复杂度。
▸提出无CORDIC的数字极性发射机架构，消除了坐标旋转数字计算机（CORDIC）模块，降低了功耗和面积。
▸采用1比特DSM（Delta-Sigma调制）的功率放大器，实现了高效率和高线性度，支持256-QAM高阶调制。
ISSCC 2025Session 5RF & Wireless
An Ultra-Compact Wideband Load-Insensitive Complex-Cascode LC-Neutralized Power Amplifier for 4:1-VSWR-Resilient Operations in Large-Scale Phased Arrays
Mohamed Eleraky1, Tzu-Yuan Huang1,2, Hua Wang1
本文提出了一种超紧凑宽带负载不敏感复合共源共栅LC中和功率放大器，用于解决大规模毫米波相控阵中因天线互耦导致的高电压驻波比（VSWR）问题，实现了4:1 VSWR下的弹性操作。
▸提出复合共源共栅LC中和拓扑，在宽频带内实现负载不敏感特性。
▸采用超紧凑设计，显著减小芯片面积，适用于密集阵列。
ETH Zürich, Zürich, Switzerland
ISSCC 2025Session 5RF & Wireless22nm FDSOI CMOS
A 22nm FDSOI CMOS-Based Compact 3-Stack Doherty Power Amplifier with a Stacked OPA-Based Bias Scheme Achieving >16.5dBm Pavg for 5G FR2 Applications
Jooseok Lee, Hansik Oh, Seungjae Baek, Seungwon Park, Dongsoo Lee,
该论文在22nm FDSOI CMOS工艺上设计了一种紧凑的3级堆叠Doherty功率放大器，通过堆叠OPA偏置方案，实现了超过16.5dBm的输出功率，适用于毫米波相控阵系统。
▸采用3级堆叠Doherty结构在22nm FDSOI上实现紧凑毫米波PA设计，提升集成度。
▸提出堆叠运算放大器(OPA)偏置方案，改善PA的线性度和效率。
Sehyug Jeon, Taewan Kim, Joonho Jung, Sung-gi Yang Samsung E 输出功率>16.5dBm
ISSCC 2025Session 5RF & Wireless
A 56-to-64GHz Linear Power Amplifier with 30.2dBm Psat and 23.5% PAEpeak Using Scalable Matched-Zone-Expanding Radial Power Combining with EM-Loss Reduction in 40nm Bulk CMOS
Deshan Tang, Bingzheng Yang, Aoran Han, Xun Luo
本文提出了一种56-64GHz线性功率放大器，采用可扩展的匹配区域扩展径向功率合成技术，实现了30.2dBm饱和输出功率和23.5%峰值功率附加效率，解决了毫米波频段在电压限制硅工艺中实现大输出功率的难题。
▸提出可扩展的匹配区域扩展径向功率合成结构，克服了传统功率合成器随子PA数量增加输入阻抗变化的问题。
▸在56-64GHz频段同时实现了高功率（30.2dBm）和高效率（23.5% PAEpeak），兼顾线性度。
University of Electronic Science and Technology of China, Ch Psat=30.2dBm, PAEpeak=23.5%, 频率56-64GHz
ISSCC 2025Session 5RF & Wireless
Spatial-Temporal Direct-Digital Beamforming Power Amplifier with Enhanced Back-Off Efficiency in a 24GHz Phased Array
Yutian Zhao1, Yiyang Song1, Weiyan Gu1, Shiyuan Yu1, Zhehao Yu2, Yuxiang Han1,
本文提出了一种名为“时空波束赋形功率放大器”的直接数字幅度和相位波束赋形功率放大器，用于解决毫米波发射机在传输高峰均比信号时回退效率低以及传统移相器效率低、体积大的问题。该设计通过时空联合处理将波束赋形和功率回退优化结合，提升了24GHz相控阵系统的性能。
▸提出时空波束赋形功率放大器架构，直接在数字域实现幅度和相位波束赋形，避免了传统射频波束赋形的失配和插入损耗。
▸通过空间-时间联合处理增强功率回退效率，解决了基带波束赋形系统复杂度和射频波束赋形效率低的矛盾。
Xinen Zhu3, Xuyang Lu1 Shanghai Jiao Tong University, Shangh
ISSCC 2025Session 5RF & Wireless
A Blocker-Tolerant mm-Wave Low-Noise Amplifier Utilizing Doherty Active Load Modulation for Linearity Enhancement
Hao Yu, Lianbo Liu, Sensen Li
该论文针对大规模MIMO和车载雷达等应用对接收机线性度的高要求，提出了一种利用Doherty有源负载调制技术增强毫米波低噪声放大器线性度的新设计。通过该技术，LNA能够在存在强干扰信号时保持信号完整性，有效抑制阻塞效应。
▸首次将Doherty有源负载调制技术应用于毫米波LNA，通过动态调整负载阻抗来改善大信号线性度。
▸设计了一种耐阻塞的毫米波LNA架构，在不显著牺牲噪声性能的前提下实现高线性度。
University of Texas, Austin, TX
ISSCC 2025Session 5RF & Wireless
A 3.5mW mm-Wave Low-Noise Active Bandpass Filter Employing an All-Passive Interferer-Cancellation Feedforward Path
Ahmed Gharib Gadelkarim, Patrick Mercier
提出了一种功耗仅3.5mW的毫米波有源带通滤波器，采用全无源干扰消除前馈路径来抑制带外干扰。解决了毫米波频段缺乏SAW滤波器、接收机需高功耗实现线性度和滤波的问题。
▸首次在毫米波有源带通滤波器中引入全无源干扰消除前馈路径，实现低功耗干扰抑制。
▸通过无源前馈结构显著降低功耗，在3.5mW功耗下实现低噪声带通滤波。
University of California, San Diego, CA
ISSCC 2025Session 5RF & WirelessGaN
A GaN SLCG-Doherty-Continuum Power Amplifier Achieving >38% 6dB Back-Off Efficiency over 1.35 to 7.6GHz
Guansheng Lv1, Wenhua Chen1, Xiaofan Chen1, Fei Huang2, Zhenghe Feng1
本文提出了一种基于GaN的SLCG-Doherty-Continuum功率放大器，能够在1.35至7.6GHz的超宽带范围内实现超过38%的6dB回退效率，解决了多频段、高PAPR信号下基站和卫星通信对高效率功率放大的需求。
▸提出SLCG-Doherty-Continuum架构，结合了Doherty和连续模式技术，实现了超宽带和高回退效率。
▸采用GaN工艺，在1.35-7.6GHz频段内实现>38%的6dB回退效率，覆盖多个非连续频段。
Tsinghua University, Beijing, China >38% 6dB回退效率 @ 1.35-7.6GHz
ISSCC 2025Session 36RF & Wireless5nm CMOS
A 212Gb/s PAM-4 Retimer with Integrated High-Swing Optical Driver and Chip-to-Module Long Reach Capability of 40dB in 5nm FinFET
V Gurumoorthy1, A Tan1, A Iyer1, A Fan2, A Farhoodfar1, B Alnabulsi3, B Helal1,
本文提出了一款212Gb/s PAM-4重定时器，集成了高摆幅光驱动器，支持芯片到模块的40dB长距离传输，采用5nm工艺，旨在满足AI/ML应用对更高I/O吞吐量的需求。
▸集成了高摆幅光驱动器的212Gb/s PAM-4重定时器，实现了芯片到模块的40dB长距离传输能力。
▸采用5nm先进工艺，在超高数据率下实现了低功耗和高集成度。
212Gb/s PAM-4, 40dB reach
ISSCC 2025Session 36RF & Wireless
A 100Gbaud 4Vppd Distributed Linear Driver with Cross-Folded Transmission Lines and Cross-Coupled Gm Cells for Built-in 5-Tap FFE in 0.13μm SiGe BiCMOS
Fuzhan Chen1,2, C. Patrick Yue2, Quan Pan1
本文提出了一种用于线性可插拔光学模块（LPO）的100Gbaud 4Vppd分布式线性驱动器，采用交叉折叠传输线和交叉耦合Gm单元，实现了低功耗、低成本、低延迟的短距离光通信解决方案。该驱动器具备内置均衡能力，可驱动光调制器进行低失真电光转换。
▸提出交叉折叠传输线结构，在分布式放大器中实现紧凑布局和宽带匹配。
▸采用交叉耦合Gm单元，增强线性度和驱动能力，同时降低功耗。
Southern University of Science and Technology, Shenzhen, Chi 100Gbaud, 4Vppd
ISSCC 2025Session 36RF & Wireless28nm CMOS
A 1.54pJ/b 64Gb/s 16-QAM Intradyne Coherent Optical Receiver in 28nm CMOS
Ahmed E. Abdelrahman, Mohamed Badr Younis, Mohamed Osama Selim,
该论文提出了一种基于28nm CMOS工艺的64Gb/s 16-QAM内差相干光接收机，通过创新的DSP技术解决了短距离光链路中非相干格式扩展困难的问题，实现了高数据吞吐量和低功耗。
▸采用内差相干检测架构结合16-QAM调制，显著提升数据吞吐量。
▸开发了先进的数字信号处理技术，用于精确的偏振、相位和符号定时恢复。
64Gb/s数据率，1.54pJ/b能效
ISSCC 2025Session 36RF & Wireless28nm CMOS
A 112Gb/s 0.61pJ/b PAM-4 Linear TIA Supporting Extended PD-TIA Reach in 28nm CMOS
Yangyi Zhang*, Zhenyu Yao*, Wentao Zhou*, Xiongshi Luo, Zhenghao Li,
本文提出一款在28nm CMOS工艺上实现的112Gb/s PAM-4线性跨阻放大器(TIA)，支持扩展光电探测器(PD)与TIA之间的距离，解决了共封装光模块中PD与TIA因热膨胀约束导致的距离受限问题，实现了0.61pJ/b的低功耗高性能传输。
▸首次在28nm CMOS中实现支持扩展PD-TIA距离的112Gb/s PAM-4线性TIA，通过优化电路拓扑和布局应对长互连损耗。
▸采用线性TIA架构以支持PAM-4调制，在保持高线性度的同时实现0.61pJ/b的超低功耗。
Dongshen Zhan, Quan Pan Southern University of Science and T 112Gb/s, 0.61pJ/b
ISSCC 2025Session 36RF & Wireless0.13μm SiGe BiCMOS and 28nm CMOS
A Low-Latency 200Gb/s PAM-4 Heterogeneous Transceiver in 0.13μm SiGe BiCMOS and 28nm CMOS for Retimed Pluggable Optics
Renjie Tang*, Kanan Wang*, Shuyi Xiang, Yu Su, Chenyao Cao, Yukun He, Xiaoyan Gui
针对AI等场景对带宽和低延迟的需求，提出一种200Gb/s PAM-4异构收发器，结合0.13μm SiGe BiCMOS和28nm CMOS工艺，用于重定时可插拔光学系统，解决了线性驱动可插拔光学在高速率下因插入损耗增大而性能退化的问题。
▸采用0.13μm SiGe BiCMOS与28nm CMOS异构工艺集成，兼顾模拟高频性能与数字电路密度。
▸实现200Gb/s PAM-4重定时收发，支持低延迟光学互连，满足AI计算对超低延迟和带宽的需求。
Xi’an JiaoTong University, Xi’an, China *Equally Credited Au
ISSCC 2025Session 36RF & Wireless
A 0.9pJ/b 108Gb/s PAM-4 VCSEL-Based Direct-Drive Optical Engine
Sashank Krishnamurthy*, Susnata Mondal*, Junyi Qiu, Tolga Acikalin,
本文提出了一种基于VCSEL的直接驱动光学引擎，采用PAM-4调制实现108Gb/s的数据速率，能效为0.9pJ/b。通过消除重定时器或DSP，直接连接计算系统与光学引擎，解决了可插拔光模块的功耗和可扩展性挑战。
▸采用无重定时器的直接驱动架构，降低了系统功耗和复杂度。
▸实现了108Gb/s PAM-4高速传输，同时保持0.9pJ/b的超低能耗。
Soumya Bose, Shuhei Yamada, James Jaussi, Mozhgan Mansuri In 108Gb/s PAM-4, 0.9pJ/b
ISSCC 2025Session 36RF & Wireless3nm FinFET
A 0.29pJ/b 5.27Tb/s/mm UCIe Advanced Package Link in 3nm FinFET with 2.5D CoWoS Packaging
Didem Turker Melek1, R. NavinKumar2, James Vandersand3, Pyare Sarkar2,
本文提出了一种基于3nm FinFET工艺和2.5D CoWoS封装的UCIe高级封装链路，实现了0.29pJ/b的能效和5.27Tb/s/mm的带宽密度，解决了异构集成中高带宽、低功耗互连的挑战。
▸采用3nm FinFET工艺和2.5D CoWoS封装技术，实现了超低功耗和高带宽密度的片间互连。
▸通过优化电路设计和封装集成，达到了0.29pJ/b的能效和5.27Tb/s/mm的带宽密度。
0.29pJ/b, 5.27Tb/s/mm
ISSCC 2025Session 36RF & Wireless
A 64Gb/s/wire 10.5Tb/s/mm/layer Single-Ended Simultaneous Bi-Directional Transceiver with Echo and Crosstalk Cancellation for a Die-to-Die Interface in 28nm CMOS
Zhifei Wang1, Zhiwen Huang1, Tianchen Ye1, Bingyi Ye2, Fangzhu Li1, Wei Wang1,3,
该论文提出了一种单端同时双向收发器，利用回波和串扰消除技术实现了64Gb/s/wire的数据率和10.5Tb/s/mm/layer的密度。解决了同时双向信令中回波和串扰导致性能下降的问题，适用于超高频D2D接口。
▸提出了一种单端同时双向（SBD）架构，结合回波和串扰消除电路，实现高数据率和高密度。
▸在收发器中集成了自适应回波和串扰抵消算法，有效抑制干扰，降低误码率。
Dunshan Yu1, Weixin Gai1,3 Peking University, Beijing, China 64Gb/s/wire, 10.5Tb/s/mm/layer
ISSCC 2025Session 36RF & Wireless3nm CMOS
A 32Gb/s 10.5Tb/s/mm 0.6pJ/b UCIe-Compliant Low-Latency Interface in 3nm Featuring Matched-Delay for Dynamic Clock Gating calibration, and the clock is subsequently gated to save power during idle. The QEC, controlled digitally by an FSM, features chopping cancellation to eliminate DC offset and device mismatches. The DCC and QEC achieve less than 0.3% duty cycle error and 330fs quadrature phase error.
Mu-Shan Lin1, Chien-Chun Tsai1, Shenggao Li2, Wei-Chih Chen1,
该论文提出了一种符合UCIe标准的低延迟接口，采用3nm工艺，通过匹配延迟架构实现动态时钟门控，避免了传统时钟前导码带来的额外延迟，在32Gb/s速率下达到10.5Tb/s/mm的带宽密度和0.6pJ/b的能效。
▸提出匹配延迟架构用于动态时钟门控，确保取消门控后的第一个时钟沿能正确捕获数据，无附加延迟。
▸实现了UCIe兼容接口的高带宽密度（10.5Tb/s/mm）和低能耗（0.6pJ/b），采用先进3nm工艺。
32Gb/s per lane, 10.5Tb/s/mm bandwidth density, 0.6pJ/b energy efficiency
ISSCC 2025Session 27RF & Wireless
A BJT-Based Temperature Sensor with an 80fJ∙K2 Resolution FoM
Nandor G. Toth, Kofi A. A. Makinwa
该论文提出了一种基于NPN型BJT的温度传感器，通过噪声优化的电荷平衡方案和电流辅助放大器，实现了80 fJ∙K²的分辨率品质因数（FoM），在能量效率上显著优于传统BJT温度传感器。解决了BJT温度传感器能量效率低于电阻式传感器的问题。
▸采用噪声优化的电荷平衡连续时间ΔΣ调制器（CTΔΣM）来数字化PTAT和CTAT电流的比值。
▸使用电流辅助放大器来降低功耗并提高信噪比。
TU Delft, Delft, The Netherlands 80 fJ∙K² resolution FoM
ISSCC 2025Session 27RF & Wireless
A Sub-1V 14b 5.8nW/Hz BW/Power-Scalable CT Sensor Interface with a Frequency-Controlled Current Source Achieving a 225× Scalable Range
Xinjie Wu1, Yuyan Liu2, Xiaopeng Yu1, Nick Nianxiong Tan2, Zhong Tang2
本文提出了一种亚1V、14位、带宽/功率可扩展的连续时间传感器接口，通过频率控制电流源实现了225倍的带宽/功率缩放比，解决了离散时间ADC中kT/C噪声限制的问题。该接口适用于物联网中的微弱信号数字化应用。
▸提出频率控制电流源技术，实现带宽与功率的线性缩放，缩放比达225倍。
▸采用连续时间架构，避免了离散时间ADC中的kT/C噪声问题。
Zhejiang University, Hangzhou, China 14位分辨率，5.8nW/Hz带宽/功率缩放比，225倍缩放范围
ISSCC 2025Session 27RF & Wireless
A Voltage-Biased CMOS Hall Sensor with 1.0µT (3σ) Offset and a 60nT/√Hz Noise-Floor
Floris J. P. van Mourik1, Sining Pan2, Karen M. Dowling1, Kofi A. A. Makinwa1
本文提出一种电压偏置的CMOS霍尔传感器，通过将传统电流偏置电压输出改为电压偏置电流输出，显著降低了传感器的失调和噪声。实现了1.0µT (3σ)的失调和60nT/√Hz的噪声底，优于传统结构。
▸采用电压偏置代替传统的电流偏置，使霍尔传感器输出电流而非电压，从而降低失调。
▸通过双重结构设计，实现低噪声和高精度的直流磁场测量。
TU Delft, Delft, The Netherlands 1.0µT (3σ) offset, 60nT/√Hz noise floor
ISSCC 2025Session 27RF & Wireless
A 3-Axis MEMS Gyroscope with 2.8ms Wake-Up Time Enabled by a 1.5µW Always-On Drive Loop
Longjie Zhong1, Jinwen Zhang1, Chengyue Li1, Ling Wang1, Mingsheng Zhong1,
该论文提出了一种3轴MEMS陀螺仪，通过1.5µW的常开驱动环路实现了2.8ms的唤醒时间，解决了常开模式下电流消耗与唤醒时间之间的权衡问题。
▸采用突发模式锁相环（BPLL）技术，在保持低功耗的同时显著缩短唤醒时间。
▸实现了1.5µW的常开驱动环路功耗，支持事件驱动操作以延长电池寿命。
Kangkang Cai2, Ji Gao2, Tiegang Hu2, Zhangming Zhu1 Xidian U 2.8ms唤醒时间，1.5µW常开功耗
ISSCC 2024Session 4RF & Wireless
A Highly-Integrated 6-Phase Cell-Reused Digital Transmitter Using 1/3 Duty-Cycle LO Signals for Harmonic Rejection
Jiaxiang Li*1, Zimu Li*1, Yun Yin1, Changgu Yan1, Nan Qi2, Ming Liu1, Hongtao Xu1
该论文提出一种高度集成的6相单元复用数字发射机，通过采用1/3占空比本振信号实现谐波抑制，解决了传统数字发射机在输出功率、效率和线性度方面的瓶颈。该架构能够直接与数字基带接口，适用于宽带OFDM和高阶调制信号。
▸采用6相架构和单元复用技术，显著减少芯片面积和功耗，提升集成度。
▸利用1/3占空比本振信号实现谐波抑制，改善发射机的线性度和频谱纯度。
Fudan University, Shanghai, China Chinese Academy of Science
ISSCC 2024Session 4RF & Wireless
A 43mm2 Fully Integrated Legacy Cellular and 5G FR1 RF Transceiver with 24RX/3TX Supporting Inter-Band 7CA/5CA 4×4 MIMO with 1K-QAM
Jeongyeol Bae, Sangsung Lee, Joonggeun Lee, Ikkyun Jo, Heesoo Kim,
本文设计了一款面积仅43mm²的全集成射频收发器，支持2G/3G/4G以及5G FR1频段，集成24个接收通道和3个发射通道，可实现带间7载波聚合和5载波聚合下的4×4 MIMO。该收发器解决了在有限芯片面积内同时支持多种蜂窝标准和5G高数据率的需求，提升了网络容量。
▸首次在43mm²的小面积内集成了24个接收通道和3个发射通道，支持从传统蜂窝到5G FR1的全频段覆盖。
▸实现了带间7CA/5CA与4×4 MIMO的复杂组合，大幅提升数据速率和频谱效率。
面积43mm²，24RX/3TX通道
JSSC 期刊论文
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JSSC 2025 第1期
A 092 pJ b PAM 4 and 061 pJ b PAM 6 224 Gb s DAC Based Transmitter in 3 nm FinF
该论文介绍了一种基于3nm FinFET工艺的224Gb/s DAC发射器，支持PAM4和PAM6调制。
JSSC 2025 第1期
A 224 Gb s 3 pJ bit 40 dB Insertion Loss Transceiver in 3 nm FinFET CMOS
3nm FinFET CMOS工艺下实现224Gb/s、3pJ/bit、40dB插入损耗的收发器
JSSC 2025 第1期
A 64 Gb s pin Single Ended PAM 4 Transmitter With a Merged Preemphasis Capaciti
一款采用合并预加重电容技术的64Gb/s单端PAM4发射器
JSSC 2025 第1期
Planar 200 GHz Transceiver Modules
本文介绍了一种平面200 GHz收发器模块的设计与实现。
JSSC 2025 第2期
100 112 Gb s 16 Vppd PAM 8 Transmitters With High Swing 3 1 Hybrid FFE Taps in
一款支持100/112 Gb/s PAM8信号传输的高摆幅16Vppd发射机，采用3+1混合FFE抽头技术
JSSC 2025 第2期
A 26 28 39 GHz Reconfigurable Phased Array Receiver Front End With Built In Cal
一款支持26-39GHz可重构相控阵接收前端，内置校准功能。
JSSC 2025 第2期
A V Band 2 Gb s 65 dBm Low Power Transmitter in CMOS With On Chip Antenna and C
本文介绍了一种V波段2Gb/s、65dBm低功耗CMOS发射器，集成片上天线。
JSSC 2025 第2期
An 80 Gb s pin Single Ended Voltage Mode PAM 4 Transmitter With a Pulsewidth Pr
一款80 Gb/s单端电压模式PAM4发射器，采用脉宽预加重技术
JSSC 2025 第2期
DAP A 507 GMACs J 256 Core Domain Adaptive Processor for Wireless Communication
一款用于无线通信的507 GMACs、256核域自适应处理器
JSSC 2025 第3期
A 2340-GHz Phased-Array Receiver Using 14-Bit Phase-Gain Manager and Wideband No
一款23-40GHz相控阵接收器，采用14位相位增益管理器和宽带噪声消除低噪声放大器。
JSSC 2025 第3期
A Jitter-Robust 40 Gbs ADC-Based Multicarrier Receiver Front-End With 4-GSs Base
一种抗抖动40Gbps多载波接收前端，采用4GS/s基带和优化ADC设计。
JSSC 2025 第3期
A Wideband Energy-Efficient Multi-Mode CMOS Digital Transmitter Mohammadreza Beik
本文提出了一种适用于多模式/多频段无线通信应用的宽带高效数字发射机。
JSSC 2025 第3期
Millimeter-Wave Quadrature Mixed-Mode Transmitter With Distributed Parasitic Can
提出一种毫米波正交混合模式发射器，具有分布式寄生消除和LO泄漏自抑制功能。
JSSC 2025 第4期
A 640 Gb s 4 4 MIMO D Band CMOS Transceiver Chipset
介绍了一款支持640 Gb/s的4×4 MIMO D波段CMOS收发芯片组。
JSSC 2025 第4期
An Eight Lane 800 Gb s Transceiver for PAM 4 Optical Direct Detection Applicati
一款用于PAM4光直接检测应用的八通道800Gb/s收发器。
JSSC 2025 第4期
High Sensitivity Low Power IR UWB Radar Transceiver With Self Interference Resi
一种高灵敏度低功耗红外超宽带雷达收发器，具备自干扰抑制能力
JSSC 2025 第5期
252 Gb s pin NRZ PAM 3 Dual Mode Transmitter With Embedded Partial DBI Improvin
一款支持252 Gb/s NRZ和PAM3双模传输的发射机，采用嵌入式部分DBI技术提升性能
JSSC 2025 第5期
A 7 20 GHz Ultra High Linearity Passive Mixer in 45 nm CMOS SOI
45 nm CMOS SOI工艺下实现7-20 GHz超高线性度无源混频器
JSSC 2025 第5期
A Ka Band Doherty Like Non Load Modulated Power Amplifier
本文提出了一种Ka波段类Doherty非负载调制功率放大器。
JSSC 2025 第5期
A Low Power Blocker Tolerant Wideband Receiver With Bias Tunable Mixer and Effe
一种采用偏置可调混频器的高效低功耗宽带接收器，具有优异的阻塞容忍能力。
JSSC 2025 第5期
A Polar Phase Tracking Receiver With Two Point Injection Technique
该论文提出了一种采用两点注入技术的极性相位跟踪接收器。
JSSC 2025 第5期
A Simultaneous Dual Carrier Transformer Coupled Passive Mixer First Receiver Fr
一种采用双载波变压器耦合的无源混频器优先接收器设计
JSSC 2025 第5期
An E Band FMCW Radar Receiver With Arbitrary Path Spillover Cancellation
一种具有任意路径溢出消除功能的E波段FMCW雷达接收器
JSSC 2025 第5期
An RF MEMS Sensor Driver Readout SoC With Resonant Frequency Shift and Closed L
一篇关于采用谐振频率偏移和闭环技术的RF MEMS传感器驱动读出SoC的IEEE JSSC期刊论文。
JSSC 2025 第5期
Design of a Compact Low Power Sub 24 GHz Transceiver for Medical Band Applicati
设计一款用于医疗频段的紧凑型低功耗24GHz以下收发器
JSSC 2025 第6期
A 150 GHz Single to Differential LNA Adopting Wideband Gmax Cores Based on Sing
一篇关于采用宽带Gmax核心的150 GHz单端转差分LNA的IEEE JSSC论文
JSSC 2025 第6期
A 26 Gb s 140 GHz OOK CMOS Transmitter and Receiver Chipset for High Speed Wire
一款用于高速通信的26Gb/s 140GHz OOK CMOS收发器芯片组
JSSC 2025 第6期
A 48 56 GHz 1 dBm HB1dB Sub Sampling Eight Path Filter Receiver With Fully Inte
一款工作在48-56 GHz频段、具有1 dBm HB1dB的八路径滤波接收器
JSSC 2025 第6期
A D Band Concurrent 20 Beam MIMO Transmitter Array With a Four Element Joint St
D波段20波束MIMO发射机阵列，采用四元件联合结构设计
JSSC 2025 第6期
A Programmable Filtering and Frequency Translation by Aliasing IF Receiver With
一种基于混叠中频接收机的可编程滤波与频率转换技术