子分类 · RF & Wireless

LNA

78 篇相关 JSSC 论文

JSSC 2025第6期RF & WirelessLNA
A 150 GHz Single to Differential LNA Adopting Wideband Gmax Cores Based on Sing
一篇关于采用宽带Gmax核心的150 GHz单端转差分LNA的IEEE JSSC论文
150 GHz
JSSC 2025第7期RF & WirelessLNA
A 659 dB PSRR Compact LNA Array for Correlated Noise Compression in High Channe
设计高通道密度下抗噪声干扰的紧凑型LNA阵列
659 dB PSRR
JSSC 2025第9期RF & WirelessLNA
A 121 GHz 19531 dB NF Ultra Wideband LNA With G Assisted Feedback Noise Suppres
一篇关于121 GHz超宽带低噪声放大器的IEEE JSSC期刊论文，采用G辅助反馈噪声抑制技术。
121 GHz, 19531 dB NF
JSSC 2024第3期RF & WirelessLNA
A 5273-GHz LNA With Tri-Coupled Transformer for Gm Boosting and Enhanced Noise C
基于三耦合变压器的宽带低噪声放大器，实现增益提升和噪声抵消。
40nm CMOS, 3.8dB NF, 22.4dB增益, 22.1GHz带宽, 34mW功耗
JSSC 2024第9期RF & WirelessLNA
A 300-µW 24-GHz PVT-Insensitive Subthreshold Reference-Based LNA Martin Lee Mot
一种基于亚阈值参考的300µW 24GHz LNA，通过闭环反馈抑制PVT变化
13.96dB增益，4.51dB噪声系数，300µW功耗
JSSC 2024第10期RF & WirelessLNA
A Compact Millimeter-Wave Reconfigurable Dual-Band LNA With Image-Rejection in 2
一种用于5G毫米波应用的可重构双频带低噪声放大器，具有高图像抑制比和紧凑尺寸。
28nm CMOS, 14mW, 18.1/18.9dB gain, 3.5dB NF, 32.7dBc IRR
JSSC 2024第10期RF & WirelessPower AmplifierLNA
KKa-Band Hybrid-Packaged Four-Element Four-Beam Phased-Array Transmitter and Rec
本文提出了一种K/Ka波段四元素四波束相控阵收发前端，采用混合封装技术，结合65nm CMOS波束成形器和0.1µm GaAs功率放大器/低噪声放大器。
23.5–26.5 dB增益, 21.2–23.2 dBm P1dB, 26%–30% PAE
JSSC 2024第12期RF & WirelessLNANeural Network Accelerator
A 76-mW IR-UWB Receiver Achieving 17-dBm Blocker Resilience With a Linear RF Fro
提出一种低功耗线性射频前端，用于兼容802.15.4a/z的IR-UWB接收器，具有高线性度和抗阻塞能力。
22nm FDSOI CMOS, 5-10GHz, 6dB NF, -17dBm blocker resilience, 7.6mW
JSSC 2023第6期RF & WirelessLNANeural Network Accelerator
Design and Analysis of a 42 mW 4 K 68 GHz CMOS LNA for Superconducting Qubit Rea
提出一种基于逆变器的低温低噪声放大器，用于超导量子比特读出。
28nm CMOS, 4.2mW功耗, 6-8GHz工作频率, 0.4-0.7dB噪声系数
JSSC 2023第9期RF & WirelessLNA
Design Aspects of Single-Ended and Differential SiGe Low-Noise Amplifiers Operat
本文研究了基于130nm SiGe BiCMOS工艺的超高频低噪声放大器设计，探索了在fmax/2以上频率的性能表现。
235GHz单端LNA:7.8dB增益/18mW功耗, 290GHz差分LNA:12.9dB增益/68mA@2V
JSSC 2023第12期RF & WirelessPLLLNA
A 128-Gbs D-Band Receiver With Integrated PLL and ADC Achieving 195-pJb Efficien
一款集成PLL和ADC的D波段接收器，实现128Gb/s数据速率和1.95pJ/b能效。
22nm FinFET CMOS, 128Gb/s, 16-QAM, -15.2dB EVM, 246mW, 1.95pJ/b
JSSC 2022第2期RF & WirelessLNANeural Network Accelerator
A 1736 GHz 20 MHz-Bandwidth Channel-Selection N-Path Passive-LNA Using a Switche
一种基于开关、电容和升压变压器的N路径无源低噪声放大器，具有高线性、可调谐和高Q值特性。
28nm CMOS, 1.7-3.6 GHz, 20 MHz带宽, 9.8 dB电压增益, 3.4-4.8 dB NF, +23.5 dBm OB-IIP3, 33 dB HFRR3, +1.7 dBm B-1dB, 17.8-38.2 mW功耗
JSSC 2022第12期RF & WirelessLNA
A 266-μW Bluetooth Low-Energy BLE Receiver Featuring an N-Path Passive Balun-LNA
一款采用N路径无源巴伦-LNA的超低功耗蓝牙低能耗接收器，功耗仅266μW。
28nm CMOS, 1V/0.6V, 61dB增益, 6.1dB噪声系数, 22.5dBm OOB-IIP3
JSSC 2021第2期RF & WirelessLNA
A Parallel Sliding-IF Receiver Front-End With Sub-2-dB Noise Figure for 56-GHz W
本文提出了一种并行滑动中频接收器前端，支持双频载波聚合，具有低噪声和高增益特性。
5–6 GHz, 1.9-dB NF, 39-dB gain, 35-60 mA, 1.2-V supply
JSSC 2021第6期RF & WirelessLNAOptical I/O
21 A Distributed Low-Noise Amplifier for Broadband Linearization of a Silicon Ph
分布式SiGe低噪声放大器与硅光调制器协同设计，提升宽带射频光纤链路的线性度。
SFDR 120 dB·Hz2/3 @9GHz
JSSC 2021第7期RF & WirelessLNANeural Network Accelerator
A Cryogenic Broadband Sub-1-dB NF CMOS Low Noise Amplifier for Quantum Applicatio
报道了一种基于40nm CMOS工艺的低温宽带低噪声放大器，用于量子应用。
40nm CMOS, 4.1-7.9 GHz, 0.23-0.65 dB NF, 39-51.1 mW
JSSC 2021第11期RF & WirelessLNA
A 229382-GHz Dual-Path Noise-Canceling LNA With 265462-dB NF in 28-nm CMOS Zhixi
提出一种22.9-38.2GHz双路径噪声消除低噪声放大器，采用28nm CMOS工艺实现低噪声和高性能。
28nm CMOS, 0.9V, 18.9mW, NF 2.65-4.62dB, 峰值增益14.5dB
JSSC 2020第5期RF & WirelessLNANeural Network Accelerator
A 17-dB Minimum NF- 22-32-GHz Low-Noise Feedback Amplifier With Multistage Noise
采用22nm SOI-CMOS工艺实现的多级噪声匹配低噪声反馈放大器，最小噪声系数1.7dB，带宽22-32GHz。
22nm SOI-CMOS, 1.7dB NF, 21.5dB gain, 22-32GHz BW, 17.3mW power
JSSC 2020第10期RF & WirelessLNA
A 20-GHz 19-mW LNA Using gₘ-Boost and Current-Reuse Techniques in 65-nm CMOS for
65nm CMOS工艺下20GHz低功耗LNA，采用gₘ提升和电流复用技术
65nm CMOS, 1V, 14.9dB增益, 3.3dB NF, 1.9mW功耗
JSSC 2020第12期RF & WirelessLNA
Multi-Feed Antenna and Electronics Co-Design An E-Band Antenna-LNA Front End Wit
本文提出了一种E波段低噪声放大器与多馈天线协同设计的方法，通过天线级噪声消除和gm提升技术，实现了高性能无线前端设计。
4.8-dB NF, 2.2-dBm IIP3
JSSC 2017第5期RF & WirelessLNA
A Wideband Noise Canceling CMOS LNA
一款宽带噪声消除CMOS低噪声放大器
无
JSSC 2015第2期RF & WirelessLNANeural Network Accelerator
Field-Programmable LNAs With Interferer-Reflecting Loop for Input Linearity Enhan
介绍了一种具有干扰反射环路的可编程低噪声放大器，可动态调整增益、噪声、线性度和功耗。
NF 2.4-3.6 dB, IIP3 14.5-15 dBm, 功耗13-20.2 mW
JSSC 2015第3期RF & WirelessLNANeural Network Accelerator
Comments and Corrections Corrections to A Highly Linear 1 GHz 13 dB NF CMOS Low-
论文更正了低噪声放大器结构的相关参考文献。
1 GHz, 13 dB NF
JSSC 2015第5期RF & WirelessLNA
A 18 dB NF Blocker-Filtering Noise-Canceling Wideband Receiver With Shared TIA i
一款高性能宽带接收器，采用双路径设计和新型滤波技术，显著提升线性度和噪声性能。
2 GHz频率下1.8 dB NF，50 dB增益，+5 dBm OOB IIP3，36 mW功耗
JSSC 2014第6期RF & WirelessLNANeural Network Accelerator
A Highly Linear 1 GHz 13 dB NF CMOS Low-Noise Ampli fier With Complementary Trans
采用0.18µm SOI CMOS工艺实现的高线性度1 GHz低噪声放大器，具有13 dB的噪声系数。
1 GHz频率下增益10.7 dB，噪声系数1.3 dB，输入参考1 dB压缩点3 dBm，带内IIP3 22 dBm
JSSC 2013第4期RF & WirelessLNA
A Harmonic-Rejecting CMOS LNA for Broadband Radios
提出一种前端低噪声放大器中的谐波抑制技术，用于宽带射频接收机，以减轻谐波混频器的严格匹配要求。
65nm CMOS, 1.2V, 100 MHz to 10 GHz
JSSC 2013第9期RF & WirelessLNA
Broadband Millimeter-Wave LNAs 4777 GHz and 70140 GHz Using a T-Type Matching To
本文介绍了两种宽带毫米波LNA的设计与特性分析，采用T型匹配拓扑实现宽带宽。
最大增益约23 dB，噪声系数低于7.2 dB，功耗52/54 mW
JSSC 2012第2期RF & WirelessLNATransceiver
A Broadband CMOS RF Front-End for Universal Tuners Supporting Multi-Standard Ter
一款用于通用调谐器的宽带CMOS射频前端，具有高线性度和低噪声特性。
42 dB最大电压增益, 4.7 dB最小噪声系数, 144 mW功耗
JSSC 2012第5期RF & WirelessLNA
A Low Power Inductorless LNA With Double Enhancement in 130 nm CMOS François Bel
本文介绍了一种130 nm CMOS工艺下低功耗无电感差分低噪声放大器设计。
20 dB增益, 4 dB噪声系数, 1.32 mW功耗
JSSC 2012第7期RF & WirelessLNA
A 195 GHz Sub-1 dB NF 40 dBm OIP3 WCDMA LNA Module
展示了一款用于WCDMA基站的低噪声放大器，具有0.9 dB噪声系数和40 dBm输出IP3。
0.9 dB NF, 40 dBm OIP3, 200 mA, 5 V
JSSC 2012第7期RF & WirelessLNATransceiver
Wideband 2 to 6 GHz RF Front-End With Blocker Filtering Mikko Kaltiokallio Stude
本文提出了一种用于射频前端的宽带阻塞滤波技术，通过宽带LNA和转移阻抗滤波器实现接收机设计。
增益43/41 dB, 噪声系数3.2/5.7 dB, IIP3 13/5 dBm
JSSC 2012第10期RF & WirelessLNA
An 8-W 250-MHz to 3-GHz Decade-Bandwidth Low-Noise GaN MMIC Feedback Ampli fier W
一款8W输出功率、250MHz至3GHz带宽的GaN MMIC反馈放大器，具有高线性度和低噪声。
0.25µm GaN HEMT, 40V 750mA, OIP3 51.9dBm, NF ~3dB
JSSC 2011第3期RF & WirelessLNANeural Network Accelerator
An X- and Ku-Band Wideband Recursive Receiver MMIC With Gain-Reuse
本文提出了一种采用递归超外差拓扑的8-18 GHz宽带接收器，通过增益复用技术降低功耗。
0.13μm SiGe BiCMOS, 2.2V, 180mW, 53dB最大增益, 6.7-7.8dB噪声系数
JSSC 2011第4期RF & WirelessLNANeural Network Accelerator
An Inductor-Less Noise-Cancelling Broadband Low Noise Ampli fier With Composite T
提出一种无电感宽带低噪声放大器，采用NMOS/PMOS复合晶体管对降低噪声。
21 dB增益, 1.4-1.7 dB噪声, 18 mW功耗
JSSC 2011第5期RF & WirelessLNA
A 65 nm CMOS Quad-Band SAW-Less Receiver SoC for GSMGPRSEDGE Ahmad Mirzaei Membe
设计了一款65nm CMOS四频段SAW-less接收器SoC，用于GSM/GPRS/EDGE，替代前端SAW滤波器。
65nm CMOS, 55mA电池电流, 灵敏度-110dBm, 1dB压缩点>+4dBm
JSSC 2011第7期RF & WirelessLNA
A 2x2 MIMO Tri-Band Dual-Mode Direct-Conversion CMOS Transceiver for Worldwide W
一款适用于WiMAX和WLAN的全集成130nm CMOS 2x2 MIMO三频双模收发器
噪声系数3.6-6.2dB，PLL相位噪声0.5-0.95rms度
JSSC 2011第7期RF & WirelessLNA
A 40 nm CMOS 046 GHz Receiver Resilient to Out-of-Band Blockers Jonathan Borrema
一款40纳米CMOS工艺的高线性软件定义无线电接收器，具有出色的带外干扰抑制能力。
40nm CMOS, 2.5V, 0.046GHz-6GHz, 10dBm OOB IIP, 70dBm calibrated IIP, 3dB NF
JSSC 2011第9期RF & WirelessLNA
A 046-mm 4-dB NF Uni fied Receiver Front-End for Full-Band Mobile TV in 65-nm CMO
65纳米CMOS工艺下实现的全频段移动电视接收前端，具有低噪声和高线性度。
65nm CMOS, 1.2/2.5V, 4dB NF, 17-35dB增益范围, 32/3.4dBm IIP2/IIP3
JSSC 2011第10期RF & WirelessLNAmm-Wave PA
Design and Analysis of a W-Band SiGe Direct-Detection-Based Passive Imaging Rece
介绍了一种基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的W波段直接检测无源成像接收器前端设计。
20-43 MV/W响应度，26 GHz带宽，200 mW功耗，0.4 K NETD
JSSC 2011第11期RF & WirelessLNA
Fully Integrated Switch-LNA Front-End IC Design in CMOS A Systematic Approach fo
展示了一种用于802.11b/g收发器的全集成前端IC，集成了蓝牙功能。
3.3V电源, 0.64mm²面积, 1.5dB噪声系数, 7.0dBm IIP3, 7.0mA电流消耗
JSSC 2010第2期RF & WirelessLNANeural Network Accelerator
A Millimeter-Wave 2332 GHz Wideband BiCMOS Low-Noise Amplifier
一款采用BiCMOS技术的23-32 GHz宽带低噪声放大器，具有低功耗和宽带宽特性。
0.18μm BiCMOS, 1.5V, 13mW, 12dB增益, 9GHz带宽, 4.5–6.3dB噪声系数
JSSC 2010第3期RF & WirelessLNA
A Compact Wideband CMOS Low Noise Amplifier With Gain Flatness Enhancement Y ueh-
本文提出了一种紧凑型0.18微米CMOS宽带增益平坦低噪声放大器。
16.4 dB增益, 2.1 dB噪声系数, 50-900 MHz带宽, 1.8 V电压, 14.4 mW功耗
JSSC 2010第5期RF & WirelessLNA
A 300800 MHz Tunable Filter and Linearized LNA Applied in a Low-Noise Harmonic-R
一款应用于低噪声谐波抑制的300-800 MHz可调谐滤波器与线性化LNA设计
65nm CMOS, 增益22-28dB, 噪声系数0.8-4.3dB, IIP2 >43dBm, IIP3 >9dBm, 谐波抑制>60dB
JSSC 2010第9期RF & WirelessLNAPhased Array
A 60 GHz Phase Shifter Integrated With LNA and PA in 65 nm CMOS for Phased Array
65nm CMOS工艺下集成LNA和PA的60GHz移相器设计，用于相控阵系统。
接收路径：7.2dB噪声系数，360°移相范围，12dB增益；发射路径：>8.3dBm输出功率，360°移相范围，7.7dB增益
JSSC 2010第10期RF & WirelessLNA
A Passive W-Band Imaging Receiver in 65-nm Bulk CMOS Alexander Tomkins Patrice G
一篇关于65纳米CMOS工艺中实现的W波段被动成像接收器的IEEE JSSC论文。
65nm CMOS, 1.2V, 33mA, 200kV/W responsivity, 0.1pW/√Hz NEP
JSSC 2009第2期RF & WirelessLNAESD
A Fully Integrated 73 kV HBM ESD-Protected Transformer-Based 456 GHz CMOS LNA Jo
提出一种基于变压器的ESD保护技术，用于电感式LNA，实现7.3 kV HBM保护且不影响RF性能。
噪声系数2.6 dB，功率增益14.8 dB，功耗6.5 mW
JSSC 2009第2期RF & WirelessLNA
A Low-Power Linearized Ultra-Wideband LNA Design Technique
提出一种用于高频宽带应用的非线性电阻线性化技术，应用于超宽带低噪声放大器设计。
3–11 GHz带宽, 2.9 dB NF, 10 dB增益, 2.4 mW功耗, 1.3 V电源
JSSC 2009第2期RF & WirelessLNA
FEBRUARY 2009 VOLUME 44 NUMBER 2 IJSCBC ISSN 0018-9200 New Associate Editor B
该期刊包含多篇关于超宽带（UWB）电路设计的论文，涵盖LNA、滤波器、RFID收发器等主题。
4.5–6 GHz, 7.3 kV HBM ESD保护, 750 Mb/s, 12 pJ/b
JSSC 2009第3期RF & WirelessLNA
A 12 V 114 mW Dual-Band Direct-Conversion DVB-H Tuner in 013 22m CMOS
采用0.13μm CMOS工艺实现的双波段直接转换DVB-H调谐器，具有低噪声和高线性度。
0.13μm CMOS, 1.2V, 114mW, 3.7-4.3dB NF, 18dB IIP3提升
JSSC 2009第3期RF & WirelessLNA
Multi-Standard Mobile Broadcast Receiver LNA With Integrated Selectivity and Nov
一款支持多标准移动广播的CMOS LNA，采用新型反馈配置和椭圆低通滤波器，实现高增益和低噪声。
电压增益25 dB，噪声系数1.6 dB，IIP3 2 dBm
JSSC 2009第5期RF & WirelessLNA
Design of a High Performance 2-GHz Direct-Conversion Front-End With a Single-End
设计了一个高性能2-GHz直接转换前端，采用单端低噪声放大器和双平衡电流驱动无源混频器。
30 dB转换增益，3.1 dB噪声系数，12 dBm IIP3，39 dBm IIP2，12 mW功耗
JSSC 2009第11期RF & WirelessLNANeural Network Accelerator
A 24-GHz Resistive Feedback LNA in 013-22m CMOS Sanghoon Joo Student Member IEE
提出了一种基于串联电感匹配网络的电阻反馈低噪声放大器，具有低噪声和高增益特性。
0.13μm CMOS, 1.2V, 2.6mW, 2.0dB NF, 24dB S21, -49dBm IIP3
JSSC 2008第3期RF & WirelessLNA
A 12-V Highly Linear Balanced Noise-Cancelling LNA in 013-22m CMOS
提出一种高线性、平衡噪声消除的低噪声放大器，适用于低电压操作。
0.13μm CMOS, 1.2V, 10.5mA, 3.0dB NF, +10.5dBm IIP3
JSSC 2008第3期RF & WirelessLNA
MARCH 2008 VOLUME 43 NUMBER 3 IJSCBC ISSN 0018-9200 New Associate Editor B Nau
该期刊包含多篇关于CMOS电路设计的论文，涵盖低噪声放大器、功率放大器、时钟恢复电路等主题。
0.13μm CMOS, 20GHz, 40Gb/s
JSSC 2008第5期RF & WirelessLNA
A Highly Linear Broadband CMOS LNA Employing Noise and Distortion Cancellation W
一种采用噪声和失真抵消技术的高线性宽带CMOS LNA设计
0.13μm CMOS, 1.5V, 11.6mA, 14.5dB增益, 2.6dB噪声系数
JSSC 2008第5期RF & WirelessVCOLNA
CMOS VCO and LNA Using Tuned-Input Tuned-Output Circuits Sudip Shekhar Student M
提出一种采用双谐振腔的TITO VCO和电流复用LNA，实现低相位噪声和高增益。
2.5GHz中心频率，130.5 dBc/Hz @ 1MHz相位噪声，2.7mW功耗
JSSC 2008第5期RF & WirelessLNA
Design of a 09 V 245 GHz Self-Testable and Reliability-Enhanced CMOS LNA Mikaël
0.13μm CMOS工艺下设计的0.9V 245GHz自测试高可靠性低噪声放大器
0.9V供电，适用于802.11b/g应用
JSSC 2008第6期RF & WirelessLNA
JUNE 2008 VOLUME 43 NUMBER 6 IJSCBC ISSN 0018-9200 Retraction of Papers With Fal
IEEE JSSC 2008年6月刊包含多篇关于射频集成电路设计的论文，涵盖宽带Balun-LNA、Ku波段混频器、相控阵接收机等主题。
如：0.18μm SiGe BiCMOS, 5.4mW/0.07mm², 2.4GHz
JSSC 2008第6期RF & WirelessLNA
Wideband Balun-LNA With Simultaneous Output Balancing Noise-Canceling and Distor
提出一种宽带巴伦低噪声放大器，结合共栅和共源级实现噪声与失真抵消。
65nm CMOS, 1.2V, 15dB增益, NF 3.5dB, IIP2 +20dBm, IIP3 0dBm, 21mW功耗
JSSC 2008第7期RF & WirelessLNA
A 64 GHz LNA With 155 dB Gain and 65 dB NF in 90 nm CMOS Stefano Pellerano Membe
本文介绍了一种用于毫米波应用的90nm CMOS集成LNA，具有高增益和低噪声。
90nm CMOS, 1.65V, 64GHz, 15.5dB增益, 6.5dB NF
显示前60篇，共 78 篇