JSSC 2024第9期MemoryFlash MemoryEmerging Memory
提出智能写入算法提升RRAM宏的性能与可靠性
JSSC 2023第1期Wireline I/OFlash Memory
1Tb 4位/单元162层3D闪存，采用中央阶梯结构和CTW架构，实现15Gb/mm²面密度和60MB/s编程吞吐量。
JSSC 2022第2期MemoryFlash MemoryCIM
在65nm CMOS工艺中实验验证了基于嵌入式NAND闪存的存内计算阵列神经网络硬件。
JSSC 2021第1期MemoryFlash Memory
一款采用96层字线技术的128Gb 1-bit/cell 3D闪存芯片，通过创新架构和编程序列提升读取速度和可靠性。
JSSC 2021第4期RF & WirelessFlash Memory
本文提出了一种1.2V、1.8Gb/s/pin的16Tb NAND闪存多芯片封装方案，采用第三代F-chip提升性能。
JSSC 2020第1期MemoryFlash Memory
一款具有133-Tb容量、4位元存储单元的3D闪存，采用96层字线技术，实现8.5 Gb/mm²的高密度存储。
JSSC 2020第10期OtherFlash Memory
提出一种隐私保护的NAND闪存系统，灵活控制数据生命周期。
JSSC 2019第6期Digital CircuitsFlash Memory
提出一种无需ECC的Value-Aware SSD，通过DNN图像识别的容错性提升可靠性。
JSSC 2018第1期MemoryFlash Memory
一款512Gb容量、3位单元、64层堆叠字线的3D NAND闪存存储器。
JSSC 2017第1期MemoryFlash Memory
256GB 3位单元V-NAND闪存，采用48层堆叠WL技术
JSSC 2016第1期MemoryFlash Memory
该论文介绍了一种128Gb 3b单元V-NAND闪存，支持1Gb/s的IO速率。
JSSC 2016第1期MemoryFlash Memory
15纳米CMOS工艺下的低功耗64Gb MLC NAND闪存
JSSC 2015第1期MemoryFlash Memory
首次实现128Gb 3D垂直NAND闪存，采用环绕栅极结构和屏障工程材料，优化编程分布与功耗。
JSSC 2013第1期MemoryFlash Memory
19nm CMOS工艺下64Gb MLC NAND闪存，采用单边全位线架构，实现高性能编程吞吐量。
JSSC 2013第5期MemoryFlash Memory
一种基于标准逻辑工艺的嵌入式闪存，用于零待机功耗SoC
JSSC 2013第6期RF & WirelessFlash Memory
提出一种用于低成本RFID非易失性存储器的低功耗GIDL-Free电压驱动器设计。
JSSC 2012第1期MemoryFlash Memory
24纳米CMOS工艺下实现64Gb 2位单元NAND闪存，具有高密度和高性能。
JSSC 2012第2期MemoryDRAMFlash Memory
首次展示了一种用于高性能NAND闪存的嵌入式DRAM技术，无需额外制造工艺。
JSSC 2012第4期MemoryFlash Memory
21纳米工艺64Gb MLC NAND闪存，支持400MB/s异步DDR接口。
JSSC 2011第1期MemoryFlash Memory
32nm CMOS工艺下32Gb MLC NAND闪存，采用新型编程和读取方案提升阈值电压耐久性。
JSSC 2010第1期RF & WirelessFlash Memory
提出一种用于NAND闪存堆栈的2Gbps 15pJ/bit电感耦合可编程总线，显著降低SSD功耗和面积。
JSSC 2010第10期MemoryFlash Memory
提出一种采用批量写入算法和非易失性页缓冲器的铁电NAND闪存，以提升企业级SSD的随机写入性能。
JSSC 2009第1期MemoryFlash Memory
首次报道采用56nm CMOS技术的16Gb 3位每单元NAND闪存芯片，写入性能达8MB/s。
JSSC 2009第3期MemoryFlash Memory
提出一种预稳定电流传感技术（PSCS），用于减少嵌入式闪存访问时间和传感裕度的波动。
JSSC 2009第4期MemoryFlash Memory
通过NAND闪存与控制器的协同设计，实现低功耗高速SSD
JSSC 2008第2期Power ManagementCharge PumpFlash Memory
提出一种适用于移动设备NAND闪存的高电压模拟系统，重点优化低电压、低功耗和小面积设计。
JSSC 2007第1期MemoryFlash Memory
56纳米CMOS工艺的8Gb NAND闪存，实现10MB/s编程速度和98.8mm²芯片面积
JSSC 2007第5期OtherFlash Memory
提出了一种用于Bi-NAND闪存的多级读取和验证电路，优化了功耗和验证速度。
JSSC 2007第6期MemoryFlash Memory
首次观察到闪存中随机电报信号引起的阈值电压波动，并发现其在45nm节点后将成为多级闪存设计的重要问题。
JSSC 2006第1期MemoryFlash Memory
采用70nm CMOS技术开发的多级NAND闪存，芯片面积减小4.9%，编程吞吐量达6MB/s。
JSSC 2006第11期MemoryFlash Memory
介绍了一种采用130nm CMOS工艺的1.8V 256Mb四层单元NOR闪存，具备后台操作功能。