JSSC 年份

2012

316 篇期刊论文

JSSC 2012第1期RF & Wireless
A3 - 22W CMOS Glucose Sensor for Wireless Contact-Lens Tear Glucose Monitoring Y
一种用于无线隐形眼镜泪液葡萄糖监测的22W CMOS葡萄糖传感器。
0.36mm² 50CMOS, 1.2V, 3μW, 0.05–1 mM测量范围, 400 Hz/mM灵敏度
JSSC 2012第1期MemorySRAM
A6 4M bS R A Mi n3 2n mH i g h - kM e t a l - G a t e SOI Technology With 07 V O
32nm SOI技术下实现0.154μm²最小SRAM单元，支持0.7V低电压运行
32nm SOI, 0.7V, 64Mb SRAM
JSSC 2012第1期Other
A7 5 W Real-Time Scalable Body Area Network Controller and a 25 W ExG Sensor IC
提出一种轻量化体域网方案，包含网络控制器和传感器芯片，用于睡眠监测系统。
0.18μm CMOS, 1.5V, 20Mbps, 0.33pJ/b
JSSC 2012第1期Other
A 0013 mm505 22W DC-Coupled Neural Signal Acquisition IC With 05 V Supply
一种采用数字密集型架构的神经信号采集系统，通过双混合信号伺服环路实现0.5V供电下的高效面积利用。
65nm CMOS, 0.5V, 5μW, 4.9μVrms输入噪声
JSSC 2012第1期RF & Wireless
A 0.24-nJ/b Wireless Body-Area-Network Transceiver With Scalable Double-FSK Modulation Joonsung Bae, Student Member , IEEE ,K i s e o k S o n g, Student Member , IEEE
采用0.18μm CMOS技术实现高效能无线体域网收发器，支持双FSK调制。
0.18μm CMOS, 1V, 10Mb/s
JSSC 2012第1期Other
A 100-V AC Energy Meter Integrating 20-V Organic CMOS Digital and Analog Circuits With a Floating Gate for Process V ariation Compensation and a 100-V Organic pMOS Rectifier
基于薄膜系统的100V交流电能表，集成20V有机CMOS电路和OLED指示条。
100V AC, 20V DC, 360 Wh
JSSC 2012第1期Wireline I/ODRAM
A 1.2 V 12.8 GB/s 2 Gb Mobile Wide-I/O DRAM With 4 128 I/Os Using TSV Based Stacking Jung-Sik Kim, Chi Sung Oh, Hocheol Lee, Donghyuk Lee, Hyong Ryol Hwang, Sooman Hwang, Byongwook Na, Joungwook Moon, Jin-Guk Kim, Hanna Park, Jang-Woo Ryu, Kiwon Park, Sang Kyu Kang, So-Y oung Kim, Hoyoung Kim, Jong-Min Bang, Hyunyoon Cho, Minsoo Jang, Cheolmin Han, Jung-Bae Lee, Joo Sun Choi, and Y oung-Hyun Jun
一款1.2V 1Gb移动SDRAM，采用50nm技术，具有4通道512DQ引脚，实现12.8GB/s带宽。
1.2V, 12.8GB/s, 330.6mW
JSSC 2012第1期MemoryFlash Memory
A 151-mm/5064-Gb 2 Bit/Cell NAND Flash Memory in 24-nm CMOS Technology Koichi Fukuda, Y oshihisa Watanabe, Eiichi Makino, Koichi Kawakami, Jumpei Sato, Teruo Takagiwa, Naoaki Kanagawa, Hitoshi Shiga, Naoya Tokiwa, Y oshihiko Shindo, Takeshi Ogawa, Toshiaki Edahiro, Makoto Iwai, Osamu Nagao, Junji Musha, Takatoshi Minamoto, Y uka Furuta, Kosuke Y anagidaira, Y uya Suzuki, Dai Nakamura, Y oshikazu Hosomura, Rieko Tanaka, Hiromitsu Komai, Mai Muramoto, Go Shikata, Ayako Y uminaka, Kiyofumi Sakurai, Manabu Sakai, Hong Ding, Mitsuyuki Watanabe, Y osuke Kato, Toru Miwa, Alexander Mak, Masaru Nakamichi, Gertjan Hemink, Dana Lee, Masaaki Higashitani, Brian Murphy, Bo Lei, Y asuhiko Matsunaga
24纳米CMOS工艺下实现64Gb 2位单元NAND闪存，具有高密度和高性能。
151mm²芯片尺寸，79%单元面积效率，14MB/s编程吞吐量，25mA操作电流，266MB/s数据传输速率
JSSC 2012第1期MemoryDRAM
A 1.6 V 1.4 Gbp/s/pin Consumer DRAM With Self-Dynamic V oltage Scaling Technique in 44 nm CMOS Technology
介绍了一种采用自动态电压调节技术的512Mbit DDR2 SDRAM，提升芯片寿命和性能。
44nm标准DRAM工艺技术，1.8V电源，17.7mm²/50die面积
JSSC 2012第1期Other
A 28 nm 0.6 V Low Power DSP for
28纳米0.6V低功耗DSP设计，适用于移动设备宽电压范围操作。
28nm CMOS, 1.0V至0.6V, 4-issue VLIW DSP SoC
JSSC 2012第1期Digital Circuits
A 32 nm, 3.1 Billion Transistor, 12 Wide Issue Itanium® Processor for Mission-Critical Servers Reid Riedlinger, Ron Arnold, Larry Biro
32纳米工艺制造的Itanium处理器，含31亿晶体管，支持多核多线程与高速互联。
32 nm CMOS, 3.1 billion transistors, 50 MB cache, 128 GB/s processor bandwidth, 45 GB/s memory bandwidth
JSSC 2012第1期Data ConvertersDAC
A 3.3 V 6-Bit 100 kS/s Current-Steering Digital-to-Analog Converter Using Organic P-Type Thin-Film Transistors on Glass Tarek Zaki, Student Member , IEEE, Frederik Ante, Ute Zschieschang, Joerg Butschke
一款基于有机薄膜晶体管的6位数模转换器，具有高速和小尺寸特点。
3.3V, 6-bit, 100kS/s, 2V输出摆幅
JSSC 2012第1期Other
A 62 mV 0.13 /22m CMOS Standard-Cell-Based Design Technique Using Schmitt-Trigger Logic Niklas Lotze, Student Member , IEEE
使用施密特触发器结构提升低电压下CMOS电路的导通-截止电流比，实现62mV供电电压的8位乘法器设计。
62mV供电电压, 17.9nW功耗, 5.2kHz工作频率
JSSC 2012第1期RF & WirelessTransceiver
A 70-Mb/s 100.5-dBm Sensitivity 65-nm LP MIMO Chipset for WiMAX
一款65nm低功耗高性能WiMAX芯片组，支持70Mbps下行吞吐和100.5dBm灵敏度。
70Mbps下行吞吐, 100.5dBm灵敏度, 2.5dB RX噪声系数, -37dB TX EVM
JSSC 2012第1期Power Management
A Fully-Integrated 3-Level DC-DC Converter for Nanosecond-Scale DVFS Wonyoung Kim, Student Member , IEEE
一种全集成3级DC-DC转换器，用于纳秒级动态电压频率调整
0.4-1.4V输出, 0.85A负载电流, 77%峰值效率
JSSC 2012第1期MemoryClock Generation
A Fully Integrated Multi-CPU, Processor Graphics, and Memory Controller 32-nm Processor Marcelo Y uffe, Moty Mehalel, Ernest Knoll
第二代Intel Core处理器，32纳米工艺集成四核IA、处理器显卡和内存控制器。
32-nm monolithic die, four IA cores, processor graphics, memory controller
JSSC 2012第1期Other
A Highly Parallel and Scalable CABAC Decoder for
本文提出了一种高度并行且可扩展的CABAC解码器，适用于下一代视频编码标准HEVC。
65nm CMOS, 0.7V-1.0V, 24.11 bins/cycle, 3026 Mbins/s
JSSC 2012第1期Image SensorsCMOS Image Sensor
A Light-Field Image Sensor in 180 nm CMOS Albert
本文介绍了一种180 nm CMOS工艺的光场图像传感器，能够捕获局部入射角和强度信息。
400x384像素阵列，7.5μm角度敏感像素，1米距离下2.5mm测距精度
JSSC 2012第1期Data ConvertersCMOS Image Sensor
A Low-Noise High Intrascene Dynamic Range CMOS Image Sensor With a 13 to 19b V ariable-Resolution Column-Parallel Folding-Integration/Cyclic ADC Min-Woong Seo, Student Member , IEEE, Sung-Ho Suh, Tetsuya Iida, Taishi Takasawa
开发了一种低噪声高动态范围的CMOS图像传感器，采用列并行折叠积分和循环ADC技术。
1M像素，80 dB动态范围，67 μV/e-转换增益，4个数量级的线性数字码范围
JSSC 2012第1期Digital Circuits
A Low-Power Integrated x86–64 and Graphics Processor for Mobile
AMD首款Fusion APU 'Zacate'，集成x86处理器与GPU，适用于移动设备。
40nm CMOS, DDR3-1066, PCIe Gen1/Gen2
JSSC 2012第1期Other
A Low-V oltage 1 Mb FRAM in 013 mC M O S Featuring Time-to-Digital Sensing for E
提出一种低电压1 Mb FRAM设计，采用时间-数字转换传感方案，适用于130nm CMOS工艺。
1 Mb, 1.0V-1.5V, 9.8pJ-19.2pJ/bit
JSSC 2012第1期Other
A Neural Stimulator Frontend With High-V oltage Compliance and Programmable Pulse Shape for
一种具有高压合规性和可编程脉冲的神经刺激器前端，适用于1024电极的视网膜植入。
20 V最大电压合规性，1 mA输出电流，50 dB动态范围
JSSC 2012第1期Other
A Super-Pipelined Energy Efficient Subthreshold 240 MSs FFT Core in 65 nm CMOS
提出超流水线设计和并行流水线架构，在65nm CMOS工艺下实现低电压高效能FFT核心
65nm CMOS, 30MHz, 15.8nJ/FFT, 240MS/s
JSSC 2012第1期Digital CircuitsProcessor/CPU
An 8-Bit, 40-Instructions-Per-Second Organic Microprocessor on Plastic Foil Kris Myny, Student Member , IEEE, Erik van V eenendaal, Gerwin H. Gelinck
首款基于塑料电子技术的8位柔性微处理器，速度40指令/秒，功耗100μW。
8-bit, 40IPS, 100μW, 10V/50V
JSSC 2012第1期Memory
An Energy-Efficient and High-Speed Mobile Memory I/O Interface Using Simultaneous Bi-Directional Dual (Base+RF)-Band Signaling
提出一种高效节能、高速的移动内存I/O接口，采用双向双频信号传输技术。
8.4 Gb/s, 2.5 pJ/b, BER < 10^-12
JSSC 2012第1期Digital CircuitsProcessor/CPU
Circuit and Physical Design Implementation of the Microprocessor Chip for the zE
描述z196处理器芯片的电路和物理设计，采用45nm SOI技术，实现5.2GHz高频运行。
45nm SOI, 5.2GHz, 1.4 billion transistors
JSSC 2012第1期Power Management
Design of the Two-Core x86-64 AMD “Bulldozer” Module in 32 nm SOI CMOS
介绍AMD Bulldozer模块的创新电路设计，提升频率和能效。
32nm SOI CMOS, 213 million transistors, 30.9 mm²
JSSC 2012第1期Other
Digital Object Identifier 101109JSSC20112181069
无摘要信息
无关键性能指标
JSSC 2012第1期Other
Digital Object Identifier 101109JSSC20112181071
无摘要，无法提供概要
无
JSSC 2012第1期Other
Highly Reliable and Low Power SSD Using Asymmetric Coding and Stripe Bitline-Pattern Elimination Programming Shuhei Tanakamaru, Student Member , IEEE , Chinglin Hung , Student Member , IEEE ,a n d
提出一种高可靠低功耗SSD方案，通过非对称编码减少NAND闪存错误，条纹位线模式消除算法降低写入功耗。
NAND闪存错误率降低90%
JSSC 2012第1期Other
I n tr o du c t io n t o th e S pe c i a l I s s ue on t h e 2 01 1 I EEE I n te
IEEE JSSC期刊特刊介绍2011年固态电路会议论文，涵盖高效数字电路设计、视频解码器、低功耗DSP等多个领域
28nm CMOS, 0.6V, 240MS/s, 70-Mb/s, 100.5-dBm
JSSC 2012第1期Other
Introduction to the Special Issue on the 2009 IEEE International Solid-State
2009年ISSCC会议精选论文，聚焦高性能数字电路与处理器技术
2.3B晶体管, 8核64位, 24MB L3缓存, 45nm工艺
JSSC 2012第1期Other
Introduction to the Special Issue on the 2011 IEEE International Solid-State
2011年ISSCC会议精选论文特刊，涵盖低功耗数字电路创新成果。
无
JSSC 2012第1期OtherOptical I/O
Silicon Photonic Switches Hybrid-Integrated With CMOS Drivers Alexander V . Rylyakov, Clint L. Schow , Senior Member , IEEE, Benjamin G. Lee , Member , IEEE, William M. J. Green , Member , IEEE
硅光子开关与CMOS驱动器的混合集成设计与性能分析
2 mW功耗，1.0V电源，3.9 ns转换时间，40 Gb/s WDM数据传输
JSSC 2012第2期Other
A2 1n V / Hz Chopper-Stabilized Multi-Path Current-Feedback Instrumentation Ampli fier With 2 VO f f s e t
设计了一种采用斩波技术和多路径架构的精密仪表放大器，有效降低噪声和偏移。
输入参考噪声21nV/√Hz，残余偏移小于2μV（12个样本），功耗143μA@5V
JSSC 2012第2期Other
A 0.018% THD+N, 88-dB PSRR PWM Class-D Amplifier for Direct Battery Hookup Y oungkil Choi,S t u d e n tM e m b e r ,I E E E, Wonho Tak, Y ounghyun Y oon, Jeongjin R oh, Senior Member , IEEE, Sunwoo Kwon,M e m b e r ,I E E E
一款用于直接电池连接的低失真、高PSRR的PWM类D放大器，适用于移动应用。
0.18-μm CMOS, 3.7-V/4.9-V, 750 mW/1.15 W, 85.5%效率, 0.018% THD+N
JSSC 2012第2期Memory
A 130 nm 1.2 V/3.3 V 16 Kb Spin-Transfer Torque Random Access Memory With Nondestructive Self-Reference
提出一种新型非破坏性自参考感应技术NSRS，用于提升STT-RAM的读取可靠性和产量。
20 mV最小感应裕度，15 ns内完成感应过程
JSSC 2012第2期Other
A 2.5 kV Isolation 35 kV/us CMR 250 Mbps Digital Isolator in Standard CMOS With a Small Transformer
提出一种基于片上变压器的小型数字隔离器，适用于电源控制系统，具有高隔离电压和高速数据传输能力。
2.5 kV隔离电压，35 kV/us CMR，1.6 mA静态电流，250 Mbps数据速率
JSSC 2012第2期MemoryDRAM
A 667 MHz Logic-Compatible Embedded DRAM Featuring an Asymmetric 2T Gain Cell for High Speed On-Die Caches Ki Chul Chun, Pulkit Jain, Tae-Ho Kim, and Chris H. Kim , Senior Member , IEEE
提出了一种667 MHz逻辑兼容嵌入式DRAM，采用非对称2T增益单元和电流模式感放技术，显著提升读写速度和能效。
667 MHz随机周期频率，1.65 ns延迟，1.1 V电压，85°C温度
JSSC 2012第2期RF & WirelessLNATransceiver
A Broadband CMOS RF Front-End for Universal Tuners Supporting Multi-Standard Terrestrial and Cable Broadcasts Donggu Im, Student Member , IEEE
一款用于通用调谐器的宽带CMOS射频前端，具有高线性度和低噪声特性。
42 dB最大电压增益, 4.7 dB最小噪声系数, 144 mW功耗
JSSC 2012第2期OtherNeural Network Accelerator
A Broadband Low-Power Low-Noise Active Balun With Second-Order
本文提出了一种宽带低噪声放大器，利用二阶失真消除技术实现低功耗和低噪声。
230 MHz至470 MHz频段内IIP2为28至34 dBm，噪声系数为2.25 dB至4 dB，功耗7.8 mW
JSSC 2012第2期Data ConvertersDAC
A Compact Dynamic-Performance-Improved Current-Steering DAC With Random Rotation-Based Binary-Weighted Selection Wei-Te Lin, Student Member , IEEE
提出一种基于随机旋转的二进制加权选择（RRBS）方法，改进动态性能的紧凑型电流导向DAC。
10-bit DAC, 500 MS/s, 61 dB SFDR, 0.034 mm² active area
JSSC 2012第2期Clocking & PLLsCrystal Oscillator
A Differential Digitally Controlled Crystal Oscillator With a 14-Bit Tuning Resolution and Sine Wave Outputs for Cellular Applications Y uyu Chang
一种用于蜂窝应用的14位调谐分辨率差分数字控制晶体振荡器。
65nm CMOS, 26MHz, 149.1 dBc/Hz @10kHz, 1.2mA
JSSC 2012第2期RF & WirelessPhased Array
A Low-Power BiCMOS 4-Element Phased Array Receiver for 76–84 GHz Radars
本文介绍了一种低功耗BiCMOS 4元素相控阵接收器，适用于76-84 GHz雷达和通信系统。
32 mW每通道功耗，76-84 GHz增益10-19 dB，80 GHz噪声系数10.5 dB
JSSC 2012第2期OtherOp-Amp
A Novel Wide-Temperature-Range 39 ppm C CMOS Bandgap
提出一种新型宽温度范围CMOS带隙基准电路，温度系数低至39 ppm/°C。
3.9 ppm/°C (165°C范围), 13.7 ppm/°C (200°C范围), 0.039% V线性调整率
JSSC 2012第2期RF & WirelessNeural Network Accelerator
A Power-Efficient Receiver Architecture Employing Bias-Current-Shared RF and Baseband With Merged Supply V oltage Domains and 1/f Noise Reduction
提出一种采用偏置电流共享的高效能接收器架构，实现低噪声和高线性度。
0.18μm CMOS, 1.8V, 44.5dB增益, 4.3dB NF, 20dBV OIP3
JSSC 2012第2期RF & WirelessTransceiver
A Switchless, -Band Bidirectional Transceiver in 0.12- m SiGe BiCMOS Technology
一款采用0.12μm SiGe BiCMOS技术的无开关双向收发器，工作频率40-45 GHz。
发射转换增益35 dB，接收转换增益34 dB，噪声系数4.7 dB，功耗119.4 mW（发射）/54 mW（接收）
JSSC 2012第2期Other
A Translinear, Log-Domain FPAA on Standard CMOS Technology Daniel Fernández, Luís Martínez-Alvarado
提出了一种基于标准CMOS技术的宽动态范围跨导线性元件的FPAA。
20 MHz带宽, 30μW/TE功耗, 精度误差低于3%
JSSC 2012第2期RF & Wireless
An Asynchronous Analog Self-Powered CMOS Sensor-Data-Logger With a 1356 MHz RF P
设计了一种异步自供电模拟传感器数据记录器，集成13.56MHz RF编程接口，无需传统能量采集传感器中的电压调节、ADC等模块。
0.5μm CMOS, <90nA自供电模式, <200μW功耗
JSSC 2012第2期MemoryDRAMFlash Memory
An Embedded DRAM Technology for High-Performance NAND Flash Memories Daisaburo T
首次展示了一种用于高性能NAND闪存的嵌入式DRAM技术，无需额外制造工艺。
32KB DRAM缓冲宏，1.5μm单元，90ns随机周期时间，15ns突发周期时间（66Mb/s/pin）
JSSC 2012第2期Digital Circuits
An Event-Driven Multi-Kernel Convolution Processor Module for Event-Driven Vision Sensors Luis Camuñas-Mesa, Carlos Zamarreño-Ramos
提出一种事件驱动的多核卷积处理器模块，用于动态视觉传感和高速目标识别。
0.35μm CMOS, 2k revolutions per second, 410 ms card browsing
JSSC 2012第2期Other
Digital Object Identifier 101109JSSC20122185877
无摘要提供，无法生成概要
无
JSSC 2012第2期Other
Digital Object Identifier 101109JSSC20122185878
无摘要，无法提供概要
无
JSSC 2012第2期Other
Digital Object Identifier 101109JSSC20122185879
无摘要信息，无法提供概要
无
JSSC 2012第2期Other
FEBRUARY 2012 VOLUME 47 NUMBER 2 IJSCBC ISSN 0018-9200 REGULAR PAPERS A Low-Powe
该期刊论文介绍了多种低功耗、高性能的射频前端和收发器设计。
0.12-μm SiGe BiCMOS, 2.5 kV隔离, 250 Mbps
JSSC 2012第2期Digital Circuits
MRTP: Mobile Ray Tracing Processor With Reconfigurable Stream Multi-Processors for High Datapath Utilization Hong-Y un Kim,S t u d e n tM e m b e r ,I E E E, Y oung-Jun Kim , Student Member , IEEE ,a n d
提出一种可重构流多处理器移动光线追踪处理器，提高数据路径利用率。
0.13μm CMOS, 100MHz, 673K rays/s, 156mW
JSSC 2012第3期OtherNeural Network Accelerator
A 05-V 35- W 85-dB DR Double-Sampled Modulator for
提出一种0.5V供电、35.2μW功耗的音频双采样调制器，采用输入前馈拓扑降低信号摆幅，通过补偿环路保持噪声传递函数稳定性。
0.5V供电, 35.2μW功耗, 81.7dB SNDR, 82.4dB SNR, 85.0dB DR, 20kHz带宽
JSSC 2012第3期Data ConvertersDAC
A 1.25 ps Resolution 8b Cyclic TDC in 0.13 mC M O S Y oung-Hun Seo, Jun-Seok Kim
首次将循环ADC架构应用于时间-数字转换器，实现高分辨率低功耗。
0.13μm CMOS, 125ps分辨率, 100MHz最大频率, 4.3mW功耗
JSSC 2012第3期Clocking & PLLsPLLVCO
A 1.9–3.8 GHz Fractional-N PLL Frequency Synthesizer With Fast Auto-Calibration of Loop Bandwidth and VCO Frequency
一种1.9-3.8GHz分数分频锁相环，采用快速自动校准技术实现恒定环路带宽和快速锁定。
1.9-3.8GHz, 0.13μm CMOS, 环路带宽校准1.1-6.0μs(±3%), VCO校准1.225-4.025μs
JSSC 2012第3期RF & WirelessDAC
A 1 W 104 dB SNR Filter-Less Fully-Digital Open-Loop Class D Audio Ampli fier With EMI Reduction Federico Guanziroli, Rossella Bassoli, Carlo C rippa
设计了一种高性能全数字PWM DAC和开关输出级，用于便携设备驱动扬声器。
1.2V电源电压, 3.6V/5V输出, 0.5W/1W输出功率, 104dB A加权动态范围, 0.2%总谐波失真
JSSC 2012第3期Other
A 250 mV 7.5 μW6 1d BS N D RS C ΔΣ Modulator Using Near-Threshold-V oltage-Biased Inverter Amplifiers in 130 nm CMOS
介绍了一种在250 mV超低电压下运行的开关电容转换器，功耗75 μW，SNDR达61 dB。
250 mV电源电压，1.4 MHz采样频率，61 dB SNDR，75 μW总功耗
JSSC 2012第3期Clocking & PLLs
A 3x9 Gb/s Shared, All-Digital CDR for High-Speed, High-Density I/O Matthew Loh, Student Member , IEEE
本文提出了一种新型全数字CDR方案，采用90纳米CMOS工艺，实现高速高密度IO。
6至9 Gb/s, 2.5 mW/Gb/s (6 Gb/s), 3.8 mW/Gb/s (9 Gb/s)
JSSC 2012第3期RF & WirelessOptical I/O
A 40-Gbs Optical Transceiver Front-End in 45 nm SOI CMOS
45nm SOI CMOS工艺下实现低功耗40Gb/s光收发器前端
45nm SOI CMOS, 1V, 40Gb/s, 9mW, 1875 Ω/pJ
JSSC 2012第3期RF & WirelessCDREqualizer
A Fully-Integrated 40-Gbs Transceiver in 65-nm CMOS Technology Ming-Shuan Chen Y
65nm CMOS工艺下实现的全集成40Gb/s收发器
40Gb/s PRBS数据，20cm Rogers信道（19dB损耗@20GHz），BER<10^-12，总功耗655mW
JSSC 2012第3期Other
A Fully-Integrated High-Power Linear CMOS Power Ampli fier With a Parallel-Series
本文介绍了一种用于高速移动应用的线性CMOS功率放大器，采用并行-串联组合变压器实现高输出功率和效率。
34 dBm饱和输出功率，峰值PAE 34.9%，峰值漏极效率41%
JSSC 2012第3期RF & Wireless
A Fully Integrated, 290 pJ/bit UWB Dual-Mode Transceiver for cm-Range
一款集成290 pJ/bit超宽带双模收发器，适用于厘米级超低功耗通信。
65nm CMOS, 发射功耗25μW/接收功耗245μW, 时钟发生器45μW
JSSC 2012第3期Other
A Low-Power Magnitude Detector for Analysis of Transient-Rich Signals Brandon Rumberg, Student Member , IEEE, and David W. Graham , Member , IEEE
一种用于瞬态丰富信号分析的低功耗幅度检测器
0.18μm CMOS, 1.1 nW–1.08 W, 20 Hz–20 kHz, 70 dB动态范围
JSSC 2012第3期OtherClock Generation
A Pulse Shaping Technique for Spur Suppression in Injection-Locked Synthesizers Mehran M. Izad , Student Member , IEEE
提出一种脉冲整形技术，有效抑制注入锁定合成器的杂散信号。
0.13μm CMOS, 1.2V, 4.488GHz, 122dBc/Hz@1MHz, 4.7ns切换时间
JSSC 2012第3期Other
Design and Analysis of a Hardware-Ef ficient Compressed Sensing Architecture for Data Compression in
本文提出了一种用于无线传感器的高效能压缩感知架构，通过数字实现显著提升能效。
1.9W at 0.6V for sub-20 kS/s sampling rates
JSSC 2012第3期Other
Digital Object Identifier 101109JSSC20122188317
无摘要信息
无关键性能指标
JSSC 2012第3期Other
Digital Object Identifier 101109JSSC20122188728
该论文探讨了数字对象标识符在IEEE JSSC期刊中的应用。
无
JSSC 2012第3期Power Management
Four Channel 40 ps Resolution Fully Integrated Time-to-Amplitude Converter for T
设计并制造了四通道40ps分辨率的时间-幅度转换器，适用于多通道采集系统。
0.35μm Si-Ge, 16MHz, 50mW, 2.58×1.28mm²
JSSC 2012第3期Other
MARCH 2012 VOLUME 47 NUMBER 3 IJSCBC ISSN 0018-9200 REGULAR PAPERS A
该期刊包含多篇关于集成电路设计的论文，涵盖功率放大器、光收发器、时钟数据恢复等主题。
40Gb/s, 65nm CMOS, 3.8 GHz
JSSC 2012第3期Power ManagementBuck Converter
Patent Abstracts The Patent Abstracts and References cited are intended to provide the minimum information necessary for determining interest. The full text and images can be obtained from the U.S. Patent Of fice at http:// www.uspto.gov. 7,982,443 Jul. 19, 2011 DC to DC Voltage Converter With Stacked Synchronous Buck Converters Inventors: David Simon Baba (Tucson, AZ) Assignee: National Semiconductor C orporation (Santa Clara, CA)
一种采用堆叠同步降压转换器的DC-DC电压转换电路
无
JSSC 2012第3期Digital Circuits
Power and Area Minimization of Recon figurable FFT Processors: A 3GPP-LTE Example Chia-Hsiang Y ang, Member , IEEE, Tsung-Han Y u,S t u d e n tM e m b e r ,I E E E,a n d D ejan Marković, Member , IEEE
提出一种基于基数分解的可配置FFT处理器设计方法，实现功耗和面积最小化。
65nm CMOS, 0.45V, 4.05mW@20MHz, 2.5-103.7nJ/FFT(128-2048点)
JSSC 2012第3期Other
Synchronous-Logic and Globally-Asynchronous- Locally-Synchronous GALS Acoustic D
设计了一种基于全同步和GALS架构的低功耗声学数字信号处理器SoC。
130nm CMOS, 186μW @ 1.4V
JSSC 2012第3期Other
The IEEE J OURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS is published by the IEEE Solid-State C
本文介绍了IEEE固态电路期刊的出版信息及相关联系人。
无
JSSC 2012第4期OtherDAC
A7 . 2G S a / s ,1 4B i to r1 2G S a / s ,1 2B i t Signal Generator on a Chip in a 165 GHz BiCMOS Process Frank V an
一款集成DAC的信号发生器芯片，支持7.2 GSa/s 14位或12 GSa/s 12位分辨率，带宽4.4 GHz。
7.2 GSa/s 14位或12 GSa/s 12位分辨率，4.4 GHz带宽，67 dB SFDR，62 dB SNR
JSSC 2012第4期Other
APRIL 2012 VOLUME 47 NUMBER 4 IJSCBC ISSN 0018-9200 SPECIAL ISSUE ON THE 2011 SY
2012年IEEE JSSC期刊特刊，涵盖多项先进SoC设计与技术研究。
52mW Full HD, 2.37Gb/s, 284.8mW, 40nm CMOS
JSSC 2012第4期Data ConvertersSAR ADCDAC
A 0.5 V 1.1 MS/sec 6.3 fJ/Conversion-Step SAR-ADC With Tri-Level Comparator in 40 nm CMOS
本文提出了一种极低电压、高效能的逐次逼近型ADC，采用三电平比较器降低DAC分辨率。
40nm CMOS, 0.5V, 1.1MS/sec
JSSC 2012第4期Wireline I/OClock GenerationEqualizer
A 10 Gb/s 45 mW Adaptive 60 GHz Baseband in 65 nm CMOS Chintan Thakkar, Student Member , IEEE ,L i n g k a i K o n g, Student Member , IEEE , Kwangmo Jung, Student Member , IEEE, Antoine Frappé , Member , IEEE
65纳米CMOS工艺下实现10Gbps低功耗60GHz基带设计
10 Gb/s, 45 mW (adaptation off), 53 mW (adaptation on)
JSSC 2012第4期Data ConvertersPipeline ADC
A 12-Bit 3 GS/s Pipeline ADC With 0.4 mm and 500 mW in 40 nm Digital CMOS Chun-Ying Chen, Jiangfeng Wu, Juo-Jung Hung, Tianwei Li
提出一种12位3GS/s的40纳米CMOS流水线ADC，采用自适应电源/地架构和参考外推方案，实现高性能。
12位分辨率，3GS/s采样率，61dB SNR，0.5LSB DNL，500mW功耗
JSSC 2012第4期MemoryDRAM
A 128-Gbslink Tri-Modal Single-Ended Memory Interface Amir Amirkhany Member IEE
一款支持三模式、12.8Gbps单端信号传输的内存接口控制器
12.8 Gbps, 5.0 mW/Gbps
JSSC 2012第4期MemoryFlash Memory
A 21 nm High Performance 64 Gb MLC NAND Flash Memory With 400 MBs Asynchronous T
21纳米工艺64Gb MLC NAND闪存，支持400MB/s异步DDR接口。
21nm CMOS, 400MB/s, 32KB页大小
JSSC 2012第4期Wireline I/O
A 2.37-Gb/s 284.8 mW Rate-Compatible (491,3,6) LDPC-CC Decoder Chih-Lung Chen, Y u-Hsiang Lin, Hsie-Chia Chang
本文提出了一种高性能LDPC-CC解码器芯片，通过多级优化实现2.37Gb/s吞吐量。
90nm CMOS, 1.2V, 2.37Gb/s, 0.024nJ/bit
JSSC 2012第4期Wireline I/O
A 26 mWGbps 125 Gbps RX With 8-Tap Switched-Capacitor DFE in 32 nm CMOS Thomas T
32nm SOI CMOS工艺下的低功耗接收器电路，采用8抽头开关电容DFE，支持12.5 Gbps数据传输。
32nm CMOS, 1.1V, 12.5 Gb/s, 2.6 mW/Gbps
JSSC 2012第4期Other
A 27% Active-Power-Reduced 40-nm CMOS Multimedia SoC With Adaptive V oltage Scaling Using Distributed Universal Delay Lines Y oshifumi Ikenaga
提出了一种采用通用延迟线（UDL）的自适应电压调节技术，用于降低40纳米CMOS多媒体SoC的功耗。
40-nm CMOS, 27% active power reduction
JSSC 2012第4期Clocking & PLLsCharge PumpPLL
A 2 GHz Fractional-N Digital PLL with 1b Noise Shaping TDC Dong-Woo Jee Y oung-H
本文提出了一种低功耗噪声整形时间数字转换器及其在分数N数字锁相环中的应用。
0.13μm CMOS, 1 MHz环路带宽, 107 dBc/Hz@500 kHz, 118.5 dBc/Hz@3 MHz
JSSC 2012第4期Digital Circuits
A 52 mW Full HD 160-Degree Object Viewpoint Recognition SoC With Visual V ocabulary Processor for Wearable Vision Applications Yu - C h i S u, Student Member , IEEE, Keng-Y en Huang, Student Member , IEEE, Tse-Wei Chen ,M e m b e r ,I E E E
一款面向可穿戴视觉应用的52mW全高清160度物体视角识别SoC，采用视觉词汇处理器降低功耗并提升识别率。
52mW功耗，1920×1080全高清实时处理，50米距离交通灯识别率95%
JSSC 2012第4期RF & WirelessBuck ConverterEnergy Harvesting
A Battery-Free 217 nW Static Control Power Buck Converter for Wireless RF Energy Harvesting With -Calibrated Dynamic On/Off Time and Adaptive Phase Lead Control Tzu-Chi Huang, Student Member , IEEE, Chun-Y u Hsieh, Y ao-Yi Y ang, Student Member , IEEE, Yu - H u e i L e e, Student Member , IEEE,Y u - C h a i K a n g ,K e - H o r n g C h e n, Senior Member , IEEE, Chen-Chih Huang, Ying-Hsi Lin, and Ming-Wei Lee
一款无电池、静态功耗217nW的降压转换器，适用于无线射频能量收集。
95%峰值效率，217nW静态功耗，0.1mV/mA负载调节
JSSC 2012第4期Power ManagementDelta-Sigma ADCBuck Converter
A Spurious-Free Switching Buck Converter Achieving Enhanced Light-Load Ef ficiency by Using a -Modulator Controller With a Scalable Sampling Frequency Mohammad K. Alghamdi , Student Member , IEEE, and Anas A. Hamoui
提出一种无杂散开关降压转换器，通过多种技术提升轻载效率。
0.13μm CMOS, 噪声基底<-60dBm, 纹波<70mV, 效率>70%(峰值95.1%), 负载范围2mA-800mA
JSSC 2012第4期Wireline I/ODRAM
A Tri-Modal 20-GbpsLink DifferentialDDR3 GDDR5 Memory Interface Kambiz Kaviani M
本文介绍了一种三模不对称双向差分内存接口，支持高达20 Gbps的数据传输速率。
40-nm CMOS, 20 Gbps, 6.1 mW/Gbps
JSSC 2012第4期Wireline I/O
An 8x 10-Gb/s Source-Synchronous I/O System Based on High-Density Silicon Carrier Interconnects Timothy O. Dickson , Member , IEEE,Y o n g L i u, Member , IEEE, Sergey V . Rylov , Member , IEEE
基于高密度硅载体的8x10-Gbs源同步IO系统，采用先进硅封装技术实现高密度互连。
8x10-Gb/s, 5.3 pJ/bit, 1 V TX/RX电源
JSSC 2012第4期Power ManagementCMOS Image Sensor
CMOS Image Sensors With Multi-Bucket Pixels for
提出新型多桶像素CMOS图像传感器，支持时间复用曝光，提升动态范围成像和计算摄影性能。
5.0μm像素（双桶传感器）/5.6μm像素（四桶传感器）
JSSC 2012第4期MemorySRAM
Compact Measurement Schemes for Bit-Line Swing, Sense Amplifier Offset V oltage, and Word-Line Pulse Width to Characterize Sensing Tolerance Margin in a 40 nm Fully Functional Embedded SRAM Y en-Huei Chen, Shao-Y u Chou, Quincy Li, Wei-Min Chan, Dar Sun, Hung-Jen Liao, Ping Wang, Meng-Fan Chang, and Hiroyuki Y amauchi
提出了一种紧凑的测量方案，用于直接测量位线电压摆动、感应放大器偏移电压和字线脉冲宽度。
40 nm CMOS, 32 kb SRAM macro, 2% area penalty
JSSC 2012第4期Other
Digital Object Identifier 101109JSSC20122191829
该论文未提供摘要，无法进行概要总结。
无
JSSC 2012第4期Other
Digital Object Identifier 101109JSSC20122191830
该论文探讨了数字对象标识符在IEEE JSSC期刊中的应用。
无
JSSC 2012第4期Other
Digital Object Identifier 101109JSSC20122191833
该论文未提供摘要，无法进行概要总结。
JSSC 2012第4期Other
Digital Object Identifier 101109JSSC20122192015
无摘要
JSSC 2012第4期Power ManagementCharge Pump
Dual-Loop System of Distributed Microregulators With High DC Accuracy, Load Response Time Below 500 ps, and 85-mV Dropout V oltage John F. Bulzacchelli, Member , IEEE
双环路分布式微调节器系统在45nm SOI CMOS工艺中实现高DC精度和快速负载响应。
45nm SOI CMOS, 500ps负载响应时间, 10mV DC负载调节, 28mVpp输出噪声
JSSC 2012第4期Other
HermesE: A 96-Channel Full Data Rate Direct Neural Interface in 0.13 mC M O S Hua Gao, Student Member , IEEE , Ross M. Walker , Student Member , IEEE
一款高效能的96通道神经接口芯片，用于无线记录系统。
0.13μm CMOS, 1.2V, 31.25 kSa/s, 10-bit SAR ADC, 60.3 dB SNDR, 42 fJ/conv-step
JSSC 2012第4期Other
Introduction to the Special Issue on the 2011 Symposium on VLSI Circuits T HIS i
2011年VLSI电路研讨会精选论文介绍，涵盖VLSI设计最新进展。
无
JSSC 2012第4期Other
Isolation Techniques Against Substrate Noise Coupling Utilizing Through Silicon Via (TSV) Process for RF/Mixed-Signal SoCs
通过硅通孔技术提升射频电路与数字电路间的隔离性能
30 dB和40 dB隔离改善（分别在100 MHz和1 GHz）
JSSC 2012第4期Other
Magnetic Relaxation Detector for Microbead Labels Paul Peng Liu , Student Member , IEEE, Karl Skucha, Yida Duan , Student Member , IEEE, Mischa Megens, Jungkyu Kim, Igor I. Izyumin , Student Member , IEEE
一种基于0.18微米CMOS工艺的紧凑型磁弛豫微珠标签检测器，用于生物医学检测。
0.18μm CMOS, 16ms检测时间, 单4.5μm磁珠检测
JSSC 2012第4期Data ConvertersEqualizer
Power Optimized ADC-Based Serial
本文提出了一种基于ADC的低功耗串行链路接收器，采用非均匀参考电平和预均衡技术，在65nm CMOS工艺下实现10Gb/s数据传输。
65nm CMOS, 10Gb/s, 13pJ/bit (29dB信道), 10.6pJ/bit (23dB信道)
JSSC 2012第4期RF & WirelessPLL
RF-to-Baseband Digitization in 40 nm CMOS With RF Bandpass Modulator and Polyphase
40nm CMOS工艺下实现2.22GHz中心频率的RF带通ADC，采样率达8.88GS/s。
48dB动态范围，80MHz带宽，1dBm IIP3
JSSC 2012第5期Other
329 nVrt Hz 606 dB THD Dual-Band Micro-Electrode Array Signal Acquisition IC Jin
设计了一种用于微电极阵列记录的双频带信号采集IC，具有低噪声和高线性度。
329 nV/√Hz, 606 dB THD, 0.35μm CMOS
JSSC 2012第5期Other
A 0.1–0.3 V 40–123 fJ/bit/ch On-Chip Data Link With ISI-Suppressed Bootstrapped Repeaters Yingchieh Ho, Student Member , IEEE
提出一种低功耗片上数据链路设计，采用自举重复器抑制ISI抖动，实现40-130 fJ/bit/ch能效。
55nm CMOS, 0.1-0.3V, 0.8-100Mbps
JSSC 2012第5期Data Converters
A 082 GHz Fully-Integrated QPLL-Timed Direct-RF-Sampling Bandpass ADC in 013 mC
一款0.8-2 GHz可调谐的全集成带通RF ADC，采用QPLL定时直接射频采样技术。
0.13μm CMOS, 3.2GHz固定采样频率, 41mW总功耗, SNDR 50dB@796.5MHz
JSSC 2012第5期Clocking & PLLsSAR ADCTDC
A 10-Bit 80-MSs Decision-Select Successive Approximation TDC in 65-nm CMOS
本文提出了一种采用决策选择结构的10位80-MS/s逐次逼近时间数字转换器（TDC），用于片上时间测量应用。
65nm CMOS, 9.6mW, 80-MS/s, 0.23-pJ/conversion-step FOM, 0.5-LSB单次精度
JSSC 2012第5期RF & Wireless
A 30-MHz–2.4-GHz CMOS Receiver With Integrated RF Filter and Dynamic-Range-Scalable Energy Detector for Cognitive Radio Systems Masaki Kitsunezuka, Hiroshi Kodama, Naoki Oshima, Kazuaki Kunihiro, Tadashi Maeda ,M e m b e r ,I E E E,a n d
一款30MHz-2.4GHz CMOS接收器，集成可调谐RF滤波器和动态范围可调能量检测器，用于认知无线电系统。
90nm CMOS, 1.2V, 25–37 mA, 42-dB谐波抑制, 67-dB增益, 5–8-dB噪声系数, 11-dBm三阶截点, 38-dBm二阶截点
JSSC 2012第5期Clocking & PLLsDAC
A 3.5 GHz Spread-Spectrum Clock Generator With a Memoryless Newton-Raphson Modulation Pro file Sewook Hwang, Student Member , IEEE, Minyoung Song , Student Member , IEEE, Y oung-Ho Kwak, Inhwa Jung, Student Member , IEEE
提出一种基于无记忆牛顿-拉夫森调制曲线的35GHz扩频时钟发生器，采用FLL结构实现多频偏支持与EMI抑制。
0.13μm CMOS, 3.5GHz, 23.72mW, 0.076mm², EMI抑制19.14dB
JSSC 2012第5期Clocking & PLLs
A 56 GHz to 115 GHz DCO for Digital Dual Loop CDRs
实现了一个56 GHz至115 GHz的数字控制振荡器，用于数字双环CDR电路。
0.13 µm CMOS, 1.2 V, 299 fs @ 9.953 Gb/s
JSSC 2012第5期RF & Wireless
A Combined Series-Parallel Hybrid Envelope Amplifier for Envelope Tracking Mobile Terminal RF Power Ampli fier Applications
提出了一种改进的包络跟踪射频功率放大器架构，结合两个开关放大器和线性放大器，实现高效宽带操作。
82%效率，10MHz LTE信号，6dB PAPR，29.7dBm输出功率，63dBc SFDR
JSSC 2012第5期Clocking & PLLs
A Compact and Low Power 5–10 GHz Quadrature Local Oscillator for Cognitive
设计了一种紧凑低功耗的510 GHz正交本地振荡器，用于认知无线电。
65nm CMOS, 1V, 22mA, 5–10 GHz, -dBc/Hz@1MHz offset
JSSC 2012第5期Other
A Fully-Integrated Ef ficient CMOS Inverse Class-D Power Amplifier for Digital
本文展示了一种全集成高效CMOS逆D类功率放大器，适用于数字极坐标发射器。
1V电源，峰值效率44%
JSSC 2012第5期Other
A Low-Power, High-Fidelity Stereo Audio Codec in 0.13 mC M O S Xicheng Jiang, Jungwoo Song, Jianlong Chen, Vina y Chandrasekar, Sherif Galal, Felix Y . L. Cheung, Darwin Cheung, and Todd L. Brooks
介绍了一种1.5V低功耗立体声音频编解码器，采用0.13μm CMOS工艺。
1.5V, 0.13μm CMOS, 92dB和98dB动态范围, 6.5mA静态电流
JSSC 2012第5期RF & WirelessLNA
A Low Power Inductorless LNA With Double Enhancement in 130 nm CMOS François Belmas, Frédéric Hameau, and Jean-Michel Fournier
本文介绍了一种130 nm CMOS工艺下低功耗无电感差分低噪声放大器设计。
20 dB增益, 4 dB噪声系数, 1.32 mW功耗
JSSC 2012第5期RF & Wireless
A Wideband Digital RF Receiver Front-End Employing a New Discrete-Time Filter for m-WiMAX Heesong Seo, Student Member , IEEE, Inyoung Choi , Student Member , IEEE
提出一种采用新型离散时间滤波器的宽带数字射频接收前端，适用于m-WiMAX应用。
1.5V电源电压，总系统电流消耗26.63mA，满足8.75MHz信道带宽的m-WiMAX规格
JSSC 2012第5期Other
Digital Object Identifier 101109JSSC20122195793
无摘要提供，无法生成概要
无摘要提供，无法确定关键性能指标
JSSC 2012第5期Other
Digital Object Identifier 101109JSSC20122195794
无摘要提供，无法生成概要
无
JSSC 2012第5期Other
Digital Object Identifier 101109JSSC20122195795
无摘要提供，无法生成概要
无摘要提供，无法确定关键性能指标
JSSC 2012第5期Other
Digital Object Identifier 101109JSSC20122195796
无摘要，无法提供概要。
无
JSSC 2012第5期RF & Wireless
Digitally-Controlled Polar Transmitter Using a Watt-Class Current-Mode Class-D C
本文展示了一种数字控制的极性发射器，采用瓦级电流模式D类放大器，在0.15微米RF CMOS工艺中实现高效率和高输出功率。
31dBm输出功率，51%漏极效率，0.75GHz频率，26.5%整体效率
JSSC 2012第5期RF & WirelessNeural Network Accelerator
Low Power Wideband Receiver and Transmitter Chipset for mm-Wave Imaging in SiGe
针对W波段实时人体筛查应用，提出了一种低功耗宽带毫米波收发芯片组，工作频率70-82GHz。
接收机转换增益23dB，SSB噪声系数10dB，接收机功耗180mW/通道，发射机功耗145mW/通道
JSSC 2012第5期Other
MA Y 2012 VOLUME 47 NUMBER 5 IJSCBC ISSN 0018-9200 New Associate Editors U Mo
该期刊论文聚焦于2011年射频集成电路（RFIC）研讨会的特别章节，涵盖了从可靠性建模到低功耗电路设计的多个前沿研究。
40nm CMOS, 130nm CMOS, 5.6 GHz to 11.5 GHz DCO
JSSC 2012第5期RF & Wireless
Overview for the Special Section on the 2011 Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposium
2011年RFIC研讨会精选论文，展示射频集成电路设计的最新创新。
无
JSSC 2012第5期Other
Reliability Characterization and Modeling Solution to Predict Aging of 40-nm MOS
研究40纳米MOSFET在RF/AMS应用中的可靠性及老化预测模型
40nm CMOS
JSSC 2012第5期Power ManagementBoost ConverterNeural Network Accelerator
Startup Techniques for 95 mV Step-Up Converter by Capacitor Pass-On Scheme and -
提出一种95 mV启动电压的升压转换器，采用电容传递方案，无需额外片外组件。
95 mV启动电压，34%振荡器电压降低
JSSC 2012第5期RF & WirelessDelta-Sigma ADCPLL
The Design of All-Digital Polar Transmitter Based on ADPLL
提出了一种基于ADPLL和相位同步的全数字极性发射机设计
1-V电源, 58 mW功耗, 6.8 dBm输出功率
JSSC 2012第6期RF & WirelessBuck Converter
A 0.18- m Monolithic Li-Ion Battery Charger for Wireless Devices Based on Partial Current Sensing and Adaptive Reference V oltage
基于部分电感电流感测和自适应参考电压的2.2MHz锂离子电池充电器
180nm CMOS, 2.2MHz, 900mA, 86%效率, 2.1-4.2V输出
JSSC 2012第6期Data ConvertersPipeline ADCDAC
A 10-b 320-MSs Stage-Gain-Error Self-Calibration Pipeline ADC Chien-Jian Tseng S
提出一种采用低增益运放和自校准技术的10位320MS/s流水线ADC
90nm CMOS, 320MS/s, SFDR 66.7dB, SNDR 54.2dB, 42mW, 0.21mm²
JSSC 2012第6期MemoryDLLDRAM
A 1.0-ns/1.0-V Delay-Locked Loop With Racing Mode and Countered CAS Latency Controller for DRAM Interfaces
提出一种具有竞速模式和计数器CAS延迟控制的10ns10V延迟锁定环(DLL)，实现低功耗、低抖动和快速锁定。
1.5ns tCK下512周期内将10%占空比误差校正至2%以内，1.2V下工作频率超过1.0GHz
JSSC 2012第6期OtherDelta-Sigma ADCNeural Network Accelerator
A 100 W 5.1-Channel Digital Class-D Audio Amplifier With Single-Chip Design Jia-Ming Liu, Student Member , IEEE, Shih-Hsiung Chien , Student Member , IEEE,a n d T a i - H a u rK u o, Member , IEEE
一款100W 5.1声道单芯片数字D类音频放大器，采用低压数字电路和高压开关电源级设计。
100W RMS输出功率, 失真<0.7%, 效率88%
JSSC 2012第6期Image Sensors
A 1500 fps Highly Sensitive 256 256 CMOS Imaging Sensor With In-Pixel Calibration Ruoyu Xu, Student Member , IEEE, Bing Liu , Student Member , IEEE, and Jie Y uan, Member , IEEE
一种高灵敏度、低噪声的256x256 CMOS图像传感器，支持1500 fps高速成像，采用像素内校准技术。
1500 fps, 68.5 V/lux·s灵敏度, 0.7 fF积分电容
JSSC 2012第6期Wireline I/O
A 5-Gb/s Automatic Gain Control Ampli fier With Temperature Compensation Chang Liu, Y ue-Peng Y an
提出一种带温度补偿的5Gbps自动增益控制放大器，适用于高速应用。
40 dB增益, 7.5 GHz带宽, 72 mW功耗, 1.2V电源电压, 5Gb/s数据传输速率
JSSC 2012第6期Clocking & PLLs
A Low-Phase-Noise Wide-Tuning-Range Oscillator Based on Resonant Mode Switching Guansheng Li, Li Liu
基于谐振模式切换的低相位噪声宽调谐范围振荡器，适用于先进CMOS工艺。
65nm CMOS, 0.6V, 2.5-5.6GHz, FoM 192.5dB@3.7GHz
JSSC 2012第6期RF & WirelessHigh-Speed Link
A Monolithic 25-Gb/s Transceiver With Photonic Ring Modulators and Ge Detectors in a 130-nm CMOS SOI Process James F. Buckwalter , Member , IEEE
展示了一种全集成硅光子收发器，采用微环谐振调制器实现低功耗，支持25 Gb/s数据传输。
25 Gb/s, BER 10^-12, 256 mW总功耗, 10.2 pJ/bit链路效率
JSSC 2012第6期RF & WirelessVCO
A Push-Push VCO With 13.9-GHz Wide Tuning Range Using Loop-Ground Transmission Line for Full-Band 60-GHz Transceiver
采用0.18μm SiGe BiCMOS技术设计的59GHz推挽式压控振荡器，具有139GHz宽调谐范围和低相位噪声。
输出功率+1.5dBm，调谐范围13.9GHz(26%)，相位噪声-108dBc/Hz@1MHz偏移
JSSC 2012第6期MemorySRAM
A Single-Ended Disturb-Free 9T Subthreshold SRAM With Cross-Point Data-Aware Write Word-Line Structure, Negative Bit-Line, and Adaptive Read Operation Timing Tracing Ming-Hsien Tu, Jihi-Y u Lin, Ming-Chien Tsai, Chien-Y u Lu, Y uh-Jiun Lin, Meng-Hsueh Wang, Huan-Shun Huang, Kuen-Di Lee, Wei-Chiang (Willis) Shih
提出一种新型单端无干扰9T亚阈值SRAM，具有交叉点数据感知写入结构，适用于低功耗应用。
0.35V工作电压，229KHz频率，4.05µW功耗，最低能耗4.5pJ/操作
JSSC 2012第6期Image SensorsCMOS Image Sensor
A Time-Resolved, Low-Noise Single-Photon Image Sensor Fabricated in Deep-Submicron CMOS Technology Marek Gersbach, Y uki Maruyama, Rahmadi Tr imananda, Matt W. Fishburn
一种基于130纳米CMOS工艺的低噪声单光子图像传感器，具有高精度时间分辨率。
119 ps时间分辨率，DNL ±0.4 LSB，INL ±1.2 LSB
JSSC 2012第6期Digital Circuits
An Area- and Energy-Ef ficient Multimode FFT Processor for WPANWLANWMAN Systems S
提出一种用于WPAN、WLAN和WMAN的多模FFT处理器，具有高面积和能效。
TSMC-0.18μm CMOS, 3.2mm²核心尺寸, 40dB SQNR, 2.4 GS/s 512-point FFT, 507mW功耗
JSSC 2012第6期MemoryVCO
Associative Memory for Nearest-Hamming-Distance Search Based on Frequency Mapping Hans Jürgen Mattausch , Senior Member , IEEE, Wataru Imafuku, Akio Kawabata, Tania Ansari, Masahiro Y asuda
基于频率映射的最近汉明距离搜索关联存储器架构，具有低功耗和高鲁棒性。
64个参考模式，每个256位，0.7V至1.8V供电，功耗36.5mW@1.8V，307µW@0.7V
JSSC 2012第6期Analog CircuitsOp-Amp
Comments and Corrections Correction to “A 1-V Process-Insensitive Current-Scalable Two-Stage Opamp With Enhanced DC Gain and Settling Behavior in 65-nm Digital CMOS” Mohammad Taherzadeh-Sani and Anas Hamoui In [1, Sec. III-A], paper [2], which presents a similar compensation technique to that presented in [1, Sec. III-A], should have been cited. Manuscript received March 02, 2012; a ccepted March 26, 2012. Date of cur- rent version May 22, 2012. The authors are with the Department of Electrical and
本文是对先前论文中遗漏引用的修正说明。
JSSC 2012第6期Other
Digital Object Identifier 101109JSSC20122201049
该论文未提供摘要，无法获取具体内容概要。
无
JSSC 2012第6期Other
Digital Object Identifier 101109JSSC20122201051
无摘要信息，无法提供概要
无关键性能指标信息
JSSC 2012第6期Clocking & PLLs
Electronic Temperature Compensation of Lateral Bulk Acoustic Resonator Reference Oscillators Using Enhanced Series Tuning
本文提出了一种用于横向体声波谐振器（LBAR）的电子温度补偿方法，通过串联调谐和寄生电容抵消技术实现频率调谐范围的扩展。
427 MHz和541 MHz谐振器，调谐范围分别提升至810 ppm和1,530 ppm，相位噪声性能影响可忽略
JSSC 2012第6期Clocking & PLLsVCO
JUNE 2012 VOLUME 47 NUMBER 6 IJSCBC ISSN 0018-9200 A Push-Push VCO With 139-GH z
该期刊包含多篇关于低相位噪声振荡器、高速收发器和自动增益控制放大器的论文。
139GHz, 25Gb/s, 5Gb/s, 10-bit 320MS/s
JSSC 2012第6期OtherVCO
Low Phase Noise Wide Tuning Range N-Push Cyclic-Coupled
提出两种N-Push循环耦合环形振荡器，实现低相位噪声和宽调谐范围。
相位噪声在1 MHz偏移时为-103.4 dBc/Hz（3.16 GHz）和-101.6 dBc/Hz（12.8 GHz），毫米波频段为-95 dBc/Hz（13-25 GHz）
JSSC 2012第6期MemorySRAM
Low Store Energy, Low VDDmin, 8T2R Nonvolatile Latch and SRAM With V ertical-Stacked Resistive Memory (Memristor) Devices for Low Power Mobile Applications Pi-Feng Chiu, Meng-Fan Chang, Che-Wei Wu, Ching-Hao Chuang, Shyh-Shyuan Sheu, Y u-Sheng Chen, and Ming-Jinn Tsai
提出一种基于电阻存储器的非易失性SRAM单元，实现快速存储/恢复操作和低能耗。
16 Kb宏单元，最低存储能量，0.45V工作电压
JSSC 2012第6期Other
NAND Controller System With Channel Number Detection and Feedback for Power-Ef ficient High-Speed 3D-SSD
提出一种带通道数检测与反馈的NAND控制器系统，优化SSD写入速度与能耗。
写入速度提升60%，能耗降低32%
JSSC 2012第6期Other
Patent Abstracts The Patent Abstracts cited are intended to provide the minimum in- formation necessary for determining interest. The full text and images can be obtained from the U.S. Patent Of fice at http://www.uspto.gov. 8,072,261 December 6, 2011 Power Ampli fier Inventors: Shingo Y amanouchi (Tokyo, JP) and Kazuaki Kunihiro (Tokyo, JP) Assignee: NEC Corporation (Tokyo, JP) Filed: December 13, 2007.
专利摘要提供基于EER/ET技术的功率放大器和噪声整形电路的设计方法。
无
JSSC 2012第7期Data ConvertersPipeline ADC
A1 2b5 - t o - 5 0M S / s0 . 5 - t o - 1VV o l t a g eS c a l a b l e Zero-Crossing Based Pipelined ADC
介绍了一种基于零交叉的电压可扩展流水线ADC，采用65nm CMOS工艺，具有高能效和电压可扩展性。
65nm CMOS, 0.5V-1.2V, 50MS/s, 67.7dB SNDR, 4.07mW
JSSC 2012第7期RF & WirelessSAR ADC
A 04716 mW 5-bit 051 GSs Time-Interleaved SAR ADC for Low-Power UWB Radios
一款用于超宽带无线电的低功耗5位时间交错SAR ADC，具有高能效和小面积特点。
5-bit, 0.5 GS/s at 0.75 V, 1 GS/s at 1 V, 0.47 mW/1.6 mW, ENOB 4.7/4.8 bits
JSSC 2012第7期Clocking & PLLsNeural Network Accelerator
A 1.2–6 Gb/s, 4.2 pJ/Bit Clock & Data Recovery Circuit With High Jitter Tolerance in 0.14 mC M O S Arnoud P . van
提出一种高并行时钟数据恢复电路，具有高抖动容限和低功耗特性。
126 Gb/s, 42 pJ/bit, 4.3 Unit Interval抖动容限@1MHz
JSSC 2012第7期RF & WirelessLNA
A 195 GHz Sub-1 dB NF 40 dBm OIP3 WCDMA LNA Module
展示了一款用于WCDMA基站的低噪声放大器，具有0.9 dB噪声系数和40 dBm输出IP3。
0.9 dB NF, 40 dBm OIP3, 200 mA, 5 V
JSSC 2012第7期Other
A 3.4 W Digital-In Class-D Audio Ampli fier in 0.14 mC M O S Lûtsen Dooper
本文介绍了一种用于移动应用的0.14微米CMOS技术实现的34W数字输入D类音频放大器。
34W, 0.14μm CMOS
JSSC 2012第7期Power ManagementVCOTDC
A 36 mW 90 nm CMOS Gated-V ernier Time-to-Digital Converter With an Equivalent R
一种采用门控环形振荡器的改进型Vernier时间数字转换器，进一步降低了量化噪声。
90nm CMOS, 1.2V, 25MHz, 3mA, 5.8ps分辨率, 3.2ps等效噪声分辨率
JSSC 2012第7期Data ConvertersSAR ADCDAC
A 53-nW 9.1-ENOB 1-kS/s SAR ADC in 0.13- m CMOS for Medical Implant Devices Dai Zhang, Student Member , IEEE ,A m e y a B h i d e, Student Member , IEEE ,a n d
本文提出了一种用于医疗植入设备的超低功耗SAR ADC，功耗仅为53纳瓦。
0.13-μm CMOS, 1.0V/0.4V, 1kS/s, 9.1 ENOB
JSSC 2012第7期Data ConvertersSAR ADCBuck Converter
A 65-nm, 1-A Buck Converter With Multi-Function SAR-ADC-Based CCM/PSK Digital Control Loop Sébastien Cliquennois, Achille Donida, Piero Malc ovati, Andrea Baschiro tto
本文提出了一种65nm CMOS工艺的1A、6.4MHz开关频率DC-DC转换器，采用多功能SAR ADC和非线性PID控制器，适用于便携设备。
1A, 6.4MHz, 0.038mm², 115.5μA, 470nH
JSSC 2012第7期MemorySRAM
A 65 nm, 850 MHz, 256 kbit, 4.3 pJ/access, Ultra Low Leakage Power Memory Using Dynamic Cell Stability and a Dual Swing Data Link Bram Rooseleer,S t u d e n tM e m b e r ,I E E E
本文设计了一种高速超低功耗SRAM存储器，采用分位线和局部写感放大器等技术，显著降低功耗并提升性能。
65nm CMOS, 850MHz, 4.3pJ/access, 25.2μW standby leakage
JSSC 2012第7期Clocking & PLLsCMOS Image Sensor
A 65 nm CMOS Digital Phase Imager for Time-Resolved Fluorescence Imaging Jian Guo, Student Member , IEEE
本文介绍了一种用于时间分辨荧光成像的CMOS数字相位成像器，采用65纳米工艺实现。
110 ps时间分辨率，414 s范围，132 dB动态范围
JSSC 2012第7期Analog Circuits
A 7-Bit 18th Order 9.6 GS/s FIR Up-Sampling Filter for High Data Rate 60-GHz
设计并测量了一个18阶7位96GS/s FIR上采样滤波器，用于60GHz高速无线数据传输。
65nm CMOS, 1.4V, 96GS/s, 400mW
JSSC 2012第7期RF & Wireless
A Fully Digital Delay Line Based GHz Range Multimode Transmitter Front-End in 65-nm CMOS Pieter A. J. Nuyts , Student Member , IEEE, Peter Singerl, Franz Dielacher ,S e nior Member , IEEE
提出一种基于全数字延迟线的GHz范围多模式发射机前端，支持946 MHz至2.4 GHz连续载波频率。
65nm CMOS, 946 MHz-2.4 GHz, EVM 1.90%-6.08%
JSSC 2012第7期Other
A High-Resolution Accelerometer With Electrostatic Damping and Improved Supply S
本文提出了一种采用电荷平衡技术和静电阻尼的高分辨率加速度计，具有高线性度和低功耗特性。
0.35μm CMOS, 3.6V, 1mA, 1.3%非线性度, 2μg噪声底限, 200Hz带宽
JSSC 2012第7期OtherNeural Network Accelerator
A Low-Power Level Shifter With Logic Error Correction for Extremely Low-V oltage Digital CMOS LSIs Yu j i O s a k i, Student Member , IEEE
提出一种极低电压输入的电平转换器，采用逻辑纠错电路实现低功耗运行。
0.23-V输入转3-V输出，功耗58nW（0.4-V 10kHz输入）
JSSC 2012第7期RF & Wireless
A Monolithically-Integrated Optical Receiver in Standard 45-nm SOI Michael Georgas, Student Member , IEEE , Jason Orcutt, Rajeev J. Ram ,M e m b e r ,IEEE,a n d Vladimir Stojanović, Member , IEEE
45nm SOI工艺单片集成光接收器，实现高灵敏度和能效。
3.5 Gb/s, 180 μW, 108 μm²
JSSC 2012第7期Other
A Scaled Thermal-Diffusivity-Based 16 MHz Frequency Reference in 016 µm CMOS S M
本文提出了一种基于硅热扩散性的16MHz频率参考源，在0.16µm CMOS工艺中实现高精度和低功耗。
16MHz, 0.1%精度, 45ps抖动, 2.1mW功耗, 1.8V电源
JSSC 2012第7期Other
A Transformer-Combined 315 dBm Outphasing Power Amplifier in 45 nm LP CMOS With D
45nm LP CMOS工艺下实现的变压器组合型异相功率放大器，峰值输出功率31.5dBm，效率提升显著。
2.4GHz, 31.5dBm峰值输出功率, 27%峰值PAE, 86dB输出功率范围, 64-QAM WLAN 24.8dBm平均功率
JSSC 2012第7期Data ConvertersDAC
An Embedded Dynamic V oltage Scaling (DVS) System Through 55 nm Single-Inductor Dual-Output (SIDO) Switching Converter for 12-Bit Video Digital-to-Analog Converter Wen-Shen Chou, Tzu-Chi Huang , Student Member , IEEE,Y u - H u e i L e e, Student Member , IEEE, Y ao-Yi Y ang, Student Member , IEEE, Yi-Ping Su
55nm CMOS工艺下集成动态电压调节系统的12位电流导向视频DAC，提升能效。
55nm CMOS, 1V输出摆幅, 1MHz输入, 69.88dB SFDR
JSSC 2012第7期Analog Circuits
An Energy-Efficient 15-Bit Capacitive-Sensor Interface Based on Period Modulation Zhichao Tan, Student Member , IEEE, Saleh Heidary Shalmany, Gerard C. M.
一种基于周期调制的高能效15位电容传感器接口
15-bit分辨率，12-bit线性度，7.6ms测量时间，6.8pF传感器电容，64μA@3.3V
JSSC 2012第7期OtherBandgap Reference
An Ultra Low Power Bandgap Operational at Supply From 0.75 V V
提出一种超低功耗（200nA）反向带隙电压参考，可在0.75V电源下工作。
130nm CMOS, 0.75V, 200nA, 2.5%精度（5σ，20-85°C）
JSSC 2012第7期Data ConvertersOp-Amp
Analog Building Blocks for Organic Smart Sensor Systems in Organic Thin-Film Transistor Technology on Flexible
本文实现了有机智能传感器系统中的关键模拟模块，包括触摸传感器、运算放大器、DC-DC转换器和ADC。
触摸传感器采样率1.5 kS/s，运算放大器增益20 dB，DC-DC转换器输出电压高达60 V，ADC精度26.5 dB，带宽15.6 Hz
JSSC 2012第7期Data ConvertersOp-Amp
Analysis and Design of a High Speed Continuous-time Modulator Using the Assisted Opamp Technique Ankesh Jain, Muthusubramaniam V enkatesan
采用辅助运放技术设计的高速连续时间调制器，实现1 GS/s采样率和15.625 MHz带宽内的10位分辨率。
0.13μm CMOS, 67 dB动态范围, 4 mW功耗
JSSC 2012第7期Other
Degradation-Resilient Design of a Self-Healing xDSL Line Driver in 90 nm CMOS
90 nm CMOS工艺下具有自修复功能的xDSL线路驱动器设计，提升长期可靠性。
功率效率保持（电压过应力和温度变化验证）
JSSC 2012第7期Other
Introduction to the Special Issue on the 37th European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC)
本期特刊收录了ESSCIRC 2011会议中的优秀论文，涵盖模拟电路、数据转换器、RF通信等传统主题。
130nm CMOS, 200nA, 2.5%未调整偏差; 0.14μm CMOS, 3.4W; 160nm CMOS, 16MHz, ±0.1%频率误差
JSSC 2012第7期Other
JUL Y 2012 VOLUME 47 NUMBER 7 IJSCBC ISSN 0018-9200 SPECIAL ISSUE ON THE 37TH EU
IEEE JSSC 2012年7月特刊聚焦低功耗电路设计，涵盖多种模拟与数字转换技术。
0.75V供电, 16MHz频率参考, 55nm工艺
JSSC 2012第7期Power Management
Merged Two-Stage Power Converter With Soft Charging Switched-Capacitor Stage in 180 nm CMOS Robert C. N. Pilawa-Podgurski , Member , IEEE, and David J. Perreault , Senior Member , IEEE
提出一种合并两级的DC-DC转换器，通过软充电开关电容级实现高效低电压转换
5-to-1V转换、0.8W功率、81%峰值效率、10MHz开关频率
JSSC 2012第7期OtherPower Amplifier
Transformer-Based Uneven Doherty Power Ampli fier in 90 nm CMOS for WLAN Applications Ercan Kaymaksut,S t u d e n tM e m b e r ,I E E E
本文提出了一种基于变压器的非对称多赫蒂功率放大器，用于WLAN应用，显著提高了回退效率。
26.3 dBm最大输出功率，33%峰值PAE，25.1% 6dB回退PAE
JSSC 2012第7期RF & WirelessLNATransceiver
Wideband 2 to 6 GHz RF Front-End With Blocker Filtering Mikko Kaltiokallio, Student Member , IEEE
本文提出了一种用于射频前端的宽带阻塞滤波技术，通过宽带LNA和转移阻抗滤波器实现接收机设计。
增益43/41 dB, 噪声系数3.2/5.7 dB, IIP3 13/5 dBm
JSSC 2012第8期RF & WirelessHigh-Speed Link
016-025 pJbit 8 Gbs Near-Threshold Serial Link Receiver With Super-Harmonic Inje
提出一种近阈值电压的串行链路接收器，采用0.6V供电和超级谐波注入锁定技术实现低功耗。
65nm CMOS, 0.6V/1V, 8Gb/s, 0.163pJ/bit（无S/H）和0.25pJ/bit（带S/H）
JSSC 2012第8期Other
AUGUST 2012 VOLUME 47 NUMBER 8 IJSCBC ISSN 0018-9200 SPECIAL ISSUE ON THE IEEE 2
该期刊包含多篇关于CMOS技术的论文，涵盖SOC收发器、宽带前端、功率放大器等主题。
1.9GHz, 16Gb/s, 0.16-0.25 pJ/bit, 8Gb/s
JSSC 2012第8期Clocking & PLLsCharge PumpClock Generation
A 0.5-V , 440-µW Frequency Synthesizer for Implantable
一种用于植入式医疗设备的超低功耗频率合成器设计
0.5V, 440µW, 91.5 dBc/Hz @1MHz
JSSC 2012第8期Data ConvertersDelta-Sigma ADCNeural Network Accelerator
A 1-1-1-1 MASH Delta-Sigma Modulator With Dynamic Comparator-Based OTAs Kentaro Y amamoto and Anthony
提出一种基于动态比较器的OTA，用于1-1-1-1 MASH Delta-Sigma调制器，实现高效能转换。
65nm CMOS, 1.2V, 2.5MHz带宽, 70.4dB SNDR, 3.73mW功耗, 276fJ/conv-step FoM
JSSC 2012第8期RF & Wireless
A 16-Gbs Backplane Transceiver With 12-Tap Current Integrating DFE and Dynamic A
一款用于多标准背板的16Gb/s收发器，采用12抽头DFE和动态适应技术
16 Gb/s, 30 dB损耗通道, 385 mW/link
JSSC 2012第8期Data Converters
A 16 MHz BW 75 dB DR CT ADC Compensated for More Than One Cycle Excess Loop Delay Vikas Singh, Nagendra Krishnapura, Sh anthi Pavan, Baradwaj Vigraham, Deb asish Behera
该论文提出了一种补偿超过一个周期环路延迟的16 MHz带宽75 dB动态范围连续时间ADC设计。
16 MHz带宽，75 dB动态范围，800 MS/s采样率，47.6 mW功耗
JSSC 2012第8期Other
A 1.9 GHz CMOS Power Ampli fier With Embedded Linearizer to Compensate AM-PM Distortion
一款1.9GHz CMOS功率放大器，内置线性化器以补偿AM-PM失真，提升ACLR性能。
28.3dBm@1.95GHz, 2.6dB ACLR提升, 2.5-3.6V供电
JSSC 2012第8期RF & Wireless
A 40-mW 7-bit 2.2-GS/s Time-Interleaved Subranging CMOS ADC for Low-Power Gigabit Wireless Communications I-Ning Ku, Zhiwei Xu, Y en-Cheng Kuan, Yen -Hsiang Wang, and Mau-Chung
一款用于低功耗千兆位无线通信SoC的7位2.2GS/s时间交织子范围CMOS ADC
65nm CMOS, 1V, 2.2GS/s, 40mW, 0.3mm²
JSSC 2012第8期Other
A 60 mW Class-G Stereo Headphone Driver for Portable Battery-Powered Devices Sherif Galal, Hui Zheng, Khaled Abdelfattah, Vina y Chandrasekhar, Iuri Mehr, Alex Jianzhong Chen, John Platenak, Nir Matalon, and Todd L. Brooks
一款用于便携设备的60mW Class-G立体声耳机驱动器，具有高效率和抗干扰能力。
111 dB动态范围，120 dB PSRR，2.3 mm²面积
JSSC 2012第8期RF & WirelessPLLTDC
A Dither-Less All Digital PLL for Cellular Transmitters Luca V ercesi, Luca Fanori, Fernando De Bernardinis, Antonio Liscidini ,M e mber , IEEE,a n d
提出了一种用于蜂窝发射机的全数字频率合成器，通过二维Vernier时间数字转换器和无抖动数字控制振荡器实现低相位噪声。
1.8 GHz输出载波，26 MHz参考时钟，功耗41.6 mW，带内相位噪声-108 dBc/Hz，带外相位噪声-160 dBc/Hz@20 MHz，带内分数杂散低于-50 dBc
JSSC 2012第8期Power ManagementBuck ConverterNeural Network Accelerator
A Switched-Inductor Integrated V oltage Regulator With Nonlinear Feedback and Network-on-Chip Load in 45 nm SOI Noah Sturcken, Student Member , IEEE , Michele Petracca, Steven Warren
一款45nm SOI技术的四相集成降压转换器，采用非线性反馈PWM控制，实现快速响应和高效率。
1A/mm电流输出，83%效率，0.66转换比
JSSC 2012第8期Other
A Transformer-Based Broadband Front-End Combo in Standard CMOS Y
基于三路片上变压器的宽带前端组合设计，实现5-7GHz带宽
5-7GHz带宽，TX模式2.65dB插入损耗/+45.7dBm IIP3，RX模式2.52dB插入损耗/+44.2dBm IIP3
JSSC 2012第8期RF & Wireless
Complete SOC Transceiver in 0.18 mC M O S Using Q-Enhanced Filtering, Sub-Sampling and Injection Locking Ralph Mason, Justin Fortier, and Christopher DeVries
采用Q增强滤波子采样技术的0.18μm CMOS全集成SOC收发器，实现低功耗高性能无线音频传输。
0.18μm CMOS, RX模式5.2mA, TX模式20.3mA
JSSC 2012第8期Other
Digital Object Identifier 101109JSSC20122209054
无摘要信息
无关键性能指标
JSSC 2012第8期Other
Introduction to the Special Issue on the IEEE 2011
IEEE JSSC特刊介绍了2011年CICC会议精选的13篇论文，涵盖RF/无线、高速I/O和模拟/混合信号领域的最新电路设计和性能优化。
28 dBm CMOS 3GPP WCDMA功率放大器，16 Gb/s高速传输
JSSC 2012第8期Power Management
Practical Considerations for a Digital Inductive-Switching DCDC Converter With D
本文介绍了一种适用于深亚微米CMOS工艺的数字感应开关DC/DC转换器设计考虑。
峰值效率95%，输入电压范围高达5.5V，瞬态响应时间35µs/V
JSSC 2012第9期Power ManagementTDC
1-1-1 MASH Time-to-Digital Converters With 6 ps Resolution and Third-Order Noise
本文介绍了两种采用1-1-1 MASH结构的TDC，通过三阶噪声整形实现6 ps分辨率。
ENOB 11-13 bits, 功耗0.7-1.7 mW, 输入范围100 ns
JSSC 2012第9期RF & WirelessOptical I/O
10-Gbps 53-mW Optical Transmitter and Receiver Circuits in 40-nm CMOS Frankie Y
40nm CMOS工艺下10Gbps光收发器电路设计，功耗低至53mW。
10Gbps, 53mW, 40nm CMOS, 2-V swing, 4-kΩ TIA gain
JSSC 2012第9期Data ConvertersPipeline ADC
A 12-b, 30-MS/s, 2.95-mW Pipelined ADC Using Single-Stage Class-AB Ampli fiers and Deterministic Background Calibration Justin Kyung-Ryun Kim
采用单级低增益AB类放大器和数字校准技术的12位30MS/s低功耗流水线ADC
90nm CMOS, 1.2V, 30MS/s, 295mW, 64.5dB SNDR
JSSC 2012第9期OtherNeural Network Accelerator
A 20-b 40-mV Range Read-Out IC With 50-nV Offset and 004 Gain Error for Bridge T
一款20位精度、40mV量程的桥式传感器读出IC，具有50nV偏移和0.04%增益误差。
20位精度, 40mV量程, 50nV偏移, 0.04%增益误差, 140dB CMRR, 0.7ppm/°C增益漂移
JSSC 2012第9期Power Management
A 450-mV Single-Fuel-Cell Power Management Unit With Switch-Mode Quasi- Hysteretic Control and Automatic Startup on 0.35- m Standard CMOS Process Yikai Wang,S t u d e n tM e m b e r ,I E E E
提出一种450mV单燃料电池启动的电源管理单元，采用亚阈值启动方案和准滞回控制升压转换器。
0.55V/0.75V CMOS, 85.2%-89.4%效率, 25mV纹波
JSSC 2012第9期Wireline I/ONeural Network Accelerator
A 5.79-Gb/s Energy-Efficient Multirate LDPC Codec Chip for IEEE 802.15.3c Applications Shao-Wei Yen, Shiang-Y u Hung, Chih-Lung Chen, Hsie-Chia Chang, Shyh-Jye Jou
一款支持IEEE 802.15.3c四种码率的高效能LDPC编解码芯片，采用65nm工艺，最高吞吐量5.79Gb/s。
65nm CMOS, 5.79Gb/s吞吐量, 3.7Gb/s/mm²硬件效率, 62.4pJ/b能效
JSSC 2012第9期RF & Wireless
A 620 GHz Adaptive SiGe Image Reject Mixer for a Self-Healing Receiver
一款具有自适应功能的620 GHz SiGe镜像抑制混频器，用于自愈接收机
转换增益>15 dB, 镜像抑制比>35 dB, 输出1dB压缩点>10 dBm
JSSC 2012第9期RF & Wireless
A 7.4-mW 200-MS/s Wideband Spectrum Sensing Digital Baseband Processor for Cognitive Radios Tsung-Han Y u, Student Member , IEEE, Chia-Hsiang Y ang,M e m b e r ,I EEE, Danijela Čabrić, Member , IEEE,a n d Dejan Marković, Member , IEEE
一款用于认知无线电的74mW、200MS/s宽带频谱感知数字基带处理器
65nm CMOS, 200-MHz sensing bandwidth, 7.4 mW power dissipation
JSSC 2012第9期RF & WirelessNeural Network Accelerator
A 77-GHz SiGe Integrated Six-Port Receiver Front-End for Angle-of-Arrival Detection Benjamin Laemmle, Student Member , IEEE, Gabor Vinci , Student Member , IEEE,L i n u s M a u r e r, Member , IEEE
一款用于77GHz信号到达角检测的集成六端口接收器前端
200-GHz fT SiGe, 5V, 95mW, 75-84GHz 3dB带宽, 152kV/W响应度
JSSC 2012第9期Analog CircuitsOp-Amp
A 88-dB DR 84-dB SNDR V ery Low-Power Single Op-Amp Third-Order Modulator
一种适用于便携式传感器系统的低功耗单运放三阶Σ-Δ调制器
0.18μm CMOS, 1.5V, 3.2MHz时钟, 100kHz带宽, 84dB SNDR, 88dB DR, 140μW功耗
JSSC 2012第9期Other
A Digitally Enhanced Dynamically Recon figurable Analog Platform for Low-Power Signal Processing Craig R. Schlottmann , Student Member , IEEE, Samuel Shapero , Student Member , IEEE
一种数字增强的动态可重构模拟平台，用于低功耗硅基混合信号计算
25-mm 350 nm-CMOS
JSSC 2012第9期Other
A Fully Autonomous Integrated Interface Circuit for
一种全自主自适应脉冲同步电荷提取器电路，专为宽输出电压范围的压电能量收集器优化。
0.35 µm CMOS, 1.3–20 V, 85%效率
JSSC 2012第9期RF & Wireless
A High-Speed Fully-Integrated POF Receiver With Large-Area Photo Detectors in 65 nm CMOS
本文介绍了一种用于塑料光纤应用的高速集成光接收器设计，采用大面积光电探测器实现高效光耦合。
65nm CMOS, 1.2V, 3.125 Gbps
JSSC 2012第9期RF & WirelessVCORadar
A Low-Power Wideband Transmitter Front-End Chip for 80 GHz FMCW Radar Systems With Integrated 23 GHz Downconverter VCO
一款用于80 GHz FMCW雷达系统的低功耗宽带发射器前端芯片
80 GHz, 100 mA @5V, 68-92.5 GHz调谐范围
JSSC 2012第9期Data ConvertersPipeline ADC
A Pipelined ADC With Metastability Error Rate 10 ErrorsSample
一款10位80MS/s流水线ADC，通过时间交织和前瞻操作降低比较器亚稳态误码率。
10-bit, 80MS/s, 58.3dB SNDR, 72mW@2.5V
JSSC 2012第9期RF & Wireless
A Transmitter to Compensate for Crosstalk-Induced Jitter by Subtracting a Rectangular Crosstalk Waveform From Data Signal During the Data Transition Time in Coupled Microstrip Lines Hae-Kang Jung, Il-Min Yi, Soo-Min Lee, Jae-Y
提出一种单端发射器，通过减去模拟串扰波形来补偿微带线串扰引起的抖动。
0.13μm CMOS, 7.2Gbps(4英寸通道), 6Gbps(8英寸通道)
JSSC 2012第9期Other
A Triple-Mode Balanced Linear CMOS Power Amplifier Using a Switched-Quadrature Coupler Hamhee Jeon, Student Member , IEEE,Y u n s e o P a r k, Member , IEEE,Y a n - Y u H u a n g,M e m b e r ,I E E E
采用0.18微米CMOS工艺实现的三模平衡线性功率放大器，通过切换正交耦合器提升效率。
28.4 dBm最大输出功率，40.7%功率附加效率
JSSC 2012第9期mm-Wave
A Wideband, Dual-Path, Millimeter-Wave Power Amplifier With 20 dBm Output Power and PAE Above 15% in 130 nm SiGe-BiCMOS Yi Zhao, Student Member , IEEE, and John R. Long , Member , IEEE
一款130 nm SiGe-BiCMOS工艺的毫米波功率放大器，具有20 dBm输出功率和18%的峰值功率附加效率。
20 dBm输出功率, 18% PAE, 10 GHz带宽
JSSC 2012第9期Other
Cross Feedforward Cascode Compensation for Low-Power Three-Stage Ampli fier With Large Capacitive Load Sau Siong Chong , Student Member , IEEE, and Pak
提出一种用于三级放大器的交叉前馈级联补偿技术，实现低功耗和大电容驱动能力。
65nm CMOS, 1.2V, 2MHz GBW, 500pF负载, 20.4μW功耗
JSSC 2012第9期Other
Design of High Ef ficiency Monolithic Power Amplifier With Envelope-Tracking and T
设计高效单片功率放大器，结合包络跟踪和晶体管尺寸调整技术，用于LTE应用。
最大线性输出功率24dBm和23.4dBm，整体功率附加效率41%和38%
JSSC 2012第9期Other
Digital Object Identi fier 101109JSSC20122214351
无摘要，无法提供概要
无
JSSC 2012第9期Other
Digital Object Identifier 101109JSSC20122214353
无摘要
JSSC 2012第9期Data ConvertersSAR ADC
Digitally Calibrated 768-kS/s 10-b Minimum-Size SAR ADC Array With Dithering Ruoyu Xu, Student Member , IEEE, Bing Liu , Student Member , IEEE, and Jie Y uan, Member , IEEE
提出一种基于数字校准和抖动技术的最小尺寸10位SAR ADC阵列设计。
768 kS/s, 10-bit, 15μm x 710μm
JSSC 2012第9期Digital Circuits
Event-Driven GHz-Range Continuous-Time Digital Signal Processor With Activity-Dependent
提出了一种无时钟、连续时间GHz处理器，采用边缘数字信号编码处理ps级时间间隔的样本。
0.07 mm²面积，0.8–3.2 GHz信号范围，动态范围超过20 dB，功耗1.1至10 mW
JSSC 2012第9期Other
Introduction to the Special Section on the 25th Bipolar/BiCMOS Circuits
IEEE JSSC期刊特刊介绍第25届双极/BiCMOS电路与技术会议（BCTM）的精选论文。
无
JSSC 2012第9期OtherVCO
Multiloop High-Power-Supply-Rejection Quadrature
提出一种多环路高电源抑制比的源极跟随器延迟单元环形振荡器。
0.63-8.1GHz调谐范围, 106-88dBc/Hz@10MHz相位噪声, 7-26mW功耗@1V
JSSC 2012第9期MemorySRAM
Nonvolatile Memory With Extremely Low-Leakage Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistor Hiroki Inoue, Takanori Matsuzaki, Sh uhei Nagatsuka, Y utaka Okazaki, Toshi nari Sasaki, Kousei Noda, Daisuke Matsubayashi, Takahiko Ishizu, Tatsuya On uki, Atsuo Isobe, Y utaka Shionoiri
开发了一种基于IGZO TFT的超低泄漏非易失性存储器NOSRAM。
0.8μm工艺, ON/OFF比10^6, 耐久性10^6次, 1Mb容量, 数据保持60天@85°C
JSSC 2012第9期OtherEnergy HarvestingNeural Network Accelerator
Platform Architecture for Solar Thermal and Vibration Energy Combining With MPPT
提出一种结合太阳能、热能和振动能量的平台架构，采用双路径能量收集，峰值效率提升11%-13%。
输入电压20mV至5V，光伏升压峰值效率83%，热电升压58%，压电升降压79%，MPPT跟踪效率96%
JSSC 2012第9期Other
SEPTEMBER 2012 VOLUME 47 NUM BER 9 IJSCBC ISSN 0018-9200 Ne w A s s o c i a te E
2012年IEEE JSSC期刊特辑聚焦25届双极/BiCMOS电路与技术会议，展示多篇毫米波接收与发射前端芯片设计论文。
77GHz/80GHz工作频率, 20dBm输出功率, 15%以上PAE
JSSC 2012第10期Other
220-GHz Solid-State Power Ampli fier Modules Ve s n a R a d i s i c
220GHz固态功率放大器模块，峰值输出75mW，四路合成功率达185mW。
60mW@205-225GHz, 75mW@210GHz, 185mW@210GHz(四路合成)
JSSC 2012第10期RF & Wireless
A 0025045 W 60-Ef ficiency Inductive-Coupling Power Transceiver With 5-Bit Dual-F
一种用于非接触式存储应用的高效电感耦合功率收发器，采用5位前馈控制应对负载变化。
0.025-0.45W, 40%-70%效率, 平均60%效率
JSSC 2012第10期RF & Wireless
A 0.38 THz Fully Integrated Transceiver Utilizing a Quadrature Push-Push Harmonic Circuitry in SiGe BiCMOS Jung-Dong Park, Student Member , IEEE , Shinwon Kang , Student Member , IEEE ,a n d Ali M. Niknejad , Senior Member , IEEE
本文展示了一种基于0.13微米SiGe BiCMOS工艺的0.38 THz全集成收发器，采用正交推挽谐波电路实现雷达功能。
0.38 THz, 11 dBm EIRP, 35–38 dB NF, 380 mW功耗
JSSC 2012第10期Data ConvertersDAC
A 10-bit Resistor-Floating-Resistor-String DAC RFR-DAC for High Color-Depth LCD
提出一种新型10位电阻浮动电阻串DAC架构，用于高色深LCD驱动，具有高线性度和紧凑尺寸。
DNL/INL = 0.11/0.92 LSB（双电压选择方案）, 1.37/1.45 LSB（单电压选择方案）
JSSC 2012第10期Other
A 1.4-µW 24.9-ppm/°C Current Reference With Process-Insensitive Temperature Compensation in 0.18-µm CMOS
一种无需微调的低压低功耗CMOS电流基准，实现高温度稳定性
0.18µm CMOS, 1V, 14µW, 249ppm/°C
JSSC 2012第10期RF & Wireless
A 15-Gb/s 0.5-mW/Gbps Two-Tap DFE Receiver With Far-End Crosstalk Cancellation Meisam Honarvar Nazari , Student Member , IEEE
一款采用45nm SOI CMOS工艺的低功耗接收器，具有双抽头DFE和远端串扰消除功能，支持15Gb/s数据传输。
15Gb/s数据传输，14dB以上信道损耗补偿，7.5mW功耗（1.2V电源）
JSSC 2012第10期Other
A 2-GHz Highly Linear Ef ficient Dual-Mode BiCMOS Power Ampli fier Using a Reconfigurable Matching Network Hajir Hedayati, Student Member , IEEE
一种采用前馈辅助放大器技术的2GHz高效线性双模BiCMOS功率放大器。
0.25μm SiGe:C BiCMOS, 2.5V, 2GHz, 13dB增益, 23dBm Pout, 38% PAE, -41/-44dBc HD2/HD3
JSSC 2012第10期Other
A 24-GHz 27-dBm Asymmetric Multilevel Outphasing Power Ampli fier in 65-nm CMOS
一篇关于2.4GHz非对称多电平输出相位功率放大器的研究论文，采用65nm CMOS工艺，实现27.7dBm峰值输出功率和45%系统效率。
27.7-dBm峰值输出功率，45%系统效率，2.4 GHz工作频率
JSSC 2012第10期Clocking & PLLsPLLClock Generation
A 2.4 GHz Fractional-N Frequency Synthesizer With High-OSR ΔΣ Modulator and Nested PLL Pyoungwon Park, Student Member , IEEE , Dongmin Park , Student Member , IEEE ,a n d
提出一种嵌套PLL架构的24 GHz分数-N频率合成器，采用高过采样率ΔΣ调制器和抗混叠技术降低量化噪声。
26.3 dB量化噪声抑制，15.2 mW功耗，0.17 mm²面积
JSSC 2012第10期Power ManagementSRAMDRAM
A 2T1C Embedded DRAM Macro With No Boosted Supplies Featuring a 7T SRAM Based Repair and a Cell Storage Monitor Ki Chul Chun, Wei Zhang , Student Member , IEEE, Pulkit Jain, and Chris H. Kim ,S e n i o rM e m b e r ,I E E E
提出一种无需升压电源的逻辑兼容2T1C eDRAM宏单元，采用7T SRAM修复方案
714MHz随机访问频率，161.8µW/Mb静态功耗（1.1V，85°C，500µs刷新周期）
JSSC 2012第10期mm-Wave
A BiCMOS W-Band 2×2 Focal-Plane Array With On-Chip Antenna Zhiming Chen, Chun-Cheng Wang , Student Member , IEEE , Hsin-Cheng Y ao
采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺的W波段2×2焦平面阵列，集成片上天线，用于被动毫米波成像。
285 MV/W平均响应度, 8.1 pW/√Hz噪声等效功率, 0.48 K NETD
JSSC 2012第10期RF & Wireless
A New Approach to Low-Power and Low-Latency Wake-Up Receiver System for Wireless Sensor Nodes Dae-Y oung Y oon, Chang-Jin Jeong, Justin Cartwrig ht, Ho-Y ong Kang, Seok-Kyun Han, Nae-Soo Kim
提出一种新型低功耗低延迟唤醒接收器系统，通过双数据速率传输降低能耗与延迟。
0.18µm CMOS, 1.8V, 8.5µW, -73dBm灵敏度, 902-928MHz频段
JSSC 2012第10期OtherBandgap Reference
A Portable 2-Transistor Picowatt Temperature- Compensated V oltage Reference Operating at 0.5 V
一种便携式2晶体管皮瓦级温度补偿电压基准设计
0.13µm CMOS, 0.5V最低工作电压, 2.22pW功耗, 16.9ppm/°C温度系数
JSSC 2012第10期Clocking & PLLsVCOClock Generation
A Self-Sustained CMOS Microwave Chemical Sensor Using a Frequency Synthesizer Ahmed A. Helmy , Student Member , IEEE , Hyung-Joon Jeon, Y ung-Chung Lo, Andreas J. Larsson , Student Member , IEEE , Raghavendra Kulkarni
一种基于频率合成器的自持CMOS微波化学传感器，用于检测有机化学物质的介电常数。
7–9 GHz频率范围，3.7%准确度，10–20 μL样品体积
JSSC 2012第10期Data ConvertersSAR ADC
A Single-Channel 125-GSs 6-bit 608-mW Asynchronous Successive-Approximation ADC
40纳米CMOS工艺下单通道异步逐次逼近ADC，实现1.25GS/s采样率与低功耗
6-bit 1.25GS/s 6.08mW 178fJ/conv-step
JSSC 2012第10期mm-WaveLNA
An 8-W 250-MHz to 3-GHz Decade-Bandwidth Low-Noise GaN MMIC Feedback Ampli fier W
一款8W输出功率、250MHz至3GHz带宽的GaN MMIC反馈放大器，具有高线性度和低噪声。
0.25µm GaN HEMT, 40V 750mA, OIP3 51.9dBm, NF ~3dB
JSSC 2012第10期Other
Common-Gate Load-Pull With Q-Band Application
提出一种毫米波线性功率放大器设计新方法，通过小晶体管负载牵引数据生成大晶体管的本征特性曲线。
1W功耗，21dB增益，OIP3 35dBm，PAE 19%
JSSC 2012第10期mm-Wave
Compact, High Impedance and Wide Bandwidth Detectors for Characterization of Millimeter
45nm SOI CMOS工艺下实现紧凑、高阻抗、宽带宽的RMS Schottky二极管探测器。
45nm SOI CMOS, 30–50 GHz, >20 GHz带宽, 36μm²面积, 0.1 dB插入损耗
JSSC 2012第10期Clocking & PLLsPLLProcessor/CPU
Design, Modeling, and Test of a Programmable Adaptive Phase-Shifting PLL for Enhancing Clock
提出一种自适应相移PLL，通过编程优化时钟数据补偿，提升最大工作频率。
1.2V, 65nm, 3.4–7.3%最大工作频率提升
JSSC 2012第10期Other
Design and Performance of a 600-W -Band Amplifier Using Spatially Combined GaAs F
设计并实现了一种输出功率超过600W的波段放大器，适用于商业广播卫星上行基站。
600W饱和输出功率，1.4kW组合输出功率
JSSC 2012第10期OtherNeural Network Accelerator
Design of a 4-W Envelope Tracking Power Ampli fier With More Than One Octave Carrier Bandwidth Jonmei J. Y an, Student Member , IEEE , Chin Hsia, Donald F. Kimball ,M e m b e r ,I EEE,a n d
设计一款高效率宽带包络跟踪功率放大器，工作频率覆盖500至1750 MHz。
12 W输出功率，50%以上漏极效率，10 dB增益
JSSC 2012第10期Other
Digital Object Identi fier 101109JSSC20122221891
无摘要
JSSC 2012第10期Other
Introduction to the 33rd Annual IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit S
2011年IEEE化合物半导体集成电路研讨会综述，涵盖高频模拟、无线及数字/OEIC应用的最新进展。
220GHz工作频率
JSSC 2012第10期Other
Liquid–Metal V ertical Interconnects for Flip Chip Assembly of GaAs C-Band Power Ampli fiers Onto Micro-Rectangular Coaxial Transmission Lines Parrish Ralston, Student Member , IEEE
利用液态金属Galinstan实现GaAs MMIC芯片与3D传输线结构的低损耗互连
0.11 dB损耗（至26.5 GHz），4.9–8.5 GHz频段增益降低1.4 dB
JSSC 2012第10期Memory
New Associate Editor I T is with pleasure that I welcome Dr Hideto Hidaka to the
欢迎Hideto Hidaka博士加入IEEE JSSC期刊编委会，他在内存技术和嵌入式系统设计领域具有丰富经验。
无
JSSC 2012第10期Other
OCTOBER 2012 VOLUME 47 NUMBE R 10 IJSCBC ISSN 0018-9200 Ne w A s s o c i a te Ed
IEEE JSSC期刊论文聚焦化合物半导体集成电路设计，涵盖功率放大器、低噪声放大器等关键技术创新。
220-GHz, 4-W, 600-W, 8-W, 250-MHz至3-GHz
JSSC 2012第10期Wireline I/O
Simultaneous 6-Gb/s Data and 10-mW Power Transmission Using Nested Clover Coils for Noncontact Memory Card Andrzej Radecki, Student Member , IEEE,Y u x i a n g Y u a n, Member , IEEE
使用嵌套三叶草线圈实现6Gb/s数据和10mW功率同时传输的非接触式存储卡接口设计
6 Gb/s, 10 mW, 5.2%-10.2%效率
JSSC 2012第11期RF & WirelessEnergy Harvesting
1-W 33163-V Boosting Wireless Power Transfer Circuits With V ector
提出一种用于大容量非接触式存储卡的无线电力传输系统，通过矢量求和技术同时提升电压和传输功率。
3.3V至16.3V电压提升，1W功率传输，50%总效率，功率控制环路响应时间小于35μs
JSSC 2012第11期OtherNeural Network Accelerator
100 dB A-Weighted SNR Microphone Preampli fier With On-Chip
设计了一种无需外部输入解耦电容、增益可编程的麦克风前置放大器，采用片上解耦电容技术。
动态范围（DR）105 dB A-weighted，信噪比（SNDR）101 dB A-weighted，功耗330 μW，1.5V电源
JSSC 2012第11期Wireline I/O
24 Gbps 7 mW All-Digital PVT-V ariation Tolerant True Random Number Generator fo
45nm CMOS工艺下全数字PVT变化容忍的真随机数生成器，实现2.4Gbps吞吐与2.9pJ/bit能效
45nm CMOS, 1.1V/280mV, 2.4Gbps@7mW(1.1V), 14Mbps@5.6µW(280mV)
JSSC 2012第11期Analog Circuits
A 05-V R-MOSFET-C Filter Design Using Subthreshold R-MOSFET Resistors and OTAs W
0.5V低功耗高线性度可调谐R-MOSFET-C滤波器设计
0.18μm CMOS, 0.5V, 91-268kHz可调, 61.0dB动态范围, 0.6mW
JSSC 2012第11期Data ConvertersSAR ADCDAC
A 1-µW 10-bit 200-kSs SAR ADC With a Bypass Window for Biomedical Applications G
一种用于生物医学应用的低功耗SAR ADC，采用旁路窗口技术降低能耗。
0.18-µm CMOS, 0.6V, 200-kS/s
JSSC 2012第11期Data ConvertersSAR ADC
A 10-b Ternary SAR ADC With Quantization Time Information Utilization Jon Guerber, Student Member , IEEE , Hariprasath V enkatram , Student Member , IEEE
提出一种利用量化时间信息的三元逐次逼近ADC，提升精度、速度和能效。
0.13μm CMOS, 0.8-1.2V, 8MHz, 84μW, 9.3 ENOB
JSSC 2012第11期Data Converters
A 190- W zero-IF GFSK Demodulator With a 4-b Phase-Domain ADC Jens Masuch, Student Member , IEEE, and Manuel Delgado-Restituto ,S e n i o rM ember , IEEE
本文提出了一种基于相位域ADC的低功耗零中频GFSK解调器，适用于BLE标准。
190μW功耗, 0.14mm²面积, 74dB动态范围, 1Mbps数据速率
JSSC 2012第11期Data ConvertersSAR ADCDAC
A 50-fJ 10-b 160-MS/s Pipelined-SAR ADC Decoupled Flip-Around MDAC and Self-Embedded Offset Cancellation Ya n Z h u, Member , IEEE,C h i - H a n g C h a n, Student Member , IEEE
一种采用时间交织流水线-SAR ADC和片上偏移消除技术的低功耗设计。
65nm CMOS, 1.1V, 160MS/s, 55.4dB SNDR, 2.72mW
JSSC 2012第11期Other
A 92-mW Real-Time Traf fic Sign Recognition System With Robust Illumination Adaptation and Support V ector Machine Junyoung Park, Student Member , IEEE, Joonsoo Kwon , Student Member , IEEE, Jinwook Oh , Student Member , IEEE
提出一种低功耗实时交通标志识别系统，具有强光照适应能力
90%识别准确率，92 mW功耗，1.2 V电压
JSSC 2012第11期Other
A CMOS-Micro fluidic Chemiluminescence Contact Imaging Microsystem Ritu Raj Singh , Student Member , IEEE, Lian Leng, Axel Guenther, and Roman
一种用于化学发光和电化学发光生物传感的CMOS-微流体混合微系统。
暗电流3.6 nA/cm², 噪声110 Vrms, 动态范围67.8 dB
JSSC 2012第11期Image SensorsCMOS Image Sensor
A CMOS Image Sensor Based on Uni fied Pixel Architecture With Time-Division Multiplexing Scheme for Color and Depth
提出一种基于时分复用像素架构的CMOS图像传感器，可同时捕获2D彩色图像和3D深度信息。
712×496像素阵列，10MHz调制频率，70%解调对比度，深度不确定度<60mm
JSSC 2012第11期RF & Wireless
A High-PSRR Recon figurable Class-AB/D Audio Amplifier Driving a Hands-Free/Receiver 2-in-1 Loudspeaker Kuo-Hsin Chen and Y en-Shun Hsu
设计了一种高PSRR可配置AB/D类音频放大器，适用于便携式设备直接电池供电。
106 dB/100 dB PSRR (217 Hz/1 kHz), 46 mW输出功率(接收模式), 1.23 W最大输出功率(1% THD), 90%以上效率(D类模式)
JSSC 2012第11期Clocking & PLLsPLLVCO
A Leakage-Current-Recycling Phase-Locked Loop in 65 nm CMOS Technology
65纳米CMOS工艺中采用漏电流回收技术的锁相环设计
640MHz下峰峰值抖动52.2ps，均方根抖动9.6ps，功耗1.2mW@1.2V
JSSC 2012第11期RF & WirelessCrystal Oscillator
A Low-Energy Crystal-Less Double-FSK Sensor Node Transceiver for Wireless Body-A
一种低能耗无晶体双FSK传感器节点收发器，采用0.18μm CMOS工艺，1V供电，满足WBAN需求。
0.18μm CMOS, 1V, 10Mb/s, 100kHz精度
JSSC 2012第11期Power Management
A Near-Optimum Dynamic V oltage Scaling (DVS) in 65-nm Energy-Ef ficient Power Management With Frequency-Based Control (FBC) for SoC System Yu - H u e i L e e,S t u d e n tM e m b e r ,I E E E, Chao-Chang Chiu , Student Member , IEEE, Shen-Y u Peng
提出一种65纳米能效电源管理方案，通过频率控制实现近最优动态电压调节。
峰值效率90%，最高功耗降低33%
JSSC 2012第11期RF & WirelessVCO
A SiGe BiCMOS Transmitter/Receiver Chipset With On-Chip SIW Antennas for
本文介绍了一种工作在400 GHz的SiGe BiCMOS技术的太赫兹收发器芯片组，包含发射器和接收器芯片。
0.13-μm SiGe BiCMOS, 1.2-V supply, 50 nA current consumption
JSSC 2012第11期Data ConvertersPipeline ADCOp-Amp
An 11-b 300-MS/s Double-Sampling Pipelined ADC With On-Chip Digital Calibration for Memory Effects Takuji Miki,M e m b e r ,I E E E, Takashi Morie
提出一种带片上数字校准的双采样流水线ADC，消除记忆效应误差，工作速度超过300 MHz。
11位精度，300 MS/s，40 mW功耗，FoM 0.24 pJ/conversion-step
JSSC 2012第11期Data ConvertersSAR ADCDAC
An 8-b 400-MSs 2-b-Per-Cycle SAR ADC With Resistive DAC
一款采用65nm CMOS工艺的8位400MS/s逐次逼近型ADC，具有低功耗和小面积特点。
8-bit 400MS/s, SNDR 44.5dB, SFDR 54.0dB, 73fJ/conversion-step @1.2V
JSSC 2012第11期RF & WirelessPLL
An 80-Gbs HyperTransport Transceiver for 32-nm SOI-CMOS
32nm SOI-CMOS工艺下实现8.0Gb/s高速HyperTransport收发器
32nm SOI-CMOS, 8.0Gb/s, 1.70W, 11.8pJ/bit
JSSC 2012第11期Power ManagementBoost ConverterNeural Network Accelerator
An 80 mV Startup Dual-Mode Boost Converter by Charge-Pumped Pulse Generator and Threshold V oltage Tuned Oscillator With Hot Carrier Injection Po-Hung Chen, Student Member , IEEE,X i n Z h a n g,M e m b e r ,I E E E,K o i c h i I s h i d a, Member , IEEE
一种80mV启动电压的双模式升压转换器，适用于能量收集应用。
80mV startup voltage, 45% reduction in minimum operation voltage (Vmin), 10 minutes trimming time
JSSC 2012第11期RF & WirelessVCO
An Ultra-Low-Cost High-Performance Bluetooth SoC in 0.11- mC M O S Sam Chun-Geik Tan, Fei Song, Renliang Zheng, Ji qing Cui, Guoqin Yao, Litian Tang, Y uejin Y ang, Dandan Guo, Alexander Tanzil, Junmin Cao, Ming Ko ng, KianTiong Wong, Soong Lin Chew, Chee-Lee Heng, Osama Shana’a, Senior Member , IEEE, and Guang-Kaai Dehng
采用0.11μm CMOS工艺实现的高集成度低成本高性能蓝牙3.0+EDR SoC
10 dBm TX输出功率, 95.5 dBm接收灵敏度, 48 mA TX电流, 35 mA RX电流
JSSC 2012第11期Clocking & PLLs
CMOS Circuits to Measure Timing Jitter Using a Self-Referenced Clock and a Cascaded Time Difference Amplifier With Duty-Cycle Compensation
提出一种无需参考时钟的高时间分辨率片上时序抖动测量电路，采用自参考时钟和级联时间差放大器。
时间分辨率31fs（带TDA）/2.8ps（不带TDA）
JSSC 2012第11期Other
INFORMATION FOR AUTHORS Content The IEEE J OURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS is pub
IEEE JSSC期刊专注于固态电路领域的研究，涵盖集成电路设计与分析。
无
JSSC 2012第11期OtherBoost Converter
I n tr o du c t io n t o th e S pe c i a l Se c t i on o n t he 20 1 1 As i a n
介绍2011年亚洲固态电路会议（A-SSCC）的特刊论文，涵盖多种电路设计创新。
无
JSSC 2012第11期Other
Introduction to the Special Section on the 2011 Asian Solid-State Circuits Conference (A-SSCC)
2011年亚洲固态电路会议精选论文集，聚焦可持续未来的集成电路设计。
无
JSSC 2012第11期Other
Quad Full-HD Transform Engine for Dual-Standard Low-Power
提出一种支持H.264/AVC和VC-1双标准的共享变换引擎，通过消除显式转置内存降低功耗。
45nm CMOS, 0.35-0.52V, 214W (Quad Full-HD@30fps), 79W (1080p@30fps), 43W (720p@30fps)
JSSC 2012第11期Other
Rotary Coding for Power Reduction and S/N Improvement in Inductive-Coupling Data Communication Andrzej Radecki, Student Member , IEEE
本文提出了一种采用旋转编码的非接触式电感耦合数据传输链路，显著降低功耗并提升信噪比。
0.18μm CMOS, 功耗降低50%
JSSC 2012第11期Memory
Subthreshold, V aractor-Driven CMOS Floating-Gate Current Memory Array With Less Than 150-ppm/ K
提出一种温度补偿的浮栅电流存储器阵列，用于亚阈值电流存储。
150 ppm/K温度敏感性，可编程至皮安级
JSSC 2012第12期Other
2012 Index IEEE Journal of Solid-State Circuits Vol 47 This index covers all tec
2012年IEEE固态电路期刊索引，涵盖当年所有技术论文及往年修正内容。
无
JSSC 2012第12期RF & WirelessPhased Array
35 GHz 4-Channel UWB Beamforming Transmitter With 1 Scanning
一款3-5 GHz 4通道超宽带波束成形发射器，具有1°扫描分辨率和135°扫描范围。
0.13μm CMOS, 7.2mm², 9.6mW@80Mbps, 10pJ/bit, 7.5%效率
JSSC 2012第12期Other
A 0.28 THz Power-Generation and Beam-Steering Array in CMOS Based on Distributed
基于分布式有源辐射的CMOS太赫兹功率生成与波束控制阵列设计
45nm SOI CMOS, 0.28THz, +9.4dBm EIRP
JSSC 2012第12期Data ConvertersDelta-Sigma ADCPLL
A 14.2 mW 2.55-to-3 GHz Cascaded PLL With Reference Injection and 800 MHz Delta-Sigma Modulator in 0.13 mC M O S
提出一种低噪声级联PLL，采用参考注入方案和800 MHz Delta-Sigma调制器，实现255-to-3 GHz输出。
356 fs RMS抖动，14.2 mW功耗，1.2 V供电
JSSC 2012第12期Data ConvertersVCO
A 16-mW 78-dB SNDR 10-MHz BW CT ADC Using Residue-Cancelling VCO-Based Quantizer Karthikeyan Reddy, Student Member , IEEE ,S a c h i n R a o, Student Member , IEEE , Rajesh Inti, Student Member , IEEE, Brian Y oung, Student Member , IEEE,A m r E l s h a z l y, Student Member , IEEE, Mrunmay Talegaonkar, Student Member , IEEE, and Pavan
本文提出了一种采用VCO内部量化器的连续时间调制器，通过两级残差消除量化器实现高效噪声整形。
90nm CMOS, 16mW, 78.3dB SNDR, 10MHz BW, 600MHz时钟
JSSC 2012第12期Data ConvertersSAR ADC
A 1.7 mW 11b 250 MS/s 2-Times Interleaved Fully Dynamic Pipelined SAR ADC in 40 nm Digital CMOS Bob V erbruggen, Member , IEEE
40纳米工艺下17mW功耗、11位精度、250MS/s采样率的2倍交织全动态流水线SAR ADC
62dB SNDR@10MS/s, 56dB SNDR@250MS/s, 7-10fJ/转换步
JSSC 2012第12期RF & WirelessHigh-Speed LinkEqualizer
A 19-Gbs Serial Link Receiver With Both 4-Tap FFE and 5-Tap DFE Functions in 45-
设计19Gb/s串行链路接收器，集成4抽头FFE和5抽头DFE功能。
45nm SOI CMOS, 0.07mm², 6.2mW/Gb/s
JSSC 2012第12期Image Sensors
A 1 k-Pixel Video Camera for 0711 Terahertz Imaging Applications in 65-nm CMOS R
一款65nm CMOS工艺的1千像素太赫兹视频摄像芯片，支持500fps视频拍摄。
856GHz下115kV/W响应度，12nW噪声等效功率，500fps帧率
JSSC 2012第12期RF & Wireless
A 2-Gbs Throughput CMOS Transceiver Chipset With In-Package Antenna for 60-GHz S
一款集成天线的60GHz CMOS收发器芯片组，实现短距离高速无线通信。
2.62-Gb/s PHY数据率，2.07-Gb/s MAC吞吐量，651 pJ/bit能耗（3cm距离）
JSSC 2012第12期Clocking & PLLsPLL
A 20 Mb/s Phase Modulator Based on a 3.6 GHz Digital PLL With −36 dB EVM at 5 mW Power Giovanni Marzin
本文提出了一种基于数字PLL的低功耗高比特率相位调制器，采用多电容组振荡器拓扑和数字自适应滤波器。
65nm CMOS, 1.2V, 20Mb/s QPSK, 5mW
JSSC 2012第12期RF & Wireless
A 24-GHz 2040-MHz Channel WLAN Digital Outphasing Transmitter Utilizing a Delay-
一款用于2.4GHz WiFi的数字化外差发射机，采用延迟相位调制器和高效功率放大器。
32nm CMOS, 26-dBm PA, 18.6%系统效率, 54-Mb/s 64QAM
JSSC 2012第12期RF & WirelessHigh-Speed LinkEqualizer
A 28-Gb/s 4-Tap FFE/15-Tap DFE Serial Link Transceiver in 32-nm SOI CMOS Technology John F. Bulzacchelli, Member , IEEE,C h r i s t i a n M e n o lfi, Member , IEEE, Troy J. Beukema , Member , IEEE, Daniel W. Storaska , Member , IEEE, Jürgen Hertle , Member , IEEE, David R. Hanson
本文介绍了一种32nm SOI CMOS技术下的28Gb/s收发器，适用于高损耗电通道的芯片间通信。
28 Gb/s, 693 mW/lane, 35 dB loss at half-baud frequency
JSSC 2012第12期Other
A 28.3 mW PA-Closed Loop for Linearity and Efficiency Improvement Integrated in a 27.1 dBm WCDMA CMOS Power Ampli fier Shouhei Kousai, Kohei Onizuka, Takashi Y amag uchi, Y asuhiko Kuriyama
提出一种宽带反馈线性化技术（PA-closed loop），用于提高功率放大器（PA）的线性度和效率。
WCDMA输出功率27.1 dBm，功率附加效率（PAE）28%，ACLR 40 dBc
JSSC 2012第12期Power ManagementBoost ConverterEnergy Harvesting
A 40 mV Transformer-Reuse Self-Startup Boost Converter With MPPT Control for Thermoelectric Energy Harvesting Jong-Pil Im, Student Member , IEEE, Se-Won Wang ,S t u d e n tM e m b e r ,I E E E
40 mV自启动升压转换器，采用变压器复用和MPPT控制，适用于热电发电机应用。
40 mV-300 mV输入电压范围，2.7 mW最大输出功率，61%最大效率，2V输出电压
JSSC 2012第12期Other
A 41-pJb 16-Gbs Coded Differential Bidirectional Parallel Electrical Link Amir A
提出一种新型编码差分并行电信号传输方案，提升时序裕量并降低能耗。
40nm CMOS, 16 Gb/s, 4.1 pJ/b
JSSC 2012第12期RF & Wireless
A 48-Port FCC-Compliant 10GBASE-T Transmitter With Mixed-Mode Adaptive Echo Canceller Ramin Farjad
48端口FCC合规10GBASE-T发射机，采用混合模式自适应回声消除技术。
40nm CMOS, 200mW, 0.5mm²
JSSC 2012第12期RF & Wireless
A 60-GHz Outphasing Transmitter in 40-nm CMOS Dixian
40纳米CMOS工艺下实现的高效60GHz异相发射机
15.6-dBm线性输出功率，25% PAE，500-Mb/s 16QAM调制
JSSC 2012第12期Data ConvertersSAR ADC
A 90-MSs 11-MHz-Bandwidth 62-dB SNDR Noise-Shaping SAR ADC
提出一种90MS/s、11MHz带宽、62dB SNDR的噪声整形SAR ADC架构。
90MS/s, 11MHz带宽, 62dB SNDR, 806μW, 1.2V
JSSC 2012第12期RF & Wireless
A 915 MHz, Ultra-Low Power 2-Tone Transceiver With Enhanced
设计了一种915MHz超低功耗双音收发器，具有增强的抗干扰能力。
3dBm输出功率，33.9%全局效率，83dBm灵敏度，121μW功耗
JSSC 2012第12期RF & Wireless
A Blocker-Tolerant, Noise-Cancelling Receiver Suitable for Wideb
提出一种新型宽带接收器架构，采用双路径下变频实现噪声消除，避免阻塞频率下的电压增益。
40 nm, 80 MHz to 2.7 GHz, 2 dB noise figure, 4.1 dB with 0 dBm blocker
JSSC 2012第12期Data ConvertersPipeline ADCDAC
A CMOS 5.37-mW 10-Bit 200-MS/s Dual-Path Pipelined ADC Yu n C h a i, Student Member , IEEE
采用65nm CMOS工艺的10位200MS/s双路径流水线ADC，功耗5.37mW
65nm CMOS, 1V, 200MS/s, 55dB SNDR
JSSC 2012第12期RF & Wireless
A DC-to-1 GHz Tunable RF ADC Achieving DR 74 dB and BW 150 MHz at 450 MHz Using 550 mW
65nm CMOS工艺下实现DC至1 GHz可调谐RF ADC，动态范围74 dB，带宽150 MHz。
450 MHz中心频率下150 MHz带宽，74 dB动态范围，4 GHz采样频率，功耗550 mW
JSSC 2012第12期RF & Wireless
A Dual-Channel 23-Gbps CMOS Transmitter/ Receiver Chipset for 40-Gbps RZ-DQPSK and CS-RZ-DQPSK Optical Transmission Delong Cui, Bharath Raghavan, Ullas Singh, Anand V asani, Zhi Huang
一款40nm CMOS工艺的双通道23Gbps收发器芯片组，支持40Gbps RZ-DQPSK光传输。
40nm CMOS, 0.63W/1.2W功耗, 10ps上升/下降时间, 0.2RJ, 0.8DJ, 0.5UI skew
JSSC 2012第12期Clocking & PLLsVCO
A Novel CMOS High-Power Terahertz VCO Based on Coupled Oscillators: Theory and Implementation Y ahya M. Tousi, Member , IEEE
提出一种基于耦合振荡器理论的CMOS太赫兹VCO，实现高功率输出。
0.76mW@290GHz(4.5%调谐范围), 0.46mW@320GHz(2.6%调谐范围)
JSSC 2012第12期Power ManagementDRAM
A Resonant Switched-Capacitor IC and Embedded System for Sub-Module Photovoltaic Power Management Jason T. Stauth, Member , IEEE, Michael D. Seeman , Member , IEEE, and Kapil Kesarwani , Student Member , IEEE
提出一种基于谐振开关电容转换器的高压CMOS集成电路及嵌入式系统，用于光伏子模块功率平衡。
转换效率超过99%，插入损耗低于0.1%，垂直尺寸小于6mm，重量小于1盎司
JSSC 2012第12期RF & Wireless
Active Feedback Technique for RF Channel Selection in Front-End Receivers
本文提出了一种采用主动反馈技术的射频前端接收器，用于通道选择，以提高线性度和选择性。
1 to 2.5 GHz tunable center frequency, 48 dB stopband rejection, IIP3 +12 dBm
JSSC 2012第12期Other
An 8 25 W 1-THD 104 dBA-Dynamic-Range Class-D Audio Ampli fier With Ultra-Low EMI
一款用于便携设备的2.5W 1% THD Class-D音频放大器，具有104 dB(A)动态范围和超低EMI。
2.5W 1% THD, 104 dB(A)动态范围
JSSC 2012第12期Power Management
An Optimized Driver for SiC JFET-Based Switches Enabling Converter Operation With More Than 99% Efficiency
本文提出了一种优化的SiC JFET驱动器，用于高效电源转换。
效率超过99%
JSSC 2012第12期Analog CircuitsOp-Amp
Analog Filter Design
提出使用环形振荡器积分器设计高性能模拟滤波器，克服传统积分器增益受限问题。
90nm CMOS, 0.5V电源, 2.9mW功耗, 7MHz带宽, 61.4dB SNR, 67.6dB SFDR, 60.1dB THD
JSSC 2012第12期Data Converters
Design Techniques for Wideband Single-Bit Continuous-Time Modulators With FIR Feedback DACs
设计宽频带单比特连续时间调制器的FIR反馈技术
71-dB SNDR, 36-MHz带宽, 15 mW功耗, 1.2-V电源, 3.6 GS/s采样率
JSSC 2012第12期Other
INFORMATION FOR AUTHORS Content The IEEE J OURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS is pub
IEEE JSSC期刊专注于固态电路设计，涵盖集成电路与VLSI技术。
无
JSSC 2012第12期Data Converters
Introduction to the Special Issue on the 2012 IEEE International Solid-State
2012年IEEE国际固态电路会议精选论文特刊介绍
71-dB SNDR/36MHz带宽, 15mW@1.2V, 3.6GS/s采样, 72.7fJ/lvl FoM
JSSC 2012第12期Other
Off-the-Line Primary Side Regulation LED Lamp Driver With Single-Stage PFC and T
提出基于VFT和DVT方法的离线式原边调节LED驱动方案，支持高功率因数和TRIAC调光。
0.35μm BCD工艺, 0.76mm²面积, 效率>81%, 功率因数>0.9, 负载调节率0.43%-0.89%
JSSC 2012第12期Other
Ring Amplifiers for Switched
本文介绍了环形放大器的基本概念及其在开关电容电路中的应用，展示了其在高效放大和快速稳定方面的优势。
15-bit ADC, 20 Msps, 76.8 dB SNDR, 95.4 dB SFDR, 5.1 mW, FoM 45 fJ/conversion-step
JSSC 2012第12期Other
The IEEE J OURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS is published by the IEEE Solid-State C
IEEE JSSC期刊论文分析请求，但提供的文本主要为期刊管理信息，缺乏具体论文内容。
无
JSSC 2012第12期Analog CircuitsNeural Network Accelerator
Widely Tunable 4th Order Switched G -C Band-Pass Filter Based on N-Path Filters Milad Darvishi, Student Member , IEEE , Ronan van
基于N路径滤波器的可调谐四阶带通滤波器设计
0.4-1.2 GHz可调范围，21 MHz恒定带宽，55 dB抑制比，10 dB噪声系数